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最新专利技术
  • 接合设备、接合方法和制品制造方法
    接合设备、接合方法和制品制造方法_佳能株式会社_202510600497.9
    本公开涉及接合设备、接合方法和制品制造方法。一种接合设备实施将接合对象接合到接合目标对象的接合操作，包括：驱动单元，所述驱动单元配置成实施驱动，使得接合对象接合到接合目标对象；以及控制单元，所述控制单元配置成控制接合操作，使得在将接合对象接...
    2025-12-17
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202510593103.1
    本发明的衬底处理装置具备：第1供给部，对处理腔室供给处理流体，作为加压到比临界压力低压的第1压力的气体；第2供给部，供给比临界压力高压的第2压力的处理流体；导入流路，向处理腔室的内部空间导入处理流体；第1配管，经由第1阀将第1供给部与导入流...
    2025-12-17
  • 部件压接装置以及部件压接方法
    部件压接装置以及部件压接方法_松下知识产权经营株式会社_202510582031.0
    提供能够抑制安装精度的降低的部件压接装置以及部件压接方法。部件压接装置(100)具备：载置部(12a)，载置经由各向异性导电膜(4)配置有部件(3)的基板(2)，使得主表面(3a)与基板对置；压接部(21)，具备具有按压面(33a)的压接工...
    2025-12-17
  • 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质_东京毅力科创株式会社_202510573569.5
    本公开提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够减少用于清洗排液用配管内的溶剂的使用量。本公开的一个方面所涉及的基板处理装置对基板实施规定的处理。该基板处理装置具备：保持部，其用于在使用处理液对基板实施液处理时保持基板；杯部，其以...
    2025-12-17
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202510525180.3
    本发明是一种衬底处理方法，所述衬底处理方法在处理腔室内由超临界状态的处理流体处理衬底，具备下述第1及第2工序。第1工序中，对收容着衬底的处理腔室的内部空间导入处理流体，作为加压到比临界压力低压的第1压力的气体，使内部空间升压到第1压力。第2...
    2025-12-17
  • 衬底加工装置
    衬底加工装置_三星电子株式会社_202411725378.8
    一种衬底加工装置可以包括：干燥壳体，具有用于执行干燥工艺的内部空间；工艺流体供应部，被配置为接收在干燥工艺中使用的工艺流体；供应流体管线，连接到干燥壳体和工艺流体供应部；减压流体管线，连接到供应流体管线；以及控制器，被配置为控制衬底加工装置...
    2025-12-17
  • 原子层刻蚀方法及设备
    原子层刻蚀方法及设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410607157.4
    本发明公开一种原子层刻蚀方法及设备，所述原子层刻蚀方法包括：依序进行的多个循环；每一循环包括：向反应腔内通入沉积气体和刻蚀气体；施加激发功率，以将沉积气体电离为第一等离子体以及将刻蚀气体电离为第二等离子体；且第一等离子体对反应腔内衬底表面的...
    2025-12-17
  • 保温装置以及半导体热处理设备
    保温装置以及半导体热处理设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410606967.8
    本发明提供一种保温装置以及半导体热处理设备。保温装置设置在半导体热处理设备的工艺门上，用于对反应腔内的热量进行保温；保温装置包括保温组件和加热组件，其中，保温组件具有容纳空间；加热组件设置于容纳空间中，加热组件用于向保温组件辐射热量，从而能...
    2025-12-17
  • 种子层预处理装置及方法、基板处理设备
    种子层预处理装置及方法、基板处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410606222.1
    本发明揭示了一种种子层处理装置及方法、基板处理设备，该种子层处理装置包括：处理腔，包括腔门、进气口和排气口，其中，腔门用于供基板进出处理腔，基板的表面具有种子层，进气口用于向处理腔导入还原性气体，排气口用于排出处理腔中的气体；等离子体发生装...
    2025-12-17
  • 自由基浓度的在线检测方法及检测系统
    自由基浓度的在线检测方法及检测系统_上海车仪田科技有限公司_202511500430.4
    本发明提供了一种自由基浓度的在线检测方法及检测系统，检测方法包括：控制模块执行第一检测模式，以获得本底基线信号；控制模块执行第二检测模式，以获得包括所述本底基线信号和自由基浓度信号的总信号；其中，第二检测模式为：开启等离子体源的电源和所述电...
    2025-12-17
  • 半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法
    半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511484538.9
    本披露公开了一种半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法。该半导体芯片金属通孔断路风险评估方法包括：对半导体芯片进行量测，以得到各待测金属通孔的量测数据；根据各待测金属通孔的量测数据形成各待测金属通孔的孤立因子和内在因子；根据优先级规则...
