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最新专利技术
  • 一种氮化镓基材料的刻蚀方法
    一种氮化镓基材料的刻蚀方法_南昌大学_202510803511.5
    本发明公开了一种氮化镓基材料的刻蚀方法，涉及半导体材料加工技术领域，通过采用高温气相化学刻蚀方法对氮化镓基材料进行刻蚀，实现低损伤刻蚀的效果，获得满足氮化镓基材料器件高性能要求的刻蚀界面。刻蚀方法包括以下步骤：准备氮化镓基材料外延片，在氮化...
    2025-12-04
  • 基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法
    基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法_南通友拓新能源科技有限公司_202511066931.6
    本发明涉及硅片表面高均匀性制绒的技术领域，公开了基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法，包括硅片预清洗处理、臭氧氧化处理、制绒碱液预制‌、动态腐蚀、绒面形成机理、氢离子注入与键合、退火气泡剥离、混酸刻蚀优化和提拉脱水和烘干；通过以上检...
    2025-12-04
  • 激光切割方法及切割结构
    激光切割方法及切割结构_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410555600.8
    本发明提供一种激光切割方法及切割结构，激光切割方法包括：提供待切割基底，待切割基底定义有切割道区域，切割道区域具有相对的第一侧区和第二侧区；通过激光处理在切割道区域的第一侧区和第二侧区分别形成第一槽部和第二槽部，第一槽部和第二槽部之间至少有...
    2025-12-04
  • 半导体器件的制造方法及制造系统
    半导体器件的制造方法及制造系统_浙江芯微泰克半导体有限公司_202511444971.X
    本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及制造系统。制造系统包括激光发射装置、光采集装置以及控制器。激光发射装置用于采用目标激光束在衬底上的金属层上形成扫描光斑，以刻蚀金属层。光采集装置用于按照预设采集频率，采集扫描光斑处的金属层被等离子化...
    2025-12-04
  • 氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件
    氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件_中国科学技术大学_202511450362.5
    本发明涉及半导体制作技术领域中的氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件。所述方法属于一种减少氧化镓表面缺陷密度的方法，其通过采用氩离子、或氮离子、或氦离子处理氧化镓表面，达到重构氧化镓表面的效果，接着进行低温氧气氛围退火(氧气流...
    2025-12-04
  • 电路的修补及检测方法
    电路的修补及检测方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063907.7
    本申请公开了一种电路的修补及检测方法，包括：提供一电路；电路包括上层区域和目标区域；暴露目标区域；对目标区域的待修补区域进行电路修补；对目标区域进行隔离露出至少两个待检测区域；在待检测区域上形成待测点；去除目标区域中的金属杂质；使用纳米探针...
    2025-12-04
  • 面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法
    面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法_西安电子科技大学_202511043527.7
    本发明公开了一种面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法，包括：在氮化镓晶圆的第二表面划分第一阵列化区域；在处理后的氮化镓晶圆的第二表面淀积中间材料形成第一膜层；在第二载片的第一表面划分第二阵列化区域，在第二阵列化区域制备金刚石形成...
    2025-12-04
  • 纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法
    纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510904104.3
    本申请公开了纳米压印光刻掩模以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成抗蚀剂层；以及使抗蚀剂层与掩模接触。该掩模包括：器件区，包括在第一水平处的器件图案；重叠区，围绕器件区并且具有在第二水平处的光吸收材料；以及外...
    2025-12-04
  • 存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具
    存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具_北京超弦存储器研究院_202410551790.6
    本申请提供了一种存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具。该存储器的制造方法包括：在衬底上依次形成堆叠层、第一停止层、掩模层、第二停止层和包含n个分区结构的光刻胶结构；在第i刻蚀区域的第二停止层，刻蚀出与第i分区结构的第一通孔对齐的第二通孔...
    2025-12-04
  • 一种晶圆清洗及干燥方法
    一种晶圆清洗及干燥方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511211933.X
    本发明提供了一种晶圆清洗及干燥方法，将待清洗晶圆放入清洗设备的腔室内，设置有喷头的摆臂置于所述待清洗晶圆上方；所述喷头上设置有三个喷嘴，依次为两端的第一喷嘴、第三喷嘴以及中间的第二喷嘴；所述第一喷嘴喷洒异丙醇溶液与氮气的混合流体，所述第二喷...
