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基板反转模块的轴对准结构及基板反转模块的轴对准方法
本发明涉及基板处理, 更详细地说, 涉及与多个远程等离子发生装置结合的基板处理装置。本发明的基板反转模块包括:基板安置部, 用于安置基板, 在彼此相对的位置设置有一双从动轴;主体部, 设置有一双轴支撑部, 可旋转地支撑所述从动轴, 使得所述...
载台装置和半导体工艺设备
本发明公开一种载台装置和半导体工艺设备, 所公开的载台装置用于承载并带动晶圆承载盒在半导体工艺设备的装卸载腔室之外沿第一方向移动, 载台装置包括:载台支架、承载部、驱动机构和缓冲机构;驱动机构设于载台支架, 承载部沿第一方向移动地设于载台支...
托盘
公开了一种托盘。该托盘包括装载有显示面板的装载区域、设置在装载区域的表面上以围绕装载区域的侧壁以及定位在侧壁中以为侧壁外部的空气提供流动到装载区域中的通道的空气流动路径。空气流动路径弯曲至少一次。
一种COC脉冲加热共晶机及使用方法
本申请涉及一种COC脉冲加热共晶机及使用方法, 其中一种COC脉冲加热共晶机, 包括操作台, 所述操作台上部两侧分别设置有蓝膜片移动组件, 所述操作台的上部后端设置有支撑架, 所述支撑架上滑动设置有蓝膜片载体上的芯片进行转移的芯片移动组件;...
一种半导体芯片生产加工用贴装辅助装置
本发明涉及半导体芯片技术领域, 具体的公开了一种半导体芯片生产加工用贴装辅助装置, 包括底座、工作台、传输台、芯片和位于传输台上的基板, 底座顶部转动安装有支撑杆, 支撑杆顶部固定连接有安装块, 安装块两侧分别安装有第一连杆和第二连杆, 通...
一种半导体晶圆加工用覆膜机
本申请涉及晶圆覆膜设备技术领域, 且公开了一种半导体晶圆加工用覆膜机, 包括底座, 所述底座顶端的中部由内至外依次设有内支撑板、支撑环板和弹力支撑装置, 其中支撑环板相对内支撑板和弹力支撑装置活动设置, 且常态下内支撑板、支撑环板和弹力支撑...
一种基于堆叠式负载锁的晶圆处理系统及方法
本发明涉及一种基于堆叠式负载锁的晶圆处理系统及方法。系统包括负载锁模块、晶圆传送模块、工艺模块和气路调控模块, 负载锁模块一侧通过真空传输腔体与工艺模块相连接, 另一侧与大气环境相连接, 且负载锁模块采用双层负载锁结构, 每层的左右两侧各设...
一种半导体芯片加工用贴片装置
本发明公开了一种半导体芯片加工用贴片装置, 包括框体, 所述框体的反面一侧固定安装有工作台;所述框体的内部设置有夹持机构, 且工作台的顶部设置有调节组件;其中, 所述夹持机构包括支撑杆, 且支撑杆对称固定安装于框体的内部, 并且支撑杆的外部...
一种方胶体超高压二极管测试印字一体机
本发明公开了一种方胶体超高压二极管测试印字一体机, 包括:进料机构;传送机构;转运机构;相性测试机构, 其用于对二极管的相性进行测试, 并对二极管进行排向, 使得各二极管的正负极电极引线朝向统一;产品检测机构、电性测试机构、塑封体四面检测机...
具有芯片缓存的晶圆多级分组装置
本发明公开了一种具有芯片缓存的晶圆多级分组装置, 包括设置在承载台上的晶圆处理模组、主轨道模组和进料轨道模组, 所述的主轨道模组位于晶圆处理模组的旁侧, 所述的晶圆处理模组和主轨道模组之间设置有芯片缓存模组, 该芯片缓存模组包括:一用于暂存...
具有基板缓存的晶圆多级分组装置
本发明公开了一种具有基板缓存的晶圆多级分组装置, 包括设置在承载台上的晶圆处理模组、主轨道模组和进料轨道模组, 主轨道模组位于晶圆处理模组的旁侧, 且主轨道模组包括有供基板沿X轴运行的主轨道;基板进料模组包括有可与主轨道对接的进料轨道, 于...
炉管机台
本申请公开了一种炉管机台, 包括:反应腔, 其用于容置需要生长薄膜的晶片且提供薄膜生长的封闭环境;加热管, 其用于对反应腔进行加热;供气系统, 其用于向反应腔通入氧气、氮气和氢气中的至少一种气体, 其通过主供气管道与反应腔连通, 当炉管机台...
一种BGA封装结构
本发明涉及BGA封装技术领域, 且公开了一种BGA封装结构, 包括, 底架顶部固定连接有外壳, 外壳的内壁滑动连接有外壳二, 外壳二的外壁固定连接有开口网格板, 开口网格板的外壁固定连接有连接杆, 集成电路连接板上需焊接处向下凹陷, 通过开...
用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法
本申请提供了一种用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法。其中, 所述芯片贴片装置包括:一个载板支撑单元, 具有至少一个支撑元件和一个支撑架;一个晶圆供给单元, 具有一个晶圆架可操作以保持一切割晶圆;一个设置在所述载板支撑单元和晶圆供给...
半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法
本发明公开一种半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法, 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、顶盖、气体纯化组件、第一管道、以及位于第一管道两端的第一开关阀, 其中:顶盖设于腔室本体, 且用于与腔室本体围成工艺内腔, 半导体工艺腔室具...
工艺腔室、工艺方法及处理控制装置
本发明提供一种工艺腔室、工艺方法及处理控制装置, 工艺腔室包括腔室本体、承载部件、第一检测部件和第二检测部件, 承载部件可升降的设置在腔室本体内, 用于承载晶圆, 第一检测部件和第二检测部件分别与腔室本体配合设置, 第一检测部件和第二检测部...
缺陷标记装置及标记方法
本发明涉及半导体制造技术领域, 提供了一种缺陷标记装置及标记方法, 缺陷标记装置包括承载单元和标定单元;所述承载单元包括承载件, 所述承载件具有一承载面, 所述承载件上具有镂空区, 所述标定单元包括缺陷检测组件和标定组件, 所述缺陷检测组件...
一种受激辐射的晶圆检测装置
本申请提供的一种受激辐射的晶圆检测装置, 激发光源产生的激发光束经第一照明镜组进行准直、匀光和形状调制后形成均匀的整形光束, 整形光束经第二照明镜组进行汇聚产生的汇聚光束能够经光束分离元件和物镜后形成出射光束且照射于晶圆的表面以激发产生荧光...
一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置
本发明公开了一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置, 涉及半导体检测技术领域。该检测装置, 包括:腔室顶盖;监测窗, 监测窗的顶部为监测边框支撑的一体式石英窗;支撑架体, 通过支撑件间隔支撑于监测窗的顶部之上, 用于可移动的支撑一个以上的探...
一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质
本申请提供一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质, 确定高深宽比纳米结构对应的参数化模型, 参数化模型用于表示高深宽比纳米结构的形貌参数与高深宽比纳米结构的高度之间的函数关系, 参数化模型包括多个基函数, 以及每个基函数对应的基函数系数;...
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