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最新专利技术
  • 一种电力通用保护测控装置
    一种电力通用保护测控装置_四川清能继控科技有限公司_202511355190.3
    本发明涉及电力保护测控领域， 具体为一种电力通用保护测控装置， 包括绝缘机座， 所述绝缘机座通过紧固件与外界墙体或者或板体可拆卸连接， 用于为装置整体提供安装载体与绝缘防护；隔离机构， 所述隔离机构设置于所述绝缘机座顶部， 用于将发生燃烧或...
    2025-12-02
  • 一种基于物联网的节能型智能配电柜
    一种基于物联网的节能型智能配电柜_河北和赢电气有限责任公司_202511023035.1
    本发明公开了一种基于物联网的节能型智能配电柜， 具体涉及配电技术领域， 上分离组件包括多个副断路器、多个分断路器、安装框以及联动框， 均滑动安装在端子片的底端， 在其中一个副断路器的一侧设有多个分断路器， 多个分断路器均与端子片之间滑动连接...
    2025-12-02
  • 交流汇流柜及储能集装箱
    交流汇流柜及储能集装箱_浙江晶科储能有限公司_202511139990.1
    本申请涉及储能系统技术领域， 提出了一种交流汇流柜及储能集装箱， 包括：主断路器， 具有多个输入接线端和多个输出接线端， 多个输出接线端沿第一方向延伸至交流汇流柜下部的接线区；多个子断路器在水平方向依次间隔设置， 形成一个断路器单元， 多个...
    2025-12-02
  • 光伏发电控制装置及控制方法
    光伏发电控制装置及控制方法_国科新能源有限公司_202511026769.5
    本发明涉及光伏发电控制装置技术领域， 具体为光伏发电控制装置及控制方法， 包括：控制箱、防护壳及多种机构， 防护壳两侧设有便于安拆的限位机构， 后侧连接有线缆固定锁紧机构。限位机构包括可横向滑动的限位杆和下压弹起组件， 防护壳下降时连杆与对...
    2025-12-02
  • 配电箱内部线缆快速分布装置
    配电箱内部线缆快速分布装置_西安悦杰测控有限公司_202510983409.8
    本发明涉及配电箱线缆分布技术领域， 公开了配电箱内部线缆快速分布装置， 其特征在于， 包括：配电柜， 所述配电柜铰接设置有柜门， 所述配电柜固定设置有挡雨板， 所述配电柜滑动设置有线缆分流机构， 所述线缆分流机构固定设置有多个线缆夹持机构，...
    2025-12-02
  • 一种智能型低压成套开关设备
    一种智能型低压成套开关设备_可若瑞娜电气有限公司_202510952393.4
    本申请涉及一种智能型低压成套开关设备， 其包括设备外壳和防护门， 设备外壳的前侧转动安装有防护门， 设备外壳的内部固定安装有螺杆， 螺杆的前侧通过安装部件设置有若干调节架， 安装部件用于对调节架进行安拆处理， 调节架的内侧通过压力传感器固定...
    2025-12-02
  • 模块化底座
    模块化底座_上海良信智能电工有限公司_202410511034.0
    一种模块化底座， 涉及低压电器技术领域。该模块化底座包括底座本体、第一端子模块、第二端子模块、第一控制模块、第一开关；第一端子模块和第二端子模块固定连接于底座本体上， 分别与第一开关的进线端和出线端插拔连接， 第一开关被配置于第一控制模块上...
    2025-12-02
  • 一种开关柜接地开关操作报警装置
    一种开关柜接地开关操作报警装置_河南森源电气股份有限公司_202410514076.X
    本发明涉及高压开关柜领域， 尤其涉及一种开关柜接地开关操作报警装置。开关柜接地开关操作报警装置包括用于安装在开关柜的柜体上的基座， 基座上安装有可活动的盖板， 盖板在相对于基座活动的行程中具有遮盖位置和打开位置， 盖板和基座之间设置有用于检...
    2025-12-02
  • 一种负氧离子生成器
    一种负氧离子生成器_深圳市宏康环境科技有限公司_202511086029.0
    本发明公开了一种负氧离子生成器， 包括装设在上部的生成器和装设在下部的水箱， 所述生成器包括装设在外侧的外壳和装设在内部的内壳， 所述外壳一侧设有进气口， 另一侧设有输出管；所述内壳上装设有生成部件， 所述生成部件上部通过连接管与进气口连接...
