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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511205185.4
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底；蚀刻衬底以在衬底中形成尺寸不同的第一类型沟槽和第二类型沟槽；同步填充第一类型沟槽和第二类型沟槽，以分别在第一类型沟槽和第二类型沟槽中形成填充材料层，基于第一类型沟槽与第二类型沟槽的...
    2026-01-03
  • 一种场板调制双沟槽碳化硅场效应晶体管及制备方法
    一种场板调制双沟槽碳化硅场效应晶体管及制备方法_韩青瑶_202511201748.2
    一种场板调制双沟槽碳化硅场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。包括栅极沟槽和深沟槽，在场板沟槽底部设有P型屏蔽区，槽内设有沉积的高介电常数介质和淀积刻蚀的多晶硅。通过场板结构减小沟槽栅氧场强，场板对电场的调制作用减小栅极沟槽电场强度，...
    2026-01-03
  • 半导体结构的制造方法及半导体结构
    半导体结构的制造方法及半导体结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511173781.9
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供包含硅的衬底，在所述衬底表面形成栅极和栅极侧墙；形成保护层，所述保护层采用与所述栅极侧墙相同的材料，所述保护层覆盖所述衬底表面、所述栅极顶部及所述栅极侧墙，所述保护层和所述衬底具有...
    2026-01-03
  • 基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法
    基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511147167.5
    本发明公开了一种基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括提供一衬底，并在衬底上生长外延层；对外延层进行刻蚀，形成沟槽；对沟槽的不同位置分别进行场氧填充，形成梯度场氧结构；其中，梯度场氧结构至少包...
    2026-01-03
  • 半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置
    半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410660949.8
    本申请公开了半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置，该方法通过基底上第一鳍部和第二鳍部的关键尺寸、鳍部表面钝化层的厚度，以及目标关键尺寸来确定当前刻蚀选择比，并基于表征预设刻蚀选择比与预设湿刻蚀工艺的对应关系的选择比刻蚀工艺映射信息来确...
    2026-01-03
  • 基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法
    基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法_西安电子科技大学_202511155363.7
    本发明公开了一种基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层和缓冲层，设置在缓冲层上的n型AlN沟道层，且AlN沟道层在远离缓冲层的一面设置有一凹槽，包括第一NiO耗尽层和第二...
    2026-01-03
  • 一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法
    一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法_华中科技大学_202511105144.8
    本申请属于新型封装材料和技术领域，更具体地，涉及一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法。本发明提供的压接型IGBT器件子结构中含有烧结铜层，其为将背面附着铜膏或铜膜的芯片与制备有Cu种子层的集电极钼块置于腔室内，烘干...
    2026-01-03
  • 锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
    锗硅异质结双极晶体管及其制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511000340.9
    本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂硅集电区和场区氧化硅层，分别形成在衬底上；硅外延集电区和外集电区，分别...
    2026-01-03
  • 基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法
    基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法_西安理工大学_202511443253.0
    本发明公开了基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法，涉及电力电子应用技术领域，包括衬底、P型SiC层、N型β‑Ga2O3层、电极和N+型β‑Ga2O3层；所述衬底设置在底部，所述衬底上方依次为P型SiC层、N型β‑Ga2O3层；...
    2026-01-03
  • PIN二极管及其制备方法、电子设备
    PIN二极管及其制备方法、电子设备_京东方科技集团股份有限公司_202410658308.9
    本公开提供一种PIN二极管及其制备方法、电子器件，属于电子器件技术领域，其可解决现有的PIN二极管载流子注入效率低，PIN二极管正向电阻高的问题。本公开的PIN二极管包括衬底基板；有源层，设置在所述衬底基板上，所述有源层包括依次设置的P型半...
    2026-01-03
  • 一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法
    一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法_浙江正邦电子股份有限公司_202511553891.8
    本发明提供了一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法，涉及电力半导体器件制造技术领域，该方法通过在半导体晶圆表面通过激光开槽形成环形沟槽，结合闭管镓铝扩散工艺在沟槽内形成单个芯片的圆形PN结隔离墙；在隔离墙围成的单胞区域内进行硼磷双质扩散，...
    2026-01-03
  • MIM电容器及其制作方法
    MIM电容器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511576119.8
    本发明提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供包括器件区与虚拟区的基底，在基底内形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内填充第一多晶硅；刻蚀第一多晶硅在第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；在第二浅沟槽内填充介质层；刻蚀介质层在第二浅沟槽内形成第三...
    2026-01-03
  • 具有MIM电容的半导体器件及其制作方法
    具有MIM电容的半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511564465.4
    本发明公开了一种具有MIM电容的半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供金属间介电层；形成位于该金属间介电层上的中间介质层；在中间介质层及金属间介电层上形成金属层；研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层；在距离中间介质层一定...
    2026-01-03
  • 一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法
    一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法_杭州富芯半导体有限公司_202511553390.X
    本申请公开了一种硅电容器，包括：在硅衬底上设置的沟槽；所述沟槽用于设置电容器结构；述沟槽在硅衬底的表面方向的布置如下：所述沟槽包括复数个纵向分布的第一类沟槽和复数个横向分布的第二类沟槽；其中，至少部分所述第一类沟槽和部分第二类沟槽贯通连接。...
    2026-01-03
  • 硅电容结构及其制造方法
    硅电容结构及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511183172.1
    本申请公开了一种硅电容结构及其制造方法，方法包括：将第一衬底与第二衬底键合，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第二衬底键合；在所述第一衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽中形成第一绝缘层和多晶硅层，所述第一绝缘层分隔所述...
    2026-01-03
  • 存储器及其制备方法
    存储器及其制备方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511022976.3
    本申请公开了一种存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，用于解决现有第一导电层与选通膜层同步刻蚀，会导致选通膜层出现形貌改变，进而影响存储器性能的问题。本申请提供的存储器的制备方法包括：形成第一导电层；在第一导电层的表面形成存储结构层，存储...
    2026-01-03
  • 一种存储器的形成方法以及存储器
    一种存储器的形成方法以及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511015820.2
    本申请公开了一种存储器的形成方法以及存储器。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括存储单元；在所述器件层远离所述衬底的一侧形成第一介质层以及第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述器件层的一侧，所述第一介...
    2026-01-03
  • 一种存储器的形成方法和存储器
    一种存储器的形成方法和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946512.5
    本申请涉及一种存储器的形成方法和存储器，其包括提供基底；在存储区的基底上形成间隔排布的堆叠结构和填充于堆叠结构之间的第一介质层，堆叠结构包括：第一导电层、存储结构以及位于存储结构顶部表面的牺牲层；去除各牺牲层，形成相对于第一介质层表面凹陷的...
    2026-01-03
  • 半导体结构和半导体结构的形成方法
    半导体结构和半导体结构的形成方法_复旦大学_202511174376.9
    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底具有相对的正面和背面，背面具有背部供电网络；若干鳍部，若干鳍部相互独立，鳍部位于正面，鳍部用于构成半导体结构中的逻辑电路；鳍部隔离层，鳍部隔离层位于正面，并位于相邻的鳍部之间；若干嵌...
    2026-01-03
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202510960268.8
    本申请提供了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成存储叠层以及位于存储叠层上的掩膜层，存储叠层包括依次叠置的第一电极层、初始存储层和第二电极层；以掩膜层为掩膜，对初始存储层进行若干次等离子体刻蚀处理，以...
    2026-01-03
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