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最新专利技术
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202411633695.7
    本公开涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括正常单元块和至少一个纠错码(ECC)单元块，正常单元块和至少一个纠错码(ECC)单元块包括多个行；清理控制电路，其被配置为对多个行中的每一行执行错误检查操作；以及写回...
    2026-02-02
  • 一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆
    一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆_北京罗克维尔斯科技有限公司_202410704344.4
    本申请提供了一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆，涉及电数字处理领域。对flash模块中目标存储模块不断进行擦写，直至该目标存储模块到达使用寿命，计数不断擦写的可执行次数。在目标存储模块在不断执行擦写的过程中，擦写的执行时间会...
    2026-02-02
  • 存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质
    存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946635.9
    本申请公开了一种存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质。方法包括：向存储器的样本地址写入数据；经过预设写读延迟时间后，基于预设读取信息对样本地址执行多次读取操作，获取多个读取数据组，每个读取数据组包括读取操作次数和...
    2026-02-02
  • 移位寄存器单元、栅极驱动器、显示设备
    移位寄存器单元、栅极驱动器、显示设备_合肥京东方光电科技有限公司_202410686827.6
    提供了一种移位寄存器单元，包括：输入电路、第一输出电路、第一节点放电电路、第一输出放电电路、第一节点电位控制电路、第一复位电路和第一输出控制电路。输入电路电连接至输入端和第一节点，第一输出电路电连接至时钟信号接收端、第一节点和第一输出端；第...
    2026-02-02
  • 由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡
    由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡_硅存储技术股份有限公司_202511150881.X
    本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真E...
    2026-02-02
  • 三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质
    三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946642.9
    本申请公开一种三维仅选择存储器的数据操作方法、三维仅选择存储器、存储电子设备及介质，属于半导体技术领域，该方法先施加初始电流脉冲，通过验证读取检测单元电学特性参数；若未达预设目标状态阈值，则根据增量步脉冲编程模式或恒步脉冲编程模式生成补偿脉...
    2026-02-02
  • 用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法
    用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510231755.0
    本公开涉及一种用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括与多条字线和多条位线连接的多个存储器单元；外围电路，被配置为执行第一编程电压施加操作和验证操作，第一编程电压施加操作增加选定存储器单元的阈值电压...
    2026-02-02
  • 存储器设备和优化读取重试表的方法
    存储器设备和优化读取重试表的方法_瑞昱半导体股份有限公司_202410682380.5
    本公开涉及存储器设备和优化读取重试表的方法。优化读取重试表的方法包括下列操作：配置存储器操作在预设操作条件；利用预设读取电压值与原始读取重试表读取该存储器，以产生测试读取重试表；以及利用该测试读取重试表读取该存储器，以重新排序该测试读取重试...
    2026-02-02
  • 读干扰处理方法、检测方法及存储设备
    读干扰处理方法、检测方法及存储设备_上海江波龙数字技术有限公司_202410695073.0
    本申请公开了一种读干扰处理方法、检测方法及存储设备。该方法包括响应于开始对目标存储块进行擦除，获取目标存储块的擦除温度，并基于擦除温度确定第一等效读取次数值；响应于开始对目标存储块进行编程，获取目标存储块在编程过程中的编程温度，并基于所有编...
    2026-02-02
  • 存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法
    存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510131861.1
    一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括第一存储器块；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为从外部控制器接收擦除命令并且响应于所述擦除命令而控制对所述第一存储器块的擦除操作；擦除到编程间隔(EPI)计时器，其被配置为响应于所述擦除命令而开...
    2026-02-02
  • 将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法
    将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法_科洛斯巴股份有限公司_202510720180.9
    本发明涉及将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法，其改进的擦除技术延长了双端非易失性存储器的寿命，并可减轻或避免擦除状态存储故障。擦除操作可包括对双端存储单元执行擦除操作，然后是弱编程操作。擦除验证操作可以确定存储单元的读取电...
