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最新专利技术
  • 一种LDMOS器件及其制造方法
    一种LDMOS器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511599251.0
    一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有第一掺杂类型的漂移区；在半导体衬底上依次形成栅极介质层和栅电极层；图案化栅电极层，以形成彼此间隔设置的第一栅电极和第二栅电极；对位于第一栅电极与第二栅电极之间...
    2025-12-25
  • 一种垂直环栅沟道长度的制造方法
    一种垂直环栅沟道长度的制造方法_西安微电子技术研究所_202511229171.6
    本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种垂直环栅沟道长度的制造方法。包括：衬底上刻蚀形成硅柱；硅柱外依次生长栅氧和多晶；在多晶外生成二氧化硅掩蔽层，通过湿法带胶腐蚀漏出待刻蚀的多晶层；在待刻蚀的多晶层进行短时干法刻蚀，形成初始凹槽...
    2025-12-25
  • 一种半导体制备方法及SGT-MOSFET器件
    一种半导体制备方法及SGT-MOSFET器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511202820.3
    本发明提供一种半导体制备方法及SGT‑MOSFET器件，方法包括：外延层表面有间隔分布的沟槽并覆盖有第一氧化层；第一氧化层上设置源极多晶硅填充沟槽并覆盖第一氧化层；源极多晶硅上设置掩膜层覆盖源极多晶硅；第一次刻蚀掩膜层和源极多晶硅，对掩膜层...
    2025-12-25
  • 一种SGT MOSFET三层外延结构器件及其制备方法
    一种SGT MOSFET三层外延结构器件及其制备方法_华羿微电子股份有限公司_202511200773.9
    本发明公开一种SGT MOSFET三层外延结构器件及其制备方法，涉及半导体器件制造的技术领域，该方法包括：在衬底上生成导电类型相同，且具有三层离子掺杂浓度的外延结构；外延结构包括依次设置的第一外延层、第二外延层以及第三外延层，外延结构的离子...
    2025-12-25
  • 鳍式场效应晶体管中鳍片结构的制备方法和鳍片结构
    鳍式场效应晶体管中鳍片结构的制备方法和鳍片结构_中国科学院微电子研究所_202510999086.1
    本发明公开鳍式场效应晶体管中鳍片结构的制备方法和鳍片结构，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中先进节点Fin结构在图形化过程中精度与效率难以兼顾的问题。方法包括：在晶圆基底上依次沉积心轴停止层、心轴层及第一硬掩膜层，在第一硬掩膜层上形成第一...
    2025-12-25
  • 一种环栅场效应器件GAA-FET的制备方法
    一种环栅场效应器件GAA-FET的制备方法_深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)_202510954358.6
    本发明公开了一种环栅场效应器件GAA‑FET的制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻100以内、半圆形截面的线条，淀积无定...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510390464.6
    本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法包括：形成设置在衬底之上的鳍形结构，鳍形结构包括交替的沟道层和牺牲层的堆叠；在鳍形结构的沟道区域之上形成虚设栅极结构；在鳍形结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极凹部；选择性地且部分地使牺牲层凹陷以在...
    2025-12-25
  • 形成半导体装置的方法和半导体装置
    形成半导体装置的方法和半导体装置_台湾积体电路制造股份有限公司_202510113686.3
    一种形成半导体装置的方法，包括在一堆叠的多个纳米结构层的多个外表面上形成硬遮罩层，其中硬遮罩层包括介电质基底材料和保护性氧化物表面。在硬遮罩层上形成虚设栅极。邻接虚设栅极形成栅极侧壁间隔物。形成源极/漏极区域。移除虚设栅极。相对于第二组的该...
    2025-12-25
  • 一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法
    一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511596428.1
    本申请提供了一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法，第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱内，第三N+注入区、第二P+注入区设置在第一P阱内，第二N+注入区设置在第一N阱和第一P阱之间；第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区对...