    2025-12-17
  • 一种基于智能算力算法的电路封装测试系统及方法
    一种基于智能算力算法的电路封装测试系统及方法_四川和恩泰半导体有限公司_202511483350.2
    本发明公开了一种基于智能算力算法的电路封装测试系统及方法，涉及电路封装测试技术领域，该方法通过调取历史测试数据，筛选出含有异常数据的第一目标测试节点，并构建目标参数数据组；计算第一测试节点的平均异常频次和信号偏向比，并计算故障影响因子来确定...
    2025-12-17
  • 一种颗粒检测装置及颗粒检测方法
    一种颗粒检测装置及颗粒检测方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511232692.7
    本申请公开了一种颗粒检测装置及颗粒检测方法，属于半导体技术领域。本申请通过光束扩束装置对光源产生的激光光束进行放大；并在光束扩束装置的出光侧设置开关阵列，通过每个开关对激光光束中入射至每个开关的部分进行独立控制，实现对激光光束的编辑；随后通...
    2025-12-17
  • 探针排布机
    探针排布机_东莞市五鑫电子科技有限公司_202511133755.3
    本发明公开了探针排布机，该设备旨在解决现有的探针卡的工序大都是人工操作，很容易有掉落针，损坏，同时针的尺寸很小，人员要在显微镜下操作非常不方便的问题；包括工作台，所述工作台上表面的右侧分别设置有上料盒、盖板回收机构、上卸料机构和卸料盒，所述...
    2025-12-17
  • 一种LED分选用自动合图方法及系统
    一种LED分选用自动合图方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511114153.3
    本发明公开了一种LED分选用自动合图方法及系统，涉及LED生产制造技术领域，该方法包括：对LED晶圆进行光电性能测试，生成分选数据档，包含每个LED晶粒对应的原始BIN值；将LED晶圆固定于扩张机后进行翻膜处理，依次进行LED晶圆的背面外观...
    2025-12-17
  • 一种背接触电池浆料接触性能的测试方法
    一种背接触电池浆料接触性能的测试方法_横店集团东磁股份有限公司_202510980050.9
    本发明涉及光伏领域，公开了一种背接触电池浆料接触性能的测试方法，包括：硅片双面抛光，一次沉积隧穿SiOx层、i‑poly‑Si层，硼扩散，去侧面和背面BSG层，碱清洗去除侧面和背面绕镀的硼扩散层，二次沉积隧穿SiOx层、i‑poly‑Si层...
    2025-12-17
  • 一种混合键合结构的键合强度检测方法
    一种混合键合结构的键合强度检测方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410607525.5
    本发明提供一种混合键合结构的键合强度检测方法，该混合键合结构的键合强度检测方法包括以下步骤：提供包括至少一位于键合面的棱边处设有凹部的测试结构的多个第一结构，将第一结构与含有多个第二结构的衬底晶圆中的第二结构一一对应并进行混合键合以得到待检...
    2025-12-17
  • 一种硅片晶向偏离角度验证方法及晶向偏离角度验证片
    一种硅片晶向偏离角度验证方法及晶向偏离角度验证片_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410607210.0
    本发明公开了一种硅片晶向偏离角度验证方法及晶向偏离角度验证片，应用于芯片制备技术领域，包括：在待验证硅片表面设置牺牲层；基于牺牲层向待验证硅片注入离子；在注入离子后，对待验证硅片退火，并在退火后，清除牺牲层；在清除牺牲层后，测量待验证硅片中...
    2025-12-17
  • 一种混合键合结构的键合强度检测方法
    一种混合键合结构的键合强度检测方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410605379.2
    本发明提供一种混合键合结构的键合强度检测方法，该键合强度检测方法包括以下步骤：提供一包括多个第一结构与衬底晶圆中多个第二结构混合键合的待检测晶圆，第一、二结构一一对应，待检测晶圆边缘的第一结构中包括至少一测试结构；于测试结构的背离待检测晶圆...
    2025-12-17
  • 半导体键合方法、半导体键合结构和封装结构
    半导体键合方法、半导体键合结构和封装结构_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511129692.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了半导体键合方法、半导体键合结构和封装结构，半导体键合方法包括：形成第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构具有第一凹槽，第一凹槽内形成有第一焊盘，第一焊盘包括位于第一凹槽的至少部分槽面的第一磁性导电材料...
    2025-12-17
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