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最新专利技术
  • 一种光伏组件小块长条放置设备及方法
    一种光伏组件小块长条放置设备及方法_苏州晟成光伏设备有限公司_202511439061.2
    本发明公开了一种光伏组件小块长条放置设备及方法，其包括输送线，输送光伏组件至操作工位；长条放置单元，设置有两组分别位于操作工位X向两侧，且包括供应长条至第一接料平台上的长条供料机构、从第一接料平台上吸取长条放置到光伏组件上的长条搬运机构以及...
    2025-12-03
  • 基片转移装置及转移方法
    基片转移装置及转移方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511417180.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基片转移装置及转移方法，所述基片转移装置，包括储料台、承台和转运台；所述储料台上具有多个第一储料槽，所述承台设置有多个第二储料槽；所述基片转移装置被配置为：所述储料台运动与所述转运台接触，并被所述转运台定...
    2025-12-03
  • 一种单晶改良掺杂物料智能运输方法
    一种单晶改良掺杂物料智能运输方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202510959793.8
    本发明公开了一种单晶改良掺杂物料智能运输方法，其特征在于，包括：在智能传感器节点中集成视觉传感器、声音传感器、振动传感器，以进行数据的多模态采集，得到多模态数据；利用数据融合算法，将所述多模态数据融合为统一的数据集；基于循环神经网络对所述多...
    2025-12-03
  • 一种用于立式炉的晶圆搬运装置
    一种用于立式炉的晶圆搬运装置_上海大族富创得科技股份有限公司_202510252874.4
    本申请提供了一种用于立式炉的晶圆搬运装置，属于晶圆搬运技术领域。针对现有的晶圆搬运装置存在的搬运效率较低的问题，本申请提供了一种用于立式炉的晶圆搬运装置，包括依次相接的开盒平台、第一搬运机构、中转平台和第二搬运机构。通过开盒平台实现对晶圆盒...
    2025-12-03
  • 转移装置和承载托架
    转移装置和承载托架_北京北方华创微电子装备有限公司_202410558842.2
    本申请提供一种转移装置和承载托架，转移装置包括夹持机构，夹持机构包括在第一水平方向上相对设置的两个夹持臂，每个夹持臂沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸设置，且能够在夹持位置和非夹持位置之间切换；夹持臂设置有沿第二水平方向间隔排布的多个夹...
    2025-12-03
  • 一种仪表芯片加工用刻蚀装置
    一种仪表芯片加工用刻蚀装置_启东惜时智能科技有限公司_202511437433.8
    本发明公开了一种仪表芯片加工用刻蚀装置，包括壳体，所述壳体上固定设置有顶板，所述顶板通过两个撑杆与壳体的上壁相连接，所述顶板上固定设置有电机，所述电机的输出端固定连接设置有转杆，所述转杆转动贯穿顶板设置，所述壳体上设有上端开口的空腔，所述转...
    2025-12-03
  • 一种COF封装基材化学活化处理装置
    一种COF封装基材化学活化处理装置_江苏上达半导体有限公司_202511411452.3
    本发明公开的一种COF封装基材化学活化处理装置，属于柔性基材处理技术领域，包括用于活化的活化箱，所述活化箱侧壁安装有用于支撑和固定的第一支撑板，所述第一支撑板上安装有抬升组件，所述抬升组件下端安装有调控驱动组件，所述调控驱动组件上端活动安装...
    2025-12-03
  • 一种具有装载口门闸的回流焊设备
    一种具有装载口门闸的回流焊设备_江苏峰博装备技术有限公司_202511328881.4
    本发明公开了一种具有装载口门闸的回流焊设备，涉及回流焊技术设备领域，包括腔体底板，腔体底板的顶端开设有若干圆形安装孔，腔体底板的一侧设置有装载口门闸机构，装载口门闸机构一侧的顶端设置有过渡型腔机构，且靠近装载口门闸机构的圆形安装孔底端设置有...
    2025-12-03
  • 一种化学液浸泡单片清洗装置
    一种化学液浸泡单片清洗装置_盐城工学院_202511211574.8
    本发明涉及单片清洗装置技术领域，且公开了一种化学液浸泡单片清洗装置，包括设备主机，所述设备主机的外部设有沥水传送模组，所述设备主机的顶部开设有浸泡池，所述设备主机的顶部固定安装有固定壳，所述固定壳的顶部固定安装有电机一。通过启动电机四，使得...
    2025-12-03
  • 一种提高快速热处理工艺稳定性的结构
    一种提高快速热处理工艺稳定性的结构_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511137140.8
    本发明公开一种提高快速热处理工艺稳定性的结构，属于半导体工艺设备技术领域，快速热处理设备中包括边缘环和支撑环，边缘环平放在支撑环上；边缘环在中部具有用于放置晶圆的放置槽，边缘环在外侧具有向下延伸的外环结构，边缘环在外环结构与放置槽之间还设置...
