Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法
    半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410451506.8
    本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括：堆叠结构， 包括交替叠置的第一介电层和栅极层；栅线隔离结构， 贯穿堆叠结构， 并包括沿第一方向排布的第一隔离部分和第二隔离部分， 第一隔离部分和第二隔离...
    2025-11-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411824164.6
    一种半导体器件包括：第一基板；多个栅电极， 在垂直方向上堆叠在第一基板的上表面上， 所述多个栅电极在垂直方向上彼此间隔开；沟道结构， 穿过所述多个栅电极；第二基板， 设置在第一基板与所述多个栅电极中的最下面的栅电极之间， 第二基板包括第一表...
    2025-11-19
  • 半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法
    半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410446820.7
    本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括：堆叠结构；栅线隔离结构， 贯穿堆叠结构， 并包括沿第一方向排布的第一隔离部分和第二隔离部分， 第一隔离部分和第二隔离部分均沿第一方向延伸；以及绝缘结构，...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其制备方法、存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410446811.8
    本申请实施方式提供一种半导体结构及其制备方法、一种存储器系统， 其中半导体结构包括叠层结构、栅线隔离结构和接触结构。叠层结构包括形成有多个台阶的第一区， 台阶包括沿第一方向堆叠设置的第一介质层和第一栅极层。栅线隔离结构沿第一方向穿过叠层结构...
    2025-11-19
  • 半导体器件及其形成方法、存储器
    半导体器件及其形成方法、存储器_长江存储科技有限责任公司_202410451687.4
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法、存储器， 半导体器件的形成方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括具有第一区域的半导体层以及位于第一区域上的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成覆盖部分第一栅极绝缘层的第一柱状结构；第一柱状结构包括...
    2025-11-19
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410454233.2
    本文公开了一种半导体装置及其制造方法。本公开涉及用于管理合并在半导体装置中的沟道孔和栅极线的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括第一存储块、第二存储块以及位于第一存储块与第二存储块之间的至少第一栅极线结构。第一存储块和第二存储块中的...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410559015.5
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构的形成方法包含提供基板， 其具有多个有源区， 以及形成第一栅极层于基板的有源区上。方法更包含顺应地形成栅间介电层于基板及第一栅极层上， 栅间介电层形成第一开口于第一栅极层之间。方法更包含形...
    2025-11-19
  • 管理三维半导体器件
    管理三维半导体器件_长江存储科技有限责任公司_202410454270.3
    提供了用于管理三维(3D)半导体器件的系统、器件和方法。在一个方面， 一种半导体器件包括具有至少一条栅极线的堆叠结构、选择栅极层和至少一个沟道结构。所述至少一条栅极线包括第一材料。选择栅极层包括不同于第一材料的第二材料。所述至少一个沟道结构...
    2025-11-19
  • 三维NAND存储器及其制造方法
    三维NAND存储器及其制造方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410450940.4
    本发明提供三维NAND存储器及其制造方法。三维NAND存储器包括：堆叠结构， 其包括交替堆叠地设置的存储器单元层和第1绝缘层， 堆叠结构还包括设置在最上层的存储器单元层之上的由多晶硅构成的漏极选择栅极层， 在堆叠结构中形成有在堆叠方向上通过...
    2025-11-19
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510171213.9
    本发明公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统， 该半导体器件可以包括：第一半导体结构， 包括第一衬底、在第一衬底上的第一电路元件、在第一电路元件上的第一电路互连线、以及第一外围区域绝缘层；第二半导体结构， 包括在第一半导体结构...
    2025-11-19
  • 半导体装置和包括半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202411520559.7
    公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。半导体装置， 包括：栅极堆叠结构， 具有堆叠的层间绝缘层和栅电极；分离结构， 穿透栅极堆叠结构；分离图案， 分离栅极堆叠结构中的部分栅电极；沟道结构， 穿透栅极堆叠结构；沟道绝缘层， 在栅极堆叠结...
    2025-11-19
  • 半导体结构的制造方法及其半导体结构
    半导体结构的制造方法及其半导体结构_南亚科技股份有限公司_202510754800.0
    本申请案公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料， 以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料， 以覆盖暴露在该...
    2025-11-19
  • 半导体器件
    半导体器件_爱思开海力士有限公司_202510467596.4
    本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：位线， 其被设置成沿第一方向延伸；第一栅极， 其被设置成沿与第一方向相交的第二方向延伸；第二栅极， 其被设置成与第一栅极平行地延伸；有源区， 其具有与位线接触的第一侧；以及接触件， 其被设置成与有源...
    2025-11-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510304668.3
    一种半导体存储器装置包括栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：栅极绝缘膜， 其沿着栅极沟槽延伸；栅极导电膜， 其位于栅极绝缘膜上并且限定栅极凹部， 其中， 栅极沟槽的底表面与栅极导电膜的上表面之间的竖直长度小于栅极沟槽的底表面与栅极绝缘膜的上...
    2025-11-19
  • 半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510181963.4
    本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件可以包括：源极结构；在源极结构上的多个栅电极， 在垂直于源极结构的上表面的第一方向上彼此间隔开， 在垂直于第一方向的第二方向上延伸不同的长度， 并限定阶梯结构；以及焊盘...
    2025-11-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510122405.0
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法， 所述半导体器件包括：沟槽， 其形成在衬底中；第一栅极， 其填充在沟槽的底部中；以及第二栅极， 其设置在第一栅极之上， 其中， 第一栅极和第二栅极中的每一个都包含氧材料， 并且第一栅极的氧含量大于第二栅...
    2025-11-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411348463.7
    本揭露提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、字元线结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。基板具有主动区以及围绕主动区的周围区。字元线结构配置于基板的主动区。第一栅极结构设置于基板的周围区中， 其中第一栅极结构的底表面朝向基板弯曲， 且第一栅...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411239389.5
    本发明的实施例提供一种半导体结构， 半导体结构包括多个主动区及多个绝缘区。主动区设置于基板中且被半导体材料层环绕， 其中半导体材料层接触主动区的表面为粗糙表面。绝缘区设置于基板中且环绕各主动区， 其中各绝缘区包括半导体材料层、位于半导体材料...
    2025-11-19
  • 动态随机存取存储器
    动态随机存取存储器_华邦电子股份有限公司_202411235059.9
    本发明提供一种三维动态随机存取存储器， 其包括第一与第二沟道、存储节点、位线、字线、第一与第二导线、第一与第二介电层、源极线与漏极线。第一与第二沟道设置于衬底上且在第一方向上分隔开。存储节点设置于第一与第二沟道之间的衬底上。位线设置于第一沟...
    2025-11-19
  • 半导体元件的制造方法
    半导体元件的制造方法_南亚科技股份有限公司_202410928198.3
    本发明公开一种半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料， 以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料， 以覆盖暴露在该绝缘片周围的导...
    2025-11-19
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证