    2025-12-25
  • 一种大功率晶闸管的短基区空心门极电流引导机构及实施方法
    一种大功率晶闸管的短基区空心门极电流引导机构及实施方法_杭州西风半导体有限公司_202511253545.8
    本发明适用于晶闸管技术领域，提供了一种大功率晶闸管的短基区空心门极电流引导机构及实施方法，包括晶闸管芯片的中心门极区、辅助阴极区、辅助阴极延伸区，所述中心门极区、辅助阴极区和辅助阴极延伸区的共同构成空心门极区，所述空心门极区为通过分步掺杂工...
    2025-12-25
  • 双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法
    双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510688918.8
    本公开涉及双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法。双栅极IGBT(1)被呈现，其中有源区(1‑2)包括第一段区(1‑21)和第二段区(1‑22)。通过两个控制信号(13‑21，13‑22)，两个段区都可被控制。例如，有源区(1...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510521790.6
    本公开的目的在于在具有两级栅极结构以及载流子积累层的半导体装置中抑制位移电流。IGBT(101)具备形成于漂移层(2)的第一主面(S1)侧的第一导电型的载流子积累层(3)、形成于载流子积累层的第一主面侧的第二导电型的基极层(4)、以及经由氧...
    2025-12-25
  • 一种高电流密度三极管及其制备方法
    一种高电流密度三极管及其制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511207877.2
    一种高电流密度三极管及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备第一重掺杂一基区，在第一重掺杂一基区内制备若干间隔的第二重掺杂发射区；步骤S200，在第二重掺杂发射区内制备第一重掺杂二基区；步骤S300，在外...
    2025-12-25
  • 具有间接图案化发射极的半导体发射器
    具有间接图案化发射极的半导体发射器_德州仪器公司_202510623582.7
    本公开涉及一种具有间接图案化发射极的半导体发射器。在一个实例中，一种形成电子装置的方法包含接收半导体衬底，所述半导体衬底具有位于部分形成的双极结型晶体管的发射极区上方的介电层(210)。在所述介电层上方形成牺牲层(215)。在所述牺牲层上方...
    2025-12-25
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518471.6
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括：提供基层介电层；在基层介电层上形成电容主体；电容主体包括多层导电层及间隔介电层；各导电层呈平直状；奇数层导电层与偶数层导电层的材料不同；在电容主体上形成顶层介电层；形成贯穿电容主...
    2025-12-25
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518442.X
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括提供基层介电层；形成电容主体，电容主体包括多层导电层和多层间隔介电层，多层导电层和多层间隔介电层交替堆叠；各导电层为平直状膜层；形成第一、二台阶孔，各导电层背离基层介电层一侧的表面...
    2025-12-25
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518421.8
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括提供基层介电层；在基层介电层上形成交替堆叠的多层导电层和多层间隔介电层；奇数层导电层与偶数层导电层的材料不同；设置顶层介电层，顶层介电层设于多层导电层和多层间隔介电层背离基层介...
    2025-12-25
  • 电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法
    电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511340439.3
    本公开提供了一种电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述电容器结构包括基底和电容叠层；其中，基底包括沿第一方向交替层叠的第一支撑层和第二支撑层；沟槽从基底的一表面延伸到基底内部，沟槽包括沿第一方向延伸的沟槽主体、以及连通沟槽主体...
    2025-12-25
  • 用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法
    用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法_美光科技公司_202510704818.X
    本申请涉及用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法。一种用于微电子装置的电容器包含第一电极及第二电极。所述第一电极包含：第一基底部分，其在第一层级处；第二基底部分，其在第二层级处；第一基底接触件，其从所述第一基底部分延伸到所述第二基...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511341206.5
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底芯片、中间芯片和多个核心芯片；中间芯片设置在基底芯片上；多个核心芯片沿垂直于基底芯片所在平面的第一方向堆叠设置在中间芯片上；其中，中间芯片包括电容器结构，电容器结构包括至少一个电...
    2025-12-25
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