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最新专利技术
  • 半导体封装装置及其形成方法
    半导体封装装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411048825.0
    本申请提供了一种半导体封装装置及其形成方法，半导体封装装置包括：载板；以及设置于载板上的第一晶片堆叠。第一晶片堆叠包括：与载板接触的第一晶片、以及设置于第一晶片上的第二晶片。第一晶片包括设置于第一晶片侧壁上的第一贯穿硅引线孔，第二晶片包括设...
    2025-12-13
  • 芯片液冷系统
    芯片液冷系统_北京芯力技术创新中心有限公司_202511069864.3
    本发明提供一种芯片液冷系统，系统包括位于封装内或者与封装邻近的本地液冷循环系统和位于封装外且距离比本地液冷循环离封装更远的二级液冷循环系统，所述本地液冷循环系统包括：一个或者多个芯片冷却器、一个或者多个本地热交换器、一个或者多个本地微循环泵...
    2025-12-13
  • 芯片封装用液冷转接板
    芯片封装用液冷转接板_北京芯力技术创新中心有限公司_202511069862.4
    本发明提供一种芯片封装用液冷转接板，由多层预制冷却片材组成，将所述多层冷却片材预先加工完成，然后在一定空间内按特定顺序排列，经过对准之后，再通过粘接、焊接、烧结或者键合等一种或者多种方式连接形成一体，所述全部或部分冷却片材上设置有一定数量和...
    2025-12-13
  • 一种基于微机器人的芯片热点散热方法与装置
    一种基于微机器人的芯片热点散热方法与装置_西安建筑科技大学_202510959834.3
    本发明提供一种基于微机器人的芯片热点散热方法与装置。该方法包括：获取芯片的表面温度分布以及热流密度分布，以定位芯片热点位置；引导冷却介质流过芯片，并将悬浮于却介质中的微机器人置于磁场的作用下，操控微机器人在冷却介质运动至热点位置的上方；确定...
    2025-12-13
  • 一种基于微机器人的芯片热点散热系统
    一种基于微机器人的芯片热点散热系统_西安建筑科技大学_202510959826.9
    本发明提供一种基于微机器人的芯片热点散热系统，包括：磁场控制装置，用于产生均匀磁场；芯片置于均匀磁场中；设置在芯片表面的散热通道，在散热通道内流通有用于对热点进行对流换热的冷却介质；机器人，采用磁性材料制成，并置于冷却介质中；处理器，用于控...
    2025-12-13
  • 一种芯片散热方法与装置
    一种芯片散热方法与装置_西安建筑科技大学_202510959030.3
    本发明提供一种芯片散热方法与装置。该方法包括：获取芯片的表面温度分布以及热流密度分布，以定位芯片热点位置；引导冷却介质流过芯片，并将悬浮于冷却介质中的微机器人置于磁场作用下，操控微机器人在冷却介质运动至所述热点位置的上方；确定微机器人在热点...
    2025-12-13
  • 晶体管的限位装置、限位模块及其组装方法
    晶体管的限位装置、限位模块及其组装方法_台达电子工业股份有限公司_202410616874.3
    一种晶体管的限位装置、限位模块及其组装方法，该限位装置包括一电路板、一夹置组件、一散热器及一金属组件，该夹置组件安装在该电路板上，该夹置组件包含一第一表面、一第二表面、至少一开口及至少一凹陷部，该开口贯穿该第一表面至该第二表面，该凹陷部设置...
    2025-12-13
  • 一种多基板混合集成且可兼容金属热沉的氮化镓功率模块
    一种多基板混合集成且可兼容金属热沉的氮化镓功率模块_西安电子科技大学_202511137465.6
    本发明涉及功率半导体器件及汽车电子技术领域，尤其涉及一种多基板混合集成且可兼容金属热沉的氮化镓功率模块，包括：GaN芯片，包括上管GaN芯片和下管GaN芯片；DPC基板，设置于上管GaN芯片和下管GaN芯片之间，作为GaN芯片载体并能够通过...
    2025-12-13
  • 等离子体散热器阵列及散热方法
    等离子体散热器阵列及散热方法_上海大学_202511096658.1
    本发明提供了一种等离子体散热器阵列及散热方法，若干个冷却单元中的每个冷却单元包括相对应的针状结构组以及振动电极薄膜，针状结构组包括阵列排布的若干个针状结构，针状结构位于基底上，针状结构组与基底构成放电电极，振动电极薄膜包括依次层叠的驱动层、...
