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最新专利技术
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510472740.3
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中， 一种电子装置包含包括导电材料的引线。所述引线中的引线包含基底部分和从所述基底部分的下部侧延伸的突起。裸片焊盘可安置在所述引线之间且可包含所述导电材料。下部模具可安置在所述突起的第一横向侧上且...
    2025-11-24
  • 具探针压痕的侧面可润湿封装件及其制法
    具探针压痕的侧面可润湿封装件及其制法_强茂股份有限公司_202410451879.5
    本发明为一种具探针压痕的侧面可润湿封装件及其制法， 该封装件具有一封装件本体及多个导电焊垫， 该多个导电焊垫沿着封装本体的边缘间隔排列， 其中， 每一个该导电焊垫的一第一表面系露出在该封装件本体的底面， 该导电焊垫的一第二表面露出于该封装件...
    2025-11-24
  • 半导体装置封装
    半导体装置封装_日月光半导体(韩国)有限公司_202510362900.9
    本发明提供一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含多个引线、囊封体和焊料元件。所述多个引线包含第一引线。所述囊封体安置于所述第一引线的两侧处。所述焊料元件安置于所述第一引线的顶表面上方。在横截面图视角中， 所述第一引线和所述囊封体共同地限...
    2025-11-24
  • 一种基于液相扩散焊接的银锡凸点互连结构及方法
    一种基于液相扩散焊接的银锡凸点互连结构及方法_北京理工大学_202510754440.4
    本发明提供一种基于液相扩散焊接的银微凸点互连结构及方法。该银微凸点互连结构包括：第一硅片；第一硅片设有面阵列分布的第一银微凸点， 第一银微凸点的表面覆有低熔点共晶膜， 所述低熔点共晶膜的厚度≥1μm；以及第二硅片；第二硅片设有面阵列分布的第...
    2025-11-24
  • 一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构
    一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构_电子科技大学_202511334290.8
    本发明公开了一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构， 涉及射频互连与微电子封装可靠性技术领域。本发明结构在传统铜柱型TSV的基础上， 于硅基体中围绕铜柱设置双层环形槽：上部环形槽填充柔性聚酰亚胺材料， 位于接近焊盘的上部区域， 用以缓释界面...
    2025-11-24
  • 一种硅桥封装结构及其对应的封装方法
    一种硅桥封装结构及其对应的封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202510952371.8
    本发明提供了一种硅桥封装结构， 其降低了有机中介层的厚度， 且降低了工艺流程的复杂度、并降低了封装成本。其包括：有机中介层， 其包括设置于下表面的下凸的金属凸块、以及多层的金属线路层， 所述金属线路层对应于有机中介层的上表面设置用于连接芯片...
    2025-11-24
  • 半导体封装结构及其形成方法
    半导体封装结构及其形成方法_联发科技股份有限公司_202510489431.7
    本发明提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括一个半导体芯片和一个导电粘合层。半导体芯片包括一个半导体基底、一个半导体器件和一个通孔。半导体基底具有第一表面和第二表面。半导体器件形成在半导体基底的第一表面上。通孔以这样一种...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411818852.1
    提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；第一层间绝缘膜， 所述第一层间绝缘膜位于所述衬底上；贯穿通路， 所述贯穿通路延伸穿过所述衬底和所述第一层间绝缘膜；第二层间绝缘膜， 所述第二层间绝缘膜位于所述第一层间绝缘膜上， 其...
    2025-11-24
  • 键合结构及其形成方法
    键合结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410488052.1
    一种键合结构及其形成方法， 结构包括：第一晶圆和第二晶圆， 第一晶圆和第二晶圆在第一连接点键合；第一晶圆包括：衬底；TSV， TSV沿厚度方向贯穿衬底；互连结构， 互连结构位于衬底和第二晶圆之间， 互连结构包括：顶层金属和中间金属， 中间金...
    2025-11-24
  • 一种用于高功率芯片的液冷板及液冷组件
    一种用于高功率芯片的液冷板及液冷组件_广州众山新材料股份有限公司_202511325533.1
    本申请涉及热管理技术领域， 尤其涉及一种用于高功率芯片的液冷板及液冷组件。该液冷板包括：底板， 沿底板的延伸方向， 底板的一端设有第一进口流道、多个第二进口流道。另一端设有第一出口流道、多个第二出口流道。底板上还设有多个分流流道， 多个分流...
