Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法
    一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法_麻省光子技术(香港)有限公司_202511096259.5
    本发明涉及一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法，该基于单场板的HEMT功率器件包括：衬底；外延层；源极欧姆接触电极；漏极欧姆接触电极；绝缘层或先栅层；栅极钝化层；栅极开口，贯穿栅极钝化层达到绝缘层或先栅层；栅极场板，设置在栅极钝化层上...
    2025-11-23
  • 具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法
    具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510859050.3
    本公开公开了一种具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括半导体层和膜叠层；膜叠层位于半导体层的一面，膜叠层背向半导体层的一面具有孔槽，孔槽的槽壁包括依次相连的第一侧壁、台阶壁和第二侧壁，第二侧壁相较于第一...
    2025-11-23
  • 具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件
    具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件_湖州闪芯微电子科技有限公司_202510716194.3
    本申请涉及半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件，其包括栅压管理器和主功率晶体管。通过实施本发明在半导体上，所述栅压管理器能够调节外部驱动信号对所述主功率晶体管栅极施加的电压，以避免所述主功率晶体管栅极过...
    2025-11-23
  • 高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法
    高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法_住友电气工业株式会社_202510537504.5
    本公开提供能降低栅极泄漏的高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法。高电子迁移率晶体管具有：基板；半导体层叠体，设于所述基板之上；以及栅电极，与所述半导体层叠体肖特基接触，所述栅电极具有：第一金属层，与所述半导体层叠体直接接触；以...
    2025-11-23
  • 一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法
    一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法_深圳技术大学_202511092213.6
    本发明公开了一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法，该制备方法将二氧化碲生长源和硅片衬底分别装入两个石英舟后置于石英管内，对石英管加热并通入预设气体以制备得到覆盖碲晶体的硅片衬底，通过激光直写光刻及蒸镀工艺在碲晶体两侧分别制备两个金属...
    2025-11-23
  • 高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管
    高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511084810.4
    本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管，其中方法包括：提供外延片，外延片包括衬底、沟道层、势垒层、钝化支撑层和栅极材料层；去除部分栅极材料层，形成栅极层，钝化支撑层经由栅极材料层的被去除的部分而暴露；在被暴露的...
    2025-11-23
  • 具有超低栅极电荷的SGT MOSFET及其制备方法
    具有超低栅极电荷的SGT MOSFET及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511083173.9
    本发明公开了一种具有超低栅极电荷的SGT MOSFET及其制备方法，制备方法包括：选取N型衬底，在N型衬底的上表面生长外延层；刻蚀形成延伸至外延层内部的深沟槽结构；在深沟槽结构内形成场板氧化层并在场板氧化层内形成场板氧化层沟槽；在场板氧化层...
    2025-11-23
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511065505.0
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：提供SOI；在顶层硅内形成邻接的有源区和浅沟槽隔离结构；在部分有源区的表面形成栅极以及在栅极的两侧的有源区内分别形成源端和漏端；在栅极的表面形成第一介质层以及位于第一介质层内的连接结构和电荷释放结...
    2025-11-23
  • 功率器件的制备方法
    功率器件的制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511050295.8
    本申请提供一种功率器件的制备方法，在后道工艺流程的在层间介质层表面以及通孔侧壁和底壁上形成阻挡层之后，在400℃～440℃的环境下形成金属层，随后将形成金属层之后的半导体结构转移至冷却工艺腔室的冷却工作台上，将形成金属层之后的半导体结构从第...
    2025-11-23
  • 基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法
    基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511004608.6
    本发明公开了一种基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法，包括：在衬底表面上形成GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，在GaN沟道层和AlN插入层之间形成有二维电子气沟道；沉积SiN掩膜层并定义源漏...
    2025-11-23
  • 用于制造多栅极器件的方法、以及多栅极器件结构
    用于制造多栅极器件的方法、以及多栅极器件结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996403.4
    本文公开了使用伪氧化物中介层制造多栅极晶体管的方法。示例性方法包括形成多层堆叠件，多层堆叠件包括第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件。通过去除源极/漏极区域中的第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件的部分来形成源极/漏极凹槽，以及在源极/...
    2025-11-23
  • 用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构
    用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510987524.2
    本公开的方法包括：形成包括由牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件以形成鳍状结构；在鳍状结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；使鳍状结构的源极/漏极区域凹陷以形成沟槽；去除沟道区域中的牺牲层以释放作为沟道构件的沟道层；形成填充沟道构件之间的...
    2025-11-23
  • 半导体装置的制法及其制品
    半导体装置的制法及其制品_阙郁伦_202510231232.6
    一种半导体装置，包括一半导体基板单元、一层形成在该半导体基板单元上并由一过渡金属二硫族化物所构成的二维材料层、两个单晶体，及两金属电极层。所述单晶体间隔地位在该二维材料层之上。各个单晶体是由一第一金属材料所构成或是一由该第一金属材料与一第二...
    2025-11-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410566223.8
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于部分所述基底上的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极位于部分所述鳍部侧壁和顶部表面，所述伪栅极包括主体区和转角区，所述主体区的侧壁表面垂直于所述鳍部的侧壁表面，所述转角区...
    2025-11-23
  • IGBT器件的制备方法
    IGBT器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511050329.3
    本申请公开了一种IGBT器件的制备方法，包括：衬底、层间介质层、金属阻挡层和金属层、第一钝化层、和第二钝化层，以及合金处理衬底及半导体器件区域。本申请通过在光刻刻蚀后的合金化处理释放半导体器件内部的应力，解决了相关技术中无硼磷硅玻璃的IGB...
    2025-11-23
  • 超结绝缘栅双极型晶体管
    超结绝缘栅双极型晶体管_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511122752.X
    本申请实施例提供一种超结绝缘栅双极型晶体管。该晶体管包括位于中心的元胞区，以及位于元胞区外围的终端区，终端区对应的外延区中形成有并列排布的多组柱区，柱区的导电类型与外延区的导电类型相反，柱区沿外延区的厚度方向延伸，各组内各柱区的延伸深度一致...
    2025-11-23
  • 一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法
    一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法_电子科技大学重庆微电子产业技术研究院_202511106797.8
    本发明涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法，所述具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件包括：重掺杂区域P区、场阻止区、N漂移区、N+发射极区、Pbody区、CS区、JFET区、F...
    2025-11-23
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_株式会社村田制作所_202510579986.0
    本发明提供可提高集电极电流的电流密度的、集电极台面内的面内的均匀性的半导体装置和半导体装置的制造方法。在含有第1导电型的化合物半导体的发射极层的朝向第1方向的表面配置有基极层，该基极层含有与第1导电型相反的第2导电型的化合物半导体，与发射极...
    2025-11-23
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_株式会社村田制作所_202510579985.6
    本发明提供能抑制基极电阻上升且不与发射极台面交叉地将基极电极与周围布线连接的半导体装置及其制造方法。在含有第1导电型化合物半导体的集电极层的朝向第1方向的表面配置含有与第1导电型相反的第2导电型化合物半导体的基极层。在基极层的朝向第1方向的...
    2025-11-23
  • 改善SEG内外基区连接及填充的方法
    改善SEG内外基区连接及填充的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510956916.2
    本申请公开了一种改善SEG内外基区连接及填充的方法，包括提供一晶圆衬底；在晶圆衬底表面形成外延站点区域，外延站点区域包括外基区和内基区，外基区与内基区均开设有开口，外基区与内基区的开口连通呈倒“T”字型；形成外延层填充内基区，外延层形成过程...
    2025-11-23
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证