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最新专利技术
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202511164222.1
    本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，包括衬底；阻挡层，设于衬底的一侧，阻挡层包括电连接的阻隔部和导电部，阻隔部和导电部的至少部分交叠设置，阻隔部具有外露于导电部的阻挡区；绝缘层，位于阻挡层背离衬底的一侧；有源层，设于绝缘...
    2026-01-03
  • 用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构
    用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510528015.3
    本发明涉及用于包括间隙壁结构的场效应晶体管的结构，揭露用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括绝缘体上硅衬底，该绝缘体上硅衬底包括半导体衬底、位于该半导体衬底上的介电层、以及位于该介电层上的半导体层。该结构还包...
    2026-01-03
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511110388.5
    本发明提供一种具有电阻元件的半导体结构包括具有有源区的衬底，该形成在有源区之上的第一栅极结构，以及形成在有源区之上并且邻近第一栅极结构的第一电阻元件。在一些实施例中，第一电阻元件包括第一电阻层和形成在第一电阻层之上的第二电阻层。在一些实例中...
    2026-01-03
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510166546.2
    描述了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括有源区域，并且该有源区域包括在衬底之上延伸的鳍、设置在鳍之上的第一虚设栅极电极层、与第一虚设栅极电极层相邻的第二虚设栅极电极层、设置在鳍之上的第三虚设栅极电极层以及与第三虚设栅极电极层相...
    2026-01-03
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510156478.1
    一种半导体器件包括：衬底；源极/漏极图案，源极/漏极图案位于衬底上；沟道图案，沟道图案位于源极/漏极图案之间并且包括多个半导体图案；栅电极，栅电极位于多个半导体图案之间；上分隔结构，上分隔结构在第一方向上延伸并且在与第一方向相交的第二方向上...
    2026-01-03
  • 数字电路单元的结构、集成电路和电子装置
    数字电路单元的结构、集成电路和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410653887.8
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种数字电路单元的结构、集成电路和电子装置，包括位于衬底的CMOS单元和金属布线层；CMOS单元包括位于衬底内的NMOS区域和PMOS区域、以及分别连接NMOS区域和PMOS区域的至少一个栅极结构，至少部分...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511200968.3
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：衬底，包括相对设置第一表面和第二表面，设置为第一导电类型；第一表面侧设置有第一栅极和第一源极；第二表面侧设置有第二栅极和第二源极；半漏极和衬底电连接；衬底...
    2026-01-03
  • 半导体器件、其制备方法及电子设备
    半导体器件、其制备方法及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202410612274.X
    本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种半导体器件、其制备方法及电子设备。半导体器件包括衬底、第一掺杂类型的漂移区、第二掺杂类型的体区、多个沟槽、多个栅极部、栅极介质层、多个第一源极部以及多个第二源极部。漂移区位于衬底上。体区位于漂移区的...
    2026-01-03
  • 一种集成SBD和MCD的MOS型器件及其制备方法
    一种集成SBD和MCD的MOS型器件及其制备方法_南方科技大学_202510891990.0
    本发明提供了一种集成SBD和MCD的MOS型器件，所述集成SBD和MCD的MOS型器件的结构自上而下依次包括：外延层、衬底和漏极功能区；所述外延层自上而下依次包括N+注入区、体区、电流扩展层、漂移层；还包括：源极沟槽，所述源极沟槽包括源极氧...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410644217.X
    一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中的第一牺牲层和位于隔断槽中的第二牺牲层；图形化第一牺牲层获得的牺牲鳍，图形化基底获得半导体...
    2026-01-03
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511564115.8
    本发明提供一种半导体装置及其制造方法，制造方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上设置有栅极；在栅极至少一侧的衬底中采用同一个光罩依次形成阱区和LDD层，与现有技术相比，本发明取得了意想不到的技术效果：可减少高压半导体器件制造过程中所使用的光罩数...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511195815.4
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，方法包括：垫氧化层及硅化物阻挡层顺形覆盖第一区及第二区表面，去除第一区硅化物阻挡层；牺牲材料层填充并覆盖第一区及第二区表面；去除部分牺牲材料层至低于栅极结构预设高度，去除显露的垫氧化层，减薄第一区侧墙结...
    2026-01-03
  • 半导体装置结构的形成方法
    半导体装置结构的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511074245.3
    一种半导体装置结构的形成方法包括形成鳍结构于基板上，其中鳍结构包括由第一半导体材料制成的第一多个半导体层和由第二半导体材料制成的第二多个半导体层。形成牺牲栅极叠层于鳍结构上。移除鳍结构的与牺牲栅极叠层相邻的部分以暴露基板的多个部分。沿横向方...
    2026-01-03
  • 半导体装置的形成方法
    半导体装置的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510850385.9
    在一些实施例中，半导体装置的形成方法可包含在基底上方形成多层堆叠物，多层堆叠物具有多个第一半导体层及多个第二半导体层的交替层。此外，此方法可包含移除基底的第一区中的多个第一半导体层。此方法也可包含在第一区中的多个第二半导体层之间形成可抛性材...
    2026-01-03
  • 源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法
    源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511180731.3
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法，该半导体结构包括：栅极结构、体区结构、源极结构，以及漏极结构，所述源极结构包括多晶硅源极接触层；所述栅极结构包围所述体区结构，所述体区结构中设有源极接触区域，...
    2026-01-03
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511168112.2
    本发明的半导体结构包括PMIC芯片和逻辑芯片。PMIC芯片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，第一表面上设置有多个第一焊盘。逻辑芯片具有第三表面及与第三表面相对的第四表面，第三表面上设置有多个第二焊盘，逻辑芯片与PMIC芯片经第二焊盘与...
    2026-01-03
  • 半桥电路和装入在封装中的电子部件
    半桥电路和装入在封装中的电子部件_创世舫科技有限公司_202511034551.4
    提供一种半桥电路和装入在封装中的电子部件。半桥电路包括连接到高电压节点的高侧开关；连接到接地节点的低侧开关，包括低电压增强模式晶体管和高电压III‑N耗尽模式晶体管；连接到高侧开关与低侧开关之间的节点的电感器。在第一操作模式下，高侧开关导通...
    2026-01-03
  • 记忆体电路及其操作方法
    记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510815731.X
    一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路包括：一电流源，其用以提供一参考电流；及多个晶体管，其各自用以自该电流源接收该参考电流。所述多个晶体管中的每一者具有一相同导通类型且包括一第一源极/漏极端，其连接至所述多个晶体管中的一第一相邻晶体管的一...
    2026-01-03
  • 一种复合结构栅介质及其制备方法、GaN基MIS-HEMT器件及其制备工艺与应用
    一种复合结构栅介质及其制备方法、GaN基MIS-HEMT器件及其制备工艺与应用_西交利物浦大学_202511197521.5
    本发明提供了一种复合结构栅介质及其制备方法、GaN基MIS‑HEMT器件及其制备工艺与应用，复合结构栅介质包括至少一组层叠设置的复合层结构，复合层结构包括依次层叠设置的AlN层、AlON层与Al2O3层。以复合结构栅介质作为半导体器件的绝缘...
    2026-01-03
  • 具有增强的背栅分离图案的集成电路装置及其制造方法
    具有增强的背栅分离图案的集成电路装置及其制造方法_三星电子株式会社_202510160352.1
    一种集成电路装置包括衬底和在其上沿第一方向延伸的位线。设置在位线上延伸的多个半导体图案、以及在多个半导体图案之间并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的背栅电极。设置背栅分离图案，其在背栅电极的底表面上并在多个半导体图案之间延伸。背栅分离图案...
    2026-01-03
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