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最新专利技术
  • 一种半导体功率器件及其制备方法
    一种半导体功率器件及其制备方法_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122700.2
    本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。该器件包括多个呈阵列排布的元胞结构；其中，各元胞结构的边缘一周设置有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包围沟道区域；该器件包括：衬底；第一外延层；第二外延层，设置于第一外延层远离衬底的一侧，第二外延层包括...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122698.9
    本发明实施例公开一种半导体器件。包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域和第一凹槽；第一凹槽包括连通的第一子凹槽和第二子凹槽；在垂直于第一表面指向第二表面的方向上，第二子凹槽的尺寸大于第一子凹槽的尺寸；沿第一表面指向...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122295.4
    本发明实施例公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括连通的第一子凹槽和第二子凹槽；第二凹槽至少位于阱区和第一凹槽之间；第一绝缘层；屏蔽栅极...
    2025-11-23
  • 垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法
    垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411624501.7
    本发明提供一种垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法，其中垂直扩散金氧半导体晶体管结构包含一基底、一第一导电型外延层、一栅极结构及一第二导电型主体区域。第一导电型外延层配置于基底上。栅极结构配置于第一导电型外延层上，其具有一栅极导电层及一...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳平湖实验室_202511494428.0
    本公开提供了一种半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电场分布不均匀问题；该半导体器件，包括：衬底、外延层、源极、漏极、栅极和电场调制区；外延层设于衬底上；源极、漏极和栅极嵌设于外延层；电场调制区，设于外延层远离衬底的一侧，...
    2025-11-23
  • 碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法
    碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511115600.7
    本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置(101)具有：碳化硅基板(11)；半导体层(12)，其形成于碳化硅基板(11)之上；栅极电极(18)，其隔着栅极绝缘膜(2...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_杰华特微电子股份有限公司_202411736949.8
    本公开提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一阱区和第二阱区，分别位于衬底中，且彼此分隔；高压场板，位于第一阱区上方，与第一阱区电连接，并沿第一阱区朝向第二阱区的方向延伸；以及低压场板，位于第二阱区上方，与第二阱区电连接，并沿第二...
    2025-11-23
  • 半导体结构
    半导体结构_联华电子股份有限公司_202410653820.4
    本发明公开一种半导体结构。半导体结构包含基板、第一阱区、第二阱区、第三阱区、隔离结构、漏极区、源极区以及栅极结构。第一阱区在基板中且具有第一侧表面。第二阱区在基板中且具有第二侧表面。第三阱区在基板中。第二阱区介于第一阱区与第三阱区之间。隔离...
    2025-11-23
  • 一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法
    一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法_浙江省白马湖实验室有限公司_202511113522.7
    本发明公开了一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法，涉及半导体器件制造技术领域，旨在解决FINFET功率器件中纳米级沟槽提升沟道迁移率时引发的三维电场集中问题，包括：第一型的重掺杂衬底；形成于衬底上的第一型漂移区；形...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_半导体元件工业有限责任公司_202511106116.8
    本公开涉及半导体器件。在一个实施方案中，形成该半导体器件包括在半导体基板中形成栅极沟槽。在该沟槽之间的材料的一部分被缩窄，并且另一种材料形成于基本上未被蚀刻剂蚀刻的缩窄部分的侧壁上，该蚀刻剂蚀刻介于沟槽之间的材料部分的材料。源极接触开口和栅...
    2025-11-23
  • 晶体管及其制备方法与场效应晶体管
    晶体管及其制备方法与场效应晶体管_中国科学院微电子研究所_202510516708.0
    本申请属于晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法与场效应晶体管。该晶体管包括半导体衬底，该半导体衬底包括相对设置的第一面与第二面；在第一面设置有第一电极，在第二面设有第二电极与多个栅极，第二电极通过肖特基接触部与电极欧姆接触部连接外...
    2025-11-23
  • 具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法
    具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法_杰华特微电子(张家港)有限公司_202411924972.X
    本申请提供具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法，包括：碳化硅本体，具有第一表面；沟槽栅极结构，从第一表面延伸入碳化硅本体中；漂移区，位于碳化硅本体中，并邻接沟槽栅极结构的侧壁；源极区，源极区位于碳化硅本体中，源极区位于沟槽栅极结构的下方...
    2025-11-23
  • 包括专用栅电极结构的半导体器件
    包括专用栅电极结构的半导体器件_三星电子株式会社_202411827441.9
    一种半导体器件，包括：彼此间隔开的第一源/漏结构和第二源/漏结构；第一沟道结构，连接到第一源/漏结构；第二沟道结构，连接到第二源/漏结构；分离绝缘层，设置在第一源/漏结构和第二源/漏结构之间、以及第一沟道结构和第二沟道结构之间；栅电极，与分...
    2025-11-23
  • 外延结构及其制备方法、半导体器件
    外延结构及其制备方法、半导体器件_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511487465.9
    本发明公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件。根据本发明实施例的外延结构包括衬底；位于所述衬底上方的多周期h‑BN/AlN层，其中，所述多周期h‑BN/AlN层包括交替堆叠的h‑BN层和AlN层。根据本发明实施例的外延结构及其制备方法、...
    2025-11-23
  • 天线调谐开关结构
    天线调谐开关结构_联颖光电股份有限公司_202510624898.8
    本申请公开一种天线调谐开关结构，其包括：磊晶基板、栅极结构、源极电极与漏极电极。磊晶基板包括半导体基板与形成于半导体基板上的氮化物异质结构，氮化物异质结构内具有二维电子气体，栅极结构设置于氮化物异质结构上，源极电极与漏极电极分别设置于栅极结...
    2025-11-23
  • 氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法
    氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法_住友电气工业株式会社_202510611247.5
    本公开提供能得到高耐压的氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层，包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层，并具有与所述第一轴交叉的第一面；绝缘层，设于所述第一面之上，并具有与所述第一面对置的第二面...
    2025-11-23
  • 一种氮化镓功率器件及其制备方法
    一种氮化镓功率器件及其制备方法_安建科技有限公司_202410593815.9
    一种氮化镓功率器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为简化多层场板的形成工艺，本发明提供一种氮化镓功率器件，该器件设有呈阶梯状上升的多层介质层，在多层介质层侧面形成阶梯状侧边，在该阶梯状侧边上方设置阶梯状一体式场板，本发明提供的方法...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511483770.0
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底；基底包括衬底、设置在衬底上的栅极结构、以及位于栅极结构两侧的牺牲侧墙；其中，衬底和栅极结构分别形成有金属硅化物；衬底的表面具有位于栅极结构与金属硅化物之间的间隙区域；基于应力临...
    2025-11-23
  • 一种提高Trench-MOSFET耐压的MOS及制备方法
    一种提高Trench-MOSFET耐压的MOS及制备方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511322058.2
    一种提高Trench‑MOSFET耐压的MOS及制备方法。涉及半导体技术领域‌。本发明对沟槽底部进行圆滑处理，使沟槽底部的电场分布均匀；生长栅介质层时，使用高K介质(一般介电常数K大于10)代替常规氧化硅，减小沟槽底部的电场强度。在WELL...
    2025-11-23
  • 半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备
    半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511191207.6
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备，包括：于沟道长度不大于亚微米级的功率器件，方法包括：提供衬底；衬底的第一表面上包括沿第一方向间隔排列，沿第二方向延伸的掩模层；掩模层的侧表面上包括第一侧墙结构；基于第一侧墙结构，于衬底...
    2025-11-23
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