    2025-12-03
  • 一种用于铜片瓷片烧结的上料设备
    一种用于铜片瓷片烧结的上料设备_浙江轩田智能科技有限公司_202511125487.0
    本发明公开了一种用于铜片瓷片烧结的上料设备，用于生产由铜片和瓷片烧结形成的基板，铜片和瓷片在烧结时放置于治具上，上料设备包括烧结炉、设于烧结炉输入端的上料机台、设于烧结炉输出端的下料检测机台以及连接于上料机台与下料检测机台之间的回流输送线；...
    2025-12-03
  • 一种集成电路扩膜装置及集成电路扩膜方法
    一种集成电路扩膜装置及集成电路扩膜方法_扬州睿迈科技有限公司_202511100274.2
    本发明公开了一种集成电路扩膜装置及集成电路扩膜方法，属于集成电路制造技术领域，包括机体，第一气缸的下侧设有包边部件，包边部件包括设置在按压盘外表面的电动导轨，电动导轨的内部滑动连接有导块，导块的下侧固定连接有裁剪刀具，导块的右侧固定连接有固...
    2025-12-03
  • 四振动盘及四漏斗料仓上料固晶机
    四振动盘及四漏斗料仓上料固晶机_佑光智能半导体科技(深圳)有限公司_202511087561.4
    本发明涉及半导体封装设备技术领域，公开了四振动盘及四漏斗料仓上料固晶机，包括机体和四个振动盘，所述机体的台面设置有四个XY轴手动移动台，所述XY轴手动移动台的移动板上固定连接有承载台，四个所述振动盘分别安装在四个所述承载台的顶部，每相邻的两...
    2025-12-03
  • 一种高压腔体组件
    一种高压腔体组件_深圳市凯尔迪光电科技有限公司_202511084159.0
    本发明提供了一种高压腔体组件，其包含一基座；一下腔体，其包含一底盘及一支撑台，底盘具有一下环壁面，下环壁面凸设有复数下齿部，下腔体设置于基座的该顶面，支撑台凸设于底盘上；一上腔体，其包含一顶盖及一腔壁，腔壁环绕凸设于顶盖的一侧面，腔壁具有一...
    2025-12-03
  • 静电吸附盘的温度控制系统以及温度控制性能的改善方法
    静电吸附盘的温度控制系统以及温度控制性能的改善方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066049.1
    本发明提供一种静电吸附盘的温度控制系统以及温度控制性能的改善方法。该系统在静电吸附盘内部设置一温控层，所述温控层包括石墨吸热层和石墨烯导热层；系统还包括激光发生器及控制器。工作时，激光发生器发射加热激光至石墨吸热层，使其高效吸收能量产生热量...
    2025-12-03
  • 一种用于翘曲晶圆的压平装置及方法
    一种用于翘曲晶圆的压平装置及方法_华天科技(江苏)有限公司_202511039330.6
    本发明公开一种用于翘曲晶圆的压平装置及方法，该装置包括压环主体，其内环尺寸大于晶圆有效作业区域，压环主体底部内缘为压边区，用于接触晶圆边缘非有效区域，压环主体上、压边区外侧区域为避空区，其下表面与晶圆表面保持非接触间隙。本发明通过压边区和避...
    2025-12-03
  • 工艺控制方法、装置、计算机设备和存储介质
    工艺控制方法、装置、计算机设备和存储介质_北京北方华创微电子装备有限公司_202511038088.0
    本公开提供一种工艺控制方法、装置、计算机设备和存储介质，属于半导体制备技术领域。本公开的工艺控制方法包括获取控制任务，并确定控制任务下的各个待运行任务分别对应的目标配置信息；目标配置信息包括至少一个工艺腔室、每个工艺腔室对应的填充晶圆的运行...
    2025-12-03
  • 基片处理装置
    基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202511022948.1
    本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜...
    2025-12-03
  • 芯片批量作业方法、系统、计算机设备和存储介质
    芯片批量作业方法、系统、计算机设备和存储介质_珠海格力电子元器件有限公司_202510989451.0
    本申请涉及一种芯片批量作业方法、系统、计算机设备和存储介质。所述方法包括：在芯片生产过程中由制造执行系统下发芯片作业任务，基于芯片作业任务控制下货组件将多批载具依次下货至指定的芯片作业机台，芯片作业机台会上传每批载具对应的载具检测数据，对接...
    2025-12-03
  • 用于半导体处理系统的喷淋头装置
    用于半导体处理系统的喷淋头装置_ASMIP控股有限公司_202510955657.1
    为了在整个晶片上形成副产物的恒定分压以及气体分子的恒定停留时间，可以使用双喷淋头反应器。双喷淋头结构可以针对蚀刻剂以及所述副产物实现空间上均匀的分压、停留时间和温度，由此在整个所述晶片上产生均匀蚀刻速率。系统可以包含对所述反应器进行差动泵送...
    2025-12-03
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