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最新专利技术
  • 金属硅化物的制备方法
    金属硅化物的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511064332.0
    本发明提供一种金属硅化物的制备方法，在已形成源极/漏极区的衬底上，依次沉积第一介质层和第二介质层；形成光刻胶图案，光刻胶图案覆盖衬底的预定非硅化物形成区域，并暴露出预定硅化物形成区域；蚀刻去除预定硅化物形成区域的第二介质层；对预定硅化物形成...
    2025-11-23
  • 修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法
    修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法_上海叠铖光电科技有限公司_202410552679.9
    本发明公开了修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法；图像传感器芯片包括P型半导体和N型半导体形成的PN结，在光谱改性过程中所述PN结的外露表面出现损伤，出现游离的电子和空穴，形成漏电流，修复步骤如下：步骤1、在外露表面出现损伤的部位...
    2025-11-23
  • 改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构
    改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202510970578.8
    本申请提供一种改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构，通过以图案化的光刻胶层为掩膜，对像素区进行离子注入工艺，以在像素区中形成隔离区，其中，图案化的光刻胶层的图形包括：网格型开口图形、多个I型开口图形以及四个V型开口图形，网格型开...
    2025-11-23
  • 基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法
    基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法_西安电子科技大学_202511070157.6
    本发明公开了一种基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法。该紫外光电探测器包括依次层叠设置的硅衬底、铁电层、二氧化硅缓冲层、金电极层和二维材料层；二氧化硅缓冲层具有连接孔，连接孔暴露铁电层；金电极层包括位于连接孔两侧且互不连接的第...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511254783.0
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：多个电池串，多个电池串沿第一方向和第二方向间隔排布，沿第一方向排布的电池串相互串联，沿第二方向间隔排布的电池串相互并联，每个电池串包括串联的多个太阳能电池片；汇流装置，汇流装置用于串联或者并...
    2025-11-23
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510283550.7
    本申请公开了一种太阳电池及光伏组件，太阳电池应用于光伏组件，光伏组件包括多个太阳电池，太阳电池包括太阳电池半成品和电极结构，电极结构包括多条副栅、焊盘组以及鱼叉，多条副栅沿第一方向间隔设置，每一条副栅沿第二方向延伸设置。焊盘组包括沿第一方向...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件及光伏组件的制备方法
    一种光伏组件及光伏组件的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511475669.0
    本申请涉及光伏组件技术领域，特别是涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法。该光伏组件包括层压部件，层压部件从上至下依次包括正面玻璃、正面封装胶膜、电池组、背面封装胶膜和背面玻璃，电池组由多个电池片串联而成，并通过汇流条进行汇流；在汇流条于层压...
    2025-11-23
  • 一种可变色光伏器件及其制备方法
    一种可变色光伏器件及其制备方法_河南城建学院_202511085042.4
    本发明属于薄膜光电器件技术领域，具体公开一种可变色光伏器件及其制备方法，光伏器件包括位于玻璃基底上下表面的光伏电池部分和电致变色部分；光伏电池部分包括在玻璃基底上自下而上依次沉积的金属背电极层、光吸收层、前电极缓冲层、透明导电前电极层、透光...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410569776.9
    本发明提供了一种光伏组件及其制备方法，涉及光伏组件领域，光伏组件的制备方法包括：获取电池片，并将电池片按预设间隔排列于工作台上后，将锡焊膏印刷至电池片上，以在电池片上形成多个焊接位，获取表面设置有绝缘层的铜带，并将铜带排列于电池片上，以使绝...
    2025-11-23
  • 一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用
    一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用_中能创光电科技(常州)有限公司_202511433795.X
    本发明公开了一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用，属于光伏组件技术领域，本发明通过在镀锡铜带表面沉积p型半导体和横截面形状呈现L形n型半导体，形成p‑n结，光照下内建电场分离光生载流子，并通过设置激光划线与掩膜分层实...