    2025-11-24
  • 一种多面波浪型嵌入式微通道散热基底及芯片
    一种多面波浪型嵌入式微通道散热基底及芯片_山东大学_202510801104.0
    本发明提供一种多面波浪型嵌入式微通道散热基底及芯片， 涉及芯片领域， 针对目前堆叠芯片集成的微通道散热结构的散热效果与制造可行性难以平衡的问题， 难以满足堆叠芯片高热密度场景下的散热需求， 散热通道两侧壁面的竖向投影为波浪线， 顶面的水平投...
    2025-11-24
  • 半导体模块和半导体装置
    半导体模块和半导体装置_富士电机株式会社_202510230125.1
    本发明提供半导体模块和半导体装置。利用简单的机构且容易的组装实现冷却性能提高以及防腐蚀。冷却器(30)具有散热基座(31)和相对于该散热基座(31)位于与基板(20)相反的一侧的多个散热片(32)， 安装于用于使冷却水(W)以通过多个散热片...
    2025-11-24
  • 具有冷却系统的电子封装组件及其形成方法
    具有冷却系统的电子封装组件及其形成方法_星科金朋私人有限公司_202410496159.0
    本申请提供一种电子封装组件及其形成方法。所述电子封装组件包括：基底封装衬底、至少一个基底电子元件和基底模盖；支撑框架， 其附接在所述基底模盖上， 其中所述支撑框架具有暴露所述基底模盖和所述基底电子元件的前表面的底部开口及与所述底部开口流体连...
    2025-11-24
  • 一种基于RISC-V处理器芯片的封装结构
    一种基于RISC-V处理器芯片的封装结构_北京轩宇空间科技有限公司_202510784952.5
    一种基于RISC‑V处理器芯片的封装结构， 包括陶瓷基板， 陶瓷基板上通过SE4450导热胶固定有散热盖， 陶瓷基板上焊接有芯片， 芯片位于散热盖内， 且芯片的上表面与散热盖的下壁之间涂覆有SE4450导热胶， 以起到对芯片进行支撑和导热作...
    2025-11-24
  • 一种半导体封装结构及封装工艺
    一种半导体封装结构及封装工艺_江西万年芯微电子有限公司_202510817953.5
    本发明提供一种半导体封装结构及封装工艺， 封装结构包括塑封体， 用于保护半导体封装结构的内部部件；陶瓷基板， 陶瓷基板位于塑封体内且用于固定芯片；封装支架， 位于塑封体内且至少部分伸出塑封体， 且内部引脚设置在陶瓷基板两侧， 封装支架用于固...
    2025-11-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510489720.7
    半导体装置(10)具备部件内置基板(20)， 部件内置基板(20)具有：基板(25)；第一半导体元件(31)；第二半导体元件(32)， 其在与基板(25)的厚度方向(DT)正交的方向上隔开间隔地与第一半导体元件(31)排列；第一散热构件(6...
    2025-11-24
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410494400.6
    本申请实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备， 涉及电子技术领域， 用于改善芯片封装结构无法兼容散热性能和防翘曲性能的问题。芯片封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和散热盖。第一芯片和第二芯片位于基板同一侧。第一芯片的温度低于第二...
    2025-11-24
  • 具散热功能的功率晶片封装模组
    具散热功能的功率晶片封装模组_广州力及热管理科技有限公司_202410471304.X
    一种具散热功能的功率晶片封装模组， 包含蒸气腔、介电层、导电层以及功率晶片， 蒸气腔包含铜上盖以及一相对于铜上盖的下板， 铜上盖具有上盖上表面， 当铜上盖耦合于下板时， 形成一密闭气腔、一吸热区以及一冷凝区， 其中， 吸热区位于铜上盖；冷凝...
    2025-11-24
  • 一种射流液冷结构、其制作方法及电子设备
    一种射流液冷结构、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410453352.6
    本申请提供了一种射流液冷结构、其制作方法及电子设备， 射流液冷结构包括：基板、芯片、冷却罩、塑封和金属防护层。芯片和冷却罩位于基板之上， 且冷却罩与基板构成腔体， 芯片位于腔体内部。塑封体填充于基板之上的芯片与冷却罩之间， 塑封体覆盖芯片的...
    2025-11-24
  • 半导体器件和晶格状鳍片
    半导体器件和晶格状鳍片_瑞萨电子株式会社_202510410851.1
    本公开涉及半导体器件和晶格状鳍片。根据一个实施例， 半导体器件包括：包括半导体芯片的半导体模块， 半导体芯片具有第一表面和第二表面；以及晶格状鳍片， 靠近半导体芯片的第二表面侧。晶格状鳍片包括第一晶格状本体和第二晶格状本体， 第一晶格状本体...
    2025-11-24
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