    2025-12-13
  • 半导体装置的直接液体冷却
    半导体装置的直接液体冷却_力特保险丝公司_202510625211.2
    一种用于对半导体装置进行直接液体冷却的系统和相关联的方法。该系统包括定位在芯片衬底上的至少一个半导体装置以及设置在芯片衬底内并包含冷却液的至少一个冷板。冷板定位成紧邻半导体装置，并且被配置成在半导体装置的操作期间使用冷却液从半导体装置至少部...
    2025-12-13
  • 功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法
    功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510624704.4
    功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法。一种堆叠(1)包括：第一芯片(11)中的第一功率半导体器件(110)，其中所述第一功率半导体器件(110)被配置用于有源操作，在所述有源操作期间，应用负载电流由第一功率半导体器件(...
    2025-12-13
  • 一种芯片组散热装置
    一种芯片组散热装置_原粒(北京)半导体技术有限公司_202510102392.0
    本发明实施例提供了一种芯片组散热装置，所述芯片组散热装置包括：封装外壳、封装基板、一个或多个芯片组，所述芯片组位于所述封装基板上，且所述芯片组在所述封装外壳与所述封装基板构成的空间内，每个芯片组包括一个或多个堆叠的芯粒，每个芯粒中心位置设置...
    2025-12-13
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410622405.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一器件层，第一器件层包括第一晶圆层、第一重布线层以及第一导热壁。其中，第一晶圆层在第一方向上相对设置有第一表面和第二表面，第一方向垂直于第...
    2025-12-13
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410613161.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括半导体结构、多个导热体、导热壁和导热液体。多个导热体设置在半导体结构的至少部分表面上，导热壁设置在多个导热体远离半导体结构的一侧，导热液体位于多个导热...
    2025-12-13
  • 具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件
    具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件_意法半导体国际公司_202510620150.0
    本公开的各实施例涉及具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件。一种晶体管功率器件包括：衬底，具有与后表面相对的前表面；至少第一沟槽，在衬底内延伸，栅极区在第一沟槽的表面部分中；至少第二沟槽，在衬底内延伸，第一导电区在第二沟槽的表面部分。第一...
    2025-12-13
  • 芯片封装结构和集成半导体器件
    芯片封装结构和集成半导体器件_硅谷数模(苏州)半导体股份有限公司_202511143888.9
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种芯片封装结构和集成半导体器件，其中，芯片封装结构包括：芯片主体；载板，芯片主体位于载板的表面；封装层，至少设置于芯片主体背离载板的一侧且覆盖芯片主体，封装层包括相对的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和...
    2025-12-13
  • 一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构
    一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构_西安交通大学_202511132530.6
    本发明涉及电力半导体封装技术领域，具体为一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构，包括正向相对设置的漏极铜电极和源极铜电极，漏极铜电极上设置有SiC MOSFET芯片和栅极DBC基板，SiC MOSFET芯...
    2025-12-13
  • 芯片的封装结构、散热结构及其封装方法
    芯片的封装结构、散热结构及其封装方法_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511078719.1
    本发明的实施例提供了一种芯片的封装结构、散热结构及其封装方法，属于芯片封装的技术领域。该封装结构包括：芯片单元，包括封装体，其内部封装至少两个芯片，其外部设置第一焊接部；供电单元，用于为芯片单元内部封装的芯片供电，其通过第一焊接部与芯片单元...
    2025-12-13
  • 具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构
    具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构_苏州汉牛芯科技有限公司_202510929600.4
    本发明公开了具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构，涉及芯片熔融焊接封装技术领域，具体包括基板和芯片，基板焊盘上设置有多组金线，且金线另一端通过键合机上送丝机构与芯片焊盘位置相固定；本发明是在芯片背部设置蜂窝凹槽层，并在基板顶部预...
    2025-12-13
  • 射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法
    射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510616531.1
    本公开涉及射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法。一种射频(RF)半导体器件和制造该RF半导体器件的方法。该RF半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯包括第一表面和垂直于第一表面的侧壁。模制化合物包封半导体管芯的侧壁，其中模制化合物在与半...
    2025-12-13
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