    2025-11-23
  • 一种透光的薄膜光伏组件及制造方法
    一种透光的薄膜光伏组件及制造方法_广东明阳薄膜科技有限公司_202511191241.3
    本发明公开了一种透光的薄膜光伏组件及制造方法，一种透光的薄膜光伏组件包括玻璃基板，玻璃基板的表面设置有多个间隔布置的薄膜电池膜层区，相邻的两个薄膜电池膜层区之间设置有透光区；每个薄膜电池膜层区设置有薄膜光伏电池组件，薄膜光伏电池组件具有多个...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511445450.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，该光伏组件包括：间隔排布的多个电池片、覆盖电池片的封装层、光导向层和盖板，光导向层位于电池片的入光侧的封装层和盖板之间；光导向层至少包括：第一导光结构，对应于电池片的间隔设置，包括至少一个第一棱镜...
    2025-11-23
  • 一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法
    一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511132691.5
    本发明提供一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法，电池背面依次包括基板、复合背钝化层、交错排列于电池背面的P型电极和N型电极；所述复合背钝化层为SiO2/Al2O3双层钝化层；所述复合背钝化层上刻蚀形成接触窗口，并在接触窗口区域形成P型掺杂...
    2025-11-23
  • 第三类半导体封装结构
    第三类半导体封装结构_义隆电子股份有限公司_202510915821.6
    本发明公开一种第三类半导体封装结构，包括一第一导电界面、一第二导电界面、一第三类半导体功率元件以及一静电放电保护元件。该第三类半导体功率元件具有一闸极端及一源极端，其中该闸极端电性连接该第一导电界面，该源极端电性连接该第二导电界面。该静电放...
    2025-11-23
  • 静电放电保护器件
    静电放电保护器件_瑞萨设计(英国)有限公司_202411138074.1
    本申请涉及一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD保护器件包括：N型阱层，其具有耦合到阳极端子的第一正N型扩散区；P型阱层，其具有耦合到阴极端子的第二正N型扩散区；衬底层；N型埋层，其设置在P型阱层和衬底层之间；以及介电层，其耦合到栅极端子...
    2025-11-23
  • ECO基础单元和ECO逻辑单元
    ECO基础单元和ECO逻辑单元_广州增芯科技有限公司_202511103094.X
    本申请提供一种ECO基础单元和ECO逻辑单元，ECO基础单元包括：第一有源区和第二有源区，第一多晶条，第一多晶条位于第一有源区和第二有源区的上方，横跨第一有源区和第二有源区；第二多晶条，位于第一有源区和第二有源区的外侧，第二多晶条用于在多个...
    2025-11-23
  • 应用于半导体器件制作过程中的工艺方法
    应用于半导体器件制作过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049893.3
    本申请公开了一种应用于半导体器件制作过程中的工艺方法，包括：提供一SOI衬底，该SOI衬底包括硅衬底和形成于硅衬底中的绝缘层，绝缘层将硅衬底隔离为位于上方的顶层衬底和位于下方的底层衬底，顶层衬底上表面形成有栅介质层，栅介质层上形成有多晶硅栅...
    2025-11-23
  • 射频器件及其制备方法
    射频器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969391.6
    本申请提供一种射频器件及其制备方法，其中在制备方法中，提供第二基底结构，将第一基底结构所在的半导体结构倒置并键合在第二基底结构上，接着从底层硅背面，对底层硅进行减薄、去除并停止在中间绝缘层的背面。本申请利用第二基底结构作为射频器件新的基底，...
    2025-11-23
  • 改善射频器件分压均匀性的器件结构及其制造方法
    改善射频器件分压均匀性的器件结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510970579.2
    本发明提供一种改善射频器件分压均匀性的器件结构，包括SOI衬底；形成于SOI衬底上的多级串联射频开关器件；设置在每级分流测试结构与金属焊盘之间的金属连线路径中的到地公共电阻；到地公共电阻用于阻断射频信号泄露路径。本发明通过设置到地公共电阻显...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410557509.X
    提供了半导体结构和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体结构包括下半导体层、上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的绝缘层。第一区域中的上半导体层的第一厚度大于第二区域中的上半导体层的第二厚度。
    2025-11-23
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