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最新专利技术
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411190072.7
    本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括：外围电路；位于外围电路上的第一栅极结构；位于与第一栅极结构对应的层级处的第一层叠；位于第一栅极结构上的源极接合结构；位于第一层叠上的第一接触接合结构；穿过第一栅极结构延伸到源...
    2025-11-23
  • 存储装置及其制作方法、存储器、电子设备
    存储装置及其制作方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410567399.5
    本申请提供一种存储装置及其制作方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，能够缩短信号的传输距离。该存储装置包括键合的存储阵列芯片和逻辑芯片。逻辑芯片中包括：设置在第一衬底正面的第一晶体管和第一金属走线，以及设置在第一衬底背面的供电网络。第...
    2025-11-23
  • 氧化铪铁电存储器的制备方法
    氧化铪铁电存储器的制备方法_中国科学院微电子研究所_202511190134.9
    本公开提出了一种氧化铪铁电存储器的制备方法，该制备方法包括首先在衬底上沉积导电材料作为下电极层；再在含有氧气的保护氛围中，通过采用含有铪元素的靶材，进行磁控溅射，在所述下电极层表面形成铁电层，其中，氧气通量为0‑10sccm；再在所述铁电层...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件及其制作方法、电子设备
    一种半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410551642.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成若干阵列排布的半导体柱，半导体柱包括沿垂直于衬底方向依次分布的第一电极区、沟道区和第二电极区，第一电极区靠近衬底；在半导体柱的侧壁...
    2025-11-23
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510040610.2
    根据一些示例实施例的半导体存储器装置可包括：源极板，包括半导体材料；模制结构，在源极板的底表面上，模制结构包括在第一方向上彼此交替堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘层，第一方向与源极板的底表面垂直，所述多个栅电极和所述多个模制绝缘层中的每个在第...
    2025-11-23
  • NORD闪存的工艺制造方法
    NORD闪存的工艺制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969565.9
    本发明公开了一种NORD闪存的工艺制造方法，旨在简化工艺流程并降低成本。该方法包括：在衬底上依次形成浮置栅层、栅间介质层、控制栅层和硬掩模层，并图案化硬掩模层；以硬掩模为掩模，合并刻蚀闪存及外围区域的控制栅层、栅间介质层和浮置栅层；通过共同...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410585298.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括多层沿垂直于衬底的方向堆叠的存储单元；所述存储单元包括：晶体管；所述晶体管包括：沿垂直衬底方向延伸的栅极，环绕所述栅极的侧壁的半导体层，环绕所述半导体层的侧壁且与所述半...
    2025-11-23
  • 闪存器件及其制备方法
    闪存器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511052838.X
    本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，对传统的位线及字线多晶硅刻蚀的掩膜版版图进行更改，只打开存储区和引出区的位线多晶硅，不打开引出区的字线多晶硅，同时采用无选择比等离子体刻蚀工艺刻蚀存储区以及引出区的部分厚度的位线多晶硅以...
    2025-11-23
  • 自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法
    自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511049709.5
    本发明提供一种自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法。该结构包括：浮栅、用作控制栅并环绕所述浮栅的控制栅多晶硅侧墙、以及设置在所述控制栅多晶硅侧墙顶面上的金属硅化物层。其制造方法包括：形成所述控制栅多晶硅侧墙，并利用其作为掩模对所述浮栅进行...
    2025-11-23
  • 具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元
    具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元_意法半导体国际公司_202510526165.0
    本公开涉及具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元。一种用于基于浮动栅极晶体管实现非易失性存储器单元的成本有效的技术方案，该浮动栅极晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区和场区的浮动栅极：单个多晶硅浮动栅极NVM位单元。使用常存在...
    2025-11-23
  • NORD型闪存存储器的制造方法
    NORD型闪存存储器的制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511188232.9
    本发明提供一种NORD型闪存存储器的制造方法，该方法包括：形成控制栅结构和浮置栅结构；沉积并平坦化字线导电层；对所述字线导电层执行回刻处理，使其顶面高度低于所述控制栅结构的顶面高度；利用该高度差，在形成介质侧墙时使所述控制栅结构的顶表面保持...
    2025-11-23
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969573.3
    本申请提供一种半导体器件的制备方法，本申请首先在第一子沟槽和第二子沟槽中形成第一介质层，然后回刻蚀部分第一介质层，可以对第二子沟槽侧壁附近的空间进行填补和修饰，使得第二子沟槽的横向开口尺寸小于或者等于第一子沟槽的横向开口尺寸，从而消除沟槽中...
    2025-11-23
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511090249.0
    一种存储器包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构捍卫于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铝工艺的底部阻挡层、由氧化铝工艺且位于底部阻挡层上方的顶部阻挡层，以及由多个介电层和至少一插入层...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511083368.3
    半导体结构包括基板和字元线结构。基板具有沟槽。字线结构位于基板中。字元线结构包括第一间隔物、字元线导电层、阻挡层和第二间隔物。第一间隔物设置在沟槽的侧壁。字元线导电层填充在沟槽的底部。阻挡层设置在第一间隔物和字元线导电层之间。第二间隔物设置...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511072572.5
    本发明提供了一种半导体器件，其位于半导体衬底上的层间介质层包括多条第一线条、多条第二线条以及不对称锯齿状边缘，所述第一线条与第二线条垂直相交且部分重叠，通过该层间截止层来限定和隔离接触插塞的形成位置，可以使得不对称锯齿状边缘以内的接触插塞均...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510474156.1
    一种半导体装置包括：基底和外围电路区域；以及单元阵列区域，在距基底的与外围电路区域距基底的距离不同的距离处，并且通过接合垫电连接到外围电路区域，其中，单元阵列区域包括：模制结构，在第一水平方向上延伸；有源半导体层，在模制结构的侧壁上，并且包...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510069513.6
    提供了一种半导体器件，包括：衬底上在源极区域和漏极区域之间的栅极沟槽；第一栅极绝缘层，覆盖栅极沟槽的下表面和侧壁；栅极沟槽中与第一栅极绝缘层的侧壁的上部区域接触的第二绝缘层；以及栅极沟槽中的栅电极，栅电极包括栅极沟槽的下部区域中与第一栅极绝...
    2025-11-23
  • 三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备
    三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410588238.4
    本申请实施例提供一种三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备，该三维存储器包括：衬底、多个存储层、隔离层和多条位线，其中，存储层和隔离层沿着与衬底垂直的方向交替堆叠，每个存储层包括多个存储单元和多条字线，多个存储单元呈阵列排布，多条字线均...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410585699.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大半导体结构中的气隙结构沿第一方向的尺寸，保证气隙结构对相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值的降低效果，使得相邻的两个导电结构之间的寄生电容的...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410568978.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，制作方法包括：提供衬底，在衬底上交替形成绝缘层和牺牲层；形成电容孔，基于电容孔横向刻蚀牺牲层形成第一横向孔；于第一横向孔中形成第一电极；于电容孔中形成覆盖第一电极的介电层和第二电极以形成电容器...
    2025-11-23
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