    2026-02-02
  • 闪存存储器的数据编程方法和装置
    闪存存储器的数据编程方法和装置_中国科学院微电子研究所_202410686931.5
    本申请公开一种闪存存储器的数据编程方法和装置，方法包括，对闪存存储器的任一物理页进行细编程前，根据物理页的原始数据和当前数据确定物理页中无效逻辑页的数量；其中，原始数据为完成物理页的粗编程时物理页对应的数据，当前数据为对物理页进行细编程前物...
    2026-02-02
  • 用于减轻偏置电压漂移的技术
    用于减轻偏置电压漂移的技术_美光科技公司_202510409379.X
    本公开涉及减轻偏置电压的漂移的技术。存储器装置包含电阻器串数/模转换器DAC，其配置成基于高和低偏置电压向决策反馈均衡器DFE供应一或多个偏移电压。所述存储器装置还包含偏置电压生成电路系统，其配置成：基于偏移电压范围微调而生成参考电流，基于...
    2026-02-02
  • 一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统
    一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410706016.8
    本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，外围电路包括控制逻辑电路和页缓冲器，页缓冲器通过位线与存储阵列耦接。控制逻辑电路通过信号线与页缓冲器耦接，页缓冲器包...
    2026-02-02
  • 一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法
    一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法_苏州凌存科技有限公司_202511603730.5
    本申请提供一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法。本申请提供的可变电阻存储器，包括：存储器单元阵列、控制器、写入电路和读取电路；写入电路，用于在控制器的控制下向存储器单元阵列提供偏置电压；控制器，用于在第一步读取过程中控制写入电路向存...
    2026-02-02
  • 一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元及高密度内容寻址电路
    一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元及高密度内容寻址电路_上海科技大学_202510943272.3
    本发明的技术方案是公开了一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元。本发明的另一个技术方案是公开了一种采用上述紧凑型5T0C eDRAM增益单元的高密度内容寻址电路。本发明针对传统基于SRAM的CAM设计中存在的存储单元面积大、密度受限的问题，...
    2026-02-02
  • 延时调整电路及存储器
    延时调整电路及存储器_长鑫闵科存储技术(上海)有限公司_202511129221.3
    本公开实施例公开了一种延时调整电路及存储器。延时调整电路包括：检测电路和延时控制电路。检测电路，被配置为检测目标字线驱动器的等效驱动电流，基于等效驱动电流生成选择控制信号。延时控制电路，耦接检测电路，被配置为响应于选择控制信号，生成对应的延...
    2026-02-02
  • 半导体器件及其操作方法
    半导体器件及其操作方法_韩国科学技术院_202510224392.8
    本公开提供一种半导体器件及其操作方法。根据本公开的方法包括：向栅极图案施加第一偏置电压；以及响应于所述第一偏置电压而存储第一数据，其中，电极图案与铁电图案之间的接触电阻响应于所述第一偏置电压而从第一电阻状态变为第二电阻状态，所述第一数据基于...
    2026-02-02
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备、三态内容寻址方法
    半导体器件及其制造方法、电子设备、三态内容寻址方法_北京超弦存储器研究院_202410693095.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备、半导体器件的三态内容寻址方法，属于半导体技术领域。该半导体器件包括：第一铁电晶体管和第二铁电晶体管；第一铁电晶体管具有第一极性，第二铁电晶体管具有第二极性；第一铁电晶体管的第一电极与第二铁电...
    2026-02-02
  • 产生四相时钟信号的时钟信号产生器
    产生四相时钟信号的时钟信号产生器_美光科技公司_202510670445.9
    本公开涉及产生四相时钟信号的时钟信号产生器。一种实例设备包含时钟驱动器电路块，其具有：第一区，其上定位产生分频时钟信号的分频电路；第二区，其上定位输出写入时钟信号的写入时钟驱动器；第三区，其上定位输出具有较高频率的第一读取时钟信号的第一读取...
    2026-02-02
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