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最新专利技术
  • 半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备
    半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511191207.6
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备，包括：于沟道长度不大于亚微米级的功率器件，方法包括：提供衬底；衬底的第一表面上包括沿第一方向间隔排列，沿第二方向延伸的掩模层；掩模层的侧表面上包括第一侧墙结构；基于第一侧墙结构，于衬底...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511011933.5
    一种制造半导体器件的方法，包括在沟道区上方形成界面层，在界面层上方形成含金属层。在形成含金属层之后，在沟道区上方形成金属硅酸盐层。去除金属硅酸盐层的部分。在去除金属硅酸盐层的部分之后，在沟道区上方形成栅极介电层，并且在栅极介电层上方形成栅极...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202510969233.0
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在半导体层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成光刻胶层；图案化光刻胶层；采用含氧气体去除光刻胶层的图案底部的不规则区域；以及蚀刻硬掩模层，以将光刻胶层的图案转移至硬掩模层，形成垂直的硬掩模...
    2025-11-23
  • 半导体器件及用于形成半导体器件的方法
    半导体器件及用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996399.1
    本公开的实施例提供了由具有(551)/<110>顶面的衬底制造的GAA器件。选择(551)/<110>衬底能够实现沟道高度缩放和改进的空穴迁移率，而不会牺牲电子迁移率。本公开的实施例还涉及半导体器件及用于形成半导体器件的方法。
    2025-11-23
  • 一种TFET器件及其形成方法
    一种TFET器件及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410591727.5
    本申请提供一种TFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；源极，位于所述栅极结构第一侧的半导体衬底中；隧穿介质层，位于所述栅极结构第一侧的侧壁以及所述源...
    2025-11-23
  • 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法
    一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511407480.8
    一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明介质层内设有上下间隔设置的栅极和发射极；栅极横截面宽度小于发射极横截面宽度；通过将沟槽中栅氧层分为上半部栅极和下半部发射极，实现分裂栅split gate结构。此结构降低栅氧...
    2025-11-23
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202510626131.9
    在IGBT的构造中充分地抑制电磁噪声。在沟槽(8)的内部上层电极(14)和下层电极(12)通过中间绝缘膜(16)而分离。第一电阻(R1)连接于上层电极(14)与输入端子(10)之间。第二电阻(R2)连接于下层电极(12)与输入端子(10)之...
    2025-11-23
  • 齐纳二极管
    齐纳二极管_恩智浦有限公司_202510506446.X
    一种齐纳二极管包括：PN结，其形成在半导体材料中；以及一个或多个应力引发区，其被配置成沿着所述PN结的电流流动方向在所述PN结中施加压缩应力。
    2025-11-23
  • 一种低正向压降PIN整流二极管及制备方法
    一种低正向压降PIN整流二极管及制备方法_扬州杰利半导体有限公司_202511169692.7
    本发明公开了一种低正向压降PIN整流二极管及制备方法，本发明通过铝基欧姆接触创新，在不改变外延参数前提下实现突破。采用铝(功函数4.1‑4.3eV)与重掺杂P型硅(5.0‑5.2eV)形成接触，经高温合金化生成100埃Al‑Si合金层，通过...
    2025-11-23
  • 一种复合阳极结构金刚石肖特基二极管及其制备方法
    一种复合阳极结构金刚石肖特基二极管及其制备方法_江南大学_202510964048.2
    本发明公开了一种复合阳极结构金刚石肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括欧姆电极、100晶向p型重掺杂单晶金刚石衬底、非故意掺杂金刚石层、磷掺杂金刚石层、高导电层、肖特基电极；非故意掺杂金刚石层被刻蚀成斜坡结构，磷掺杂金刚石层设置于刻...
    2025-11-23
  • 片式元器件及其制造方法
    片式元器件及其制造方法_深圳振华富电子有限公司_202510919264.5
    本申请涉及元器件制造技术领域，更具体地说，是涉及一种片式元器件及其制造方法。该片式元器件的制造方法包括：制备内层结构；制备第一外层结构和第二外层结构；将第二外层结构、内层结构和第一外层结构层叠以制备层叠单体；对层叠单体进行烧结，以得到烧结体...
    2025-11-23
  • 半导体封装结构及其制备方法、存储系统
    半导体封装结构及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410619994.9
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法、存储系统。该半导体封装结构包括：堆叠结构，包括沿第一方向依次堆叠的多个第一芯片，所述堆叠结构具有沿所述第一方向背对设置的第一表面和第二表面；以及多个第一连接结构，均自所述第二表面沿所述第一方向延伸...
    2025-11-23
  • 包括神经形态器件的半导体器件及制造方法
    包括神经形态器件的半导体器件及制造方法_爱思开海力士有限公司_202411106522.X
    本公开涉及包括神经形态器件的半导体器件及制造方法。一种半导体器件可以包括：第一电极；位于第一电极上的切换层；位于切换层上的储氧层；位于储氧层上的第二电极；位于切换层的侧壁上的加热电极；以及位于加热电极和切换层之间的绝缘间隔物。
    2025-11-23
  • 基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法
    基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法_西安电子科技大学_202511136942.7
    一种基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法，器件沿垂直方向自下而上依次为底层埋氧层、顶层沟道，顶层沟道顶部左侧覆盖铁电层，铁电层顶部覆盖顶电极，所述顶层沟道顶部右侧覆盖底电极，所述铁电层和底电极之间不接触；所述底电极下方...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410612372.3
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构，包括交替设置的第一介电层和第一导电层；第一导电柱，在第一堆叠结构中沿堆叠方向延伸；以及交替设置的存储层和隔离层，位于第一导电柱和第一堆叠结构...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410612041.X
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器以及存储器系统，其中，半导体结构包括：第一堆叠结构，包括交替层叠的第一绝缘层和栅极层；多个第一隔离结构，沿第一堆叠结构的堆叠方向贯穿第一堆叠结构、沿第一方向延伸且沿第一方向间隔...
    2025-11-23
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202511389906.1
    本申请涉及半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：多个源极沟道，所述多个源极沟道穿透源极选择线；栅极层叠结构，该栅极层叠结构与源极选择线交叠；连接图案，该连接图案设置在源极选择线和栅极层叠结构之间，该连接图案共同连接到所述多个源极沟道；以...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605294.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成间隔分布的多个第一半导体墙，相邻两个所述第一半导体墙之间露出所述衬底；采用选择性外延生长工艺，在相邻两个所述第一半导体墙之间形成与所述第一半导体墙间隔的第二半导...
    2025-11-23
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510508921.7
    根据本公开的示例实施方式的半导体器件包括：板层；栅电极，堆叠并彼此间隔开，并包括下栅电极、存储栅电极和上栅电极；沟道结构，延伸穿过栅电极；第一接触插塞，分别电连接到上栅电极；第二接触插塞，延伸穿过栅电极的部分，并分别电连接到存储栅电极和下栅...
    2025-11-23
  • 存储器件、系统及其形成方法
    存储器件、系统及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410612400.1
    一种存储器件包括：堆叠结构，包括在第一方向上延伸的交错的导电层和电介质层；半导体层，包括与所述堆叠结构接触的第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层；以及沟道结构，沿着第二方向在所述堆叠结构中延伸并且与所述第一半导体层接触。所述半导...
    2025-11-23
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