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最新专利技术
  • 一种基于寡聚物电子受体的有机太阳电池活性层及其应用
    一种基于寡聚物电子受体的有机太阳电池活性层及其应用_杭州师范大学_202511091637.0
    本发明公开了一种基于寡聚物电子受体的有机太阳电池活性层及其应用，属于有机光伏电池技术领域，该基于寡聚物电子受体的有机太阳电池活性层包括一种聚合物电子给体材料以及两种电子受体材料，其中一种电子受体材料为A‑DA’D‑A型电子受体材料，另一种电...
    2025-11-22
  • 一种LED芯片、半导体发光器件及显示面板
    一种LED芯片、半导体发光器件及显示面板_泉州三安半导体科技有限公司_202510953869.6
    本发明提供LED芯片、半导体发光器件及显示面板，LED芯片在出光面一侧形成有反射结构，该反射结构包括依次堆叠的第一材料层和所述第二材料层，第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率，起始层为第一材料层；在所述反射结构中，80％以上的第二材...
    2025-11-22
  • 一种微显示芯片结构及制造方法
    一种微显示芯片结构及制造方法_昆山麦沄显示技术有限公司_202511081314.3
    本申请公开了一种微显示芯片结构及制造方法，该微显示芯片结构包括有机支撑衬底，以及依次设置在其表面之上的光转换层、环状光阻隔层、自发光单元等多层结构，各层通过窗口实现互联，还可增设光过滤层提升色纯度；其制造方法通过晶圆预处理、多层结构制备、键...
    2025-11-22
  • 发光基板及其制备方法和显示装置
    发光基板及其制备方法和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410576306.5
    本发明提供一种发光基板及其制备方法和显示装置。该发光基板包括基板，第一绝缘层和多个发光元件，位于基板的一侧；发光元件包括第一电极、发光层和第二电极，第一电极、发光层和第二电极依次远离基板叠置；第二电极至少覆盖发光层的背离基板的第一表面以及第...
    2025-11-22
  • 一种发光元件、发光二极管及显示装置
    一种发光元件、发光二极管及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202510953754.7
    本申请提供一种发光元件、发光二极管及显示装置，发光元件包括若干发光二极管、支撑架和透光绝缘层。发光二极管至少包括半导体外延叠层。支撑架处于发光二极管背光侧，支撑架包括有位于发光二极管侧向的支撑部，支撑部表面与发光二极管的出光侧表面齐平，发光...
    2025-11-22
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510587225.X
    提供了一种显示装置，所述显示装置包括：下基底；接合电极，设置在下基底上；以及发光元件，设置在接合电极上。接合电极包括：第一接合金属层和第二接合金属层，顺序地设置在下基底上，均包括接合金属；第三接合金属层，设置在第一接合金属层与第二接合金属层...
    2025-11-22
  • 发光元件、显示装置、制造显示装置的方法和电子装置
    发光元件、显示装置、制造显示装置的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510248619.2
    公开了发光元件、显示装置、制造显示装置的方法、以及电子装置。所述发光元件可以包括：第一发光单元，在第一像素区域中；第二发光单元，在所述第一像素区域中位于所述第一发光单元上；以及第三发光单元，位于在平面图中与所述第一像素区域隔开和/或分开(或...
    2025-11-22
  • 显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏
    显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏_成都辰显光电有限公司_202410580909.2
    本申请实施例提供的显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏，涉及显示技术领域。在显示面板中，导电层在非显示区形成用于对发光器件进行测试的测试引脚，在将发光器件转移到衬底上时，可以先通过位于非显示区的测试引脚对发光器件进行检测，在检测通过时再...
    2025-11-22
  • 显示面板的制作方法、显示组件、显示面板及显示设备
    显示面板的制作方法、显示组件、显示面板及显示设备_成都辰显光电有限公司_202410585351.7
    本发明属于显示技术领域，公开了一种显示面板的制作方法、显示组件、显示面板及显示设备，该显示面板的制作方法包括：提供第一基板，在第一基板上制备两个极性的公共电极，将LED转移到第一基板上，使LED的两个电极分别与对应的一个极性的公共电极电连接...
