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最新专利技术
  • 一种基于等离子体沉积的TOPCon半片电池边缘钝化设备
    一种基于等离子体沉积的TOPCon半片电池边缘钝化设备_江苏龙恒新能源有限公司_202511214437.X
    本发明公开了一种基于等离子体沉积的TOPCon半片电池边缘钝化设备，包括机体，第一工作台、第二工作台、一对第一支架和等离子预处理机构，所述机体内设有所述第二工作台上设有钝化机构；所述第一工作台上设有清洗机构，所述第一支架转动连接在第一工作台...
    2025-12-24
  • 提升BC太阳能电池光电转换效率的方法及由其制备得到的BC太阳能电池、光伏组件
    提升BC太阳能电池光电转换效率的方法及由其制备得到的BC太阳能电池、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511211455.2
    本发明提供了一种提升BC太阳能电池光电转换效率的方法及由其制备得到的BC太阳能电池、光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域。所述提升BC太阳能电池光电转换效率的方法包括：对BC太阳能电池硅基底进行P区化学镀镍硼合金、N区化学镀镍磷合金、电镀铜和...
    2025-12-24
  • 晶硅太阳能电池的金属化方法及由其得到的晶硅太阳能电池、光伏组件
    晶硅太阳能电池的金属化方法及由其得到的晶硅太阳能电池、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511211438.9
    本发明提供了一种晶硅太阳能电池的金属化方法及由其得到的晶硅太阳能电池、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。所述晶硅太阳能电池的金属化方法包括：在待金属化的半成品电池片的背面依次沉积铝和铜种子层，随后在金属化图形区域印刷树脂浆料，去除非金属化图...
    2025-12-24
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511208209.1
    本申请实施例涉及光伏技术领域，并提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。该太阳能电池的制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底包括相对的第一表面和第二表面；在硅衬底的第一表面所在侧形成第一掺杂层；在硅衬底的第二表面所在侧形成与第一掺杂层掺杂类型相...
    2025-12-24
  • 一种快速自驱动光电探测器的制备方法
    一种快速自驱动光电探测器的制备方法_北京理工大学_202511199824.0
    本发明涉及一种快速自驱动光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，解决现有光电探测器中载流子在横向和耗尽区外的扩散时间会限制响应速度的问题。该方法包括：在清洗后的半导体衬底上顺序形成石墨烯层、二硫化钼层和二硫化钨层以制得石墨烯/二硫化钼...
    2025-12-24
  • 一种锡掺杂的氮化镓同质结、其制