    2025-12-02
  • 一种负氧离子发生装置及建筑设施
    一种负氧离子发生装置及建筑设施_深圳市宏康环境科技有限公司_202510638431.9
    本发明公开了一种负氧离子发生装置及建筑设施， 涉及负氧离子发生装置技术领域， 负氧离子发生装置包括：压缩机， 压缩机用于将空气进行压缩， 并输出高压空气；控制箱， 设置有储水装置、和连接储水装置的输水管路、输气管路；负氧离子发生器的数量至少...
    2025-12-02
  • 一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法
    一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法_盖德新材料科技南通有限公司_202511357525.5
    本发明涉及测试设备领域， 特别是涉及一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法。其中适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置包括测试箱和固定座；测试箱内部设置为测试空腔， 测试箱顶端固定有测试连接端， 用于连接测试设备进行输出， 测试...
    2025-12-02
  • 一种光纤触发伪火花开关
    一种光纤触发伪火花开关_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202510980692.9
    本发明提供一种光纤触发伪火花开关， 包括阴极组件， 产生初始电子；与阴极组件间隔设置的阳极组件， 阳极组件提供电场以驱动电子运动；放电间隙， 位于阴极组件和阳极组件之间；所述阴极组件包括阴极孔， 产生空心阴极效应的阴极腔以及用于提供初始电子...
    2025-12-02
  • 一种红蓝复合同轴激光装置
    一种红蓝复合同轴激光装置_江苏希里斯激光光子技术有限公司_202511328303.0
    本发明提供一种红蓝复合同轴激光装置， 包括红外光激光器、N个蓝光激光器和合束器， 红外光激光器通过红外光传输光纤与合束器连接， N个蓝光激光器分别通过N根蓝光传输光纤与合束器连接；合束器包括第一入射光纤、N根第二入射光纤和同轴复合光纤， 第...
    2025-12-02
  • 一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法
    一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法_武汉理工大学三亚科教创新园_202510880746.4
    本发明属于微型激光器技术领域， 公开了一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法。该制备方法包括步骤：S1、将基底进行预处理；S2、制备二氧化钛薄膜；S3、在二氧化钛薄膜上制备卤化铅钙钛矿薄膜；S4、另外制备单层的二氧化钛薄膜和卤化铅钙钛...
    2025-12-02
  • 一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块
    一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块_青岛联智光通信技术有限公司_202410444334.1
    本公开提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中， 激光芯片包括：发光区， 用于产生光， 所述发光区设置有第一脊波导， 所述第一脊波导的一侧设置第一沟槽， 所述第一脊波导的另一侧设置第二沟槽；调制区， 用于对所述发光区产生的光进行调制， 所...
    2025-12-02
  • 一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块
    一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块_青岛联智光通信技术有限公司_202410442333.3
    本公开提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中， 包括：在衬底上生长激光器外延层；在激光器外延层上刻蚀出初始调制区域， 以在初始调制区域的侧边形成初始发光区；在初始调制区域生长调制器外延层， 调制外延层与初始发光区的对接处形成初始对接区；...
    2025-12-02
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511050020.4
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备。该垂直腔面发射激光器包括有源区以及位于有源区的至少一侧的分布式布拉格反射镜；分布式布拉格反射镜包括多个第一折射率层、多个第二折射率层和多个铝组分渐变层；第一折射率层和第二折射率层交替...
    2025-12-02
  • 一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器
    一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器_深圳技术大学_202510964191.1
    本发明涉及半导体激光器领域， 公开了一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器， 包括自下而上依次设置的：CIC复合金属衬底， GaAs缓冲层， 下层n型DBR， n型接触层， 多结级联有源区， p型接触层和上层p型DBR；上层p型...
    2025-12-02
  • 垂直腔面发射激光器元件
    垂直腔面发射激光器元件_日亚化学工业株式会社_202510518694.6
    本发明的目的在于提供一种改善了驱动时间的垂直腔面发射激光器元件。垂直腔面发射激光器元件具备：第一光反射层；第一半导体层部， 其配置在所述第一光反射层之上， 包含第一导电型的第一杂质；第二半导体层部， 其包含第二导电型的第二杂质；活性层， 其...
    2025-12-02
  • 垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制
    垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制_朗美通经营有限责任公司_202510513914.6
    本公开涉及垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制。在一些实施方式中， 一种VCSEL包括第一盖层和第二盖层。第一盖层包括半导体材料， 并且设置在VCSEL的限制孔之上。第二盖层包括介电材料， 并且设置在VCSEL的限制孔之上。偏...
    2025-12-02
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