    2025-11-22
  • 一种Mini LED产品超声共晶的设备及固晶方法
    一种Mini LED产品超声共晶的设备及固晶方法_深圳市微组半导体科技有限公司_202511438734.2
    本发明提供一种Mini LED产品超声共晶的设备及固晶方法，涉及Mini LED固晶技术领域，包括：产品承载台、搬运装置、视觉定位装置、芯片供给装置和贴装超声共晶装置；其中，产品承载台用于承载待Mini LED产品；搬运装置用于将Mini ...
    2025-11-22
  • 电子元件的扩晶设备及方法
    电子元件的扩晶设备及方法_京东方科技集团股份有限公司_202411548591.6
    本申请公开了一种电子元件的扩晶设备及方法，属于自动化技术领域。扩晶设备，包括：固定台、移动台和升降机构。扩晶设备能够通过第二相机获取位于固定台上的多个电子元件的第二图像。扩晶设备只有在通过第二图像确定出多个电子元件所在区域在固定台的承载面上...
    2025-11-22
  • 发光二极管及发光二极管的制作方法
    发光二极管及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510891679.6
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构和电极焊盘；所述电极焊盘包括焊盘主体和锡球，所述焊盘主体位于所述外延结构上，所述锡球位于所述焊盘主体上，且所述锡球远离所述外延结构的一面为球面。电...
    2025-11-22
  • 提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法
    提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法_金华觉远创智科技有限公司_202511013731.4
    本发明涉及提升Micro‑LED光提取效率的结构及制造方法，包括由下至上依次设置的基础功能层、微透镜光学调控层和微纳二级结构，微透镜光学调控层与微纳二级结构构成核心光学功能单元；微透镜光学调控层为紧密排列的半球形微透镜阵列，微透镜底面为与基...
    2025-11-22
  • 一种LED封装结构及其制造方法
    一种LED封装结构及其制造方法_广东恒润光电有限公司_202511091873.2
    本发明公开了一种LED封装结构及其制造方法，LED封装结构包括支架、LED晶片，支架包括白胶结构件和间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘具有第一焊接区，第二焊盘具有第二焊接区，白胶结构件包括白胶框和白胶底板，白胶底板的周缘连接白胶框，白胶...
    2025-11-22
  • 发光装置及制作方法
    发光装置及制作方法_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202510849797.0
    本公开提供了一种发光装置及制作方法。发光装置包括：支架、发光二极管芯片和荧光片；支架包括：基板、线路层、第一玻璃层和第二玻璃层，第一玻璃层的热膨胀系数大于第二玻璃层的热膨胀系数，基板的热膨胀系数大于第一玻璃层的热膨胀系数；第一玻璃层位于基板...
    2025-11-22
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202510953835.7
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体叠层包括自上而下依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，半导体叠层内至少设置一个凹槽；部分第二半导体层下方设置透明导电层；未设置透明导电层的第二半导体层下方以及透明导电层下方设置...
    2025-11-22
  • 改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法
    改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510891594.8
    本公开提供了一种改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和DBR层，所述DBR层位于所述外延层的表面上，所述DBR层包括交替层叠的多个第一材料层和多个第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层...
    2025-11-22
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511033549.5
    本公开公开了发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、晶格优化层与透明导电层；所述透明导电层为金属氧化物层，所述晶格优化层为Al掺杂层，所述晶格优化层与所述透明导电层的连...
    2025-11-22
  • 一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法
    一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511450762.6
    本申请公开了一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法，该芯片结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP/量子阱结构、p型间隔层、p型A...
    2025-11-22
  • 一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构
    一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构_苏州大学_202511141840.4
    本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构，包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层，多量子阱发光层的阱层和垒层的交替周期数在1~5之间，阱层的主要...
    2025-11-22
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