    2025-12-04
  • 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件
    一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202511144106.3
    本申请公开了一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法，所述半导体器件包括半导体层以及位于半导体层第一表面的第一导电通道和第二导电通道，在半导体层的第二表面形成牺牲金属层，所述牺牲金属层的金属活动性...
    2025-12-04
  • 先进制程节点下晶背研磨清洗的方法
    先进制程节点下晶背研磨清洗的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066169.1
    本申请提供一种先进制程节点下晶背研磨清洗的方法，包括：步骤一，对晶背进行抛光处理，改善晶背表面平整度；步骤二，对晶背进行清洗处理，去除晶背表面颗粒缺陷。除去晶背表面颗粒的同时使晶背表面达到一定平整度，避免后续对晶圆进行光刻处理时Focus ...
    2025-12-04
  • 半导体芯片清洗的方法
    半导体芯片清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548821.2
    本发明提供一种使用不超过40度制程水，能温和而有效地去除污垢，同时减少热应力对芯片的损害和化学反应的风险，并有效降低能源消耗及成本的半导体芯片清洗的方法，包括：步骤一：放置待喷洗物，所述待喷洗物至少包括有一基板及多个间隔排列设置的芯片；以及...
    2025-12-04
  • 半导体芯片倾斜清洗的方法
    半导体芯片倾斜清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548805.3
    本发明提供一种半导体芯片倾斜清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：治具朝向输送带输送方向的一侧往下倾斜；步骤二：至少两喷头分别对准清洁区域内芯片的间隙；步骤三：喷头沿着芯片的排列方向，对间隙进行清洗；步骤四：清洗完后，若无邻近清洁区域，则结束...
    2025-12-04
  • 半导体芯片指向式清洗的方法
    半导体芯片指向式清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548798.7
    本发明提供一种能够深入芯片间的每个间隙进行彻底清洁，从而提高清洁效果与效率，同时缩短清洁时间的半导体芯片指向式清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：设定至少两喷头分别对准于清洁区域内芯片的间隙；步骤二：前述喷头沿着前述芯片的排列方向，同步移动...
    2025-12-04
  • 清洗半导体芯片间隙的方法
    清洗半导体芯片间隙的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548781.1
    本发明提供一种能够深入芯片间的每个间隙进行彻底清洁，从而提高清洁效果与效率，同时缩短清洁时间的清洗半导体芯片间隙的方法，用于对以助焊剂固定在基板上，经切割后于外围四周形成边缘路径，且于内形成棋盘状的间隔路径的多个芯片的间隙，其包括下列步骤：...
    2025-12-04
  • 一种长寿命高压放电灯
    一种长寿命高压放电灯_江苏载曜光电科技有限公司_202511110897.8
    本发明公开了一种长寿命高压放电灯，包括高压放电灯本体和可拆卸辅助灯本体，高压放电灯本体包含放电灯发光单元和波纹结构金属箔供电单元，金属箔表面涂覆铂/银基抗氧化涂层，缓解热应力并延长寿命；辅助灯本体内设多层介质反射膜及抛物面反射面，结合微棱镜...
    2025-12-04
  • 质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪
    质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪_上海航天裕达科技有限公司_202510825979.4
    本发明提供了一种质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪，包括：金属电极、陶瓷板和PCB板；所述陶瓷板连接在所述PCB板的表面；其中，所述陶瓷板和所述PCB板上对应开设有DIP焊盘；所述金属电极穿过在所述陶瓷板和所述PCB板的DIP焊盘，并焊...
    2025-12-04
  • 一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法
    一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法_上海爱柯锐科技有限公司_202510997978.8
    本发明公开了一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法，该方法在四极杆碰撞池内建立恒定的轴向电势差，形成从入口到出口的连续电位梯度；样品经电离和质量选择后，特定质荷比的初级离子进入碰撞池，与碰撞气体发生碰撞诱导解离产生产物离子，产物离子在...
    2025-12-04
  • 一种用于ICP-MS的进样装置
    一种用于ICP-MS的进样装置_四川国检检测有限责任公司_202511430833.6
    本发明公开了仪器分析技术领域的一种用于ICP‑MS的进样装置，包括进液机构和雾化机构；进液机构用于将液体样品输入至雾化机构，雾化机构包括同心雾化器和雾化室，同心雾化器与雾化室连通，雾化室连通有废液桶和ICP炬管；同心雾化器与雾化室连通路径上...
    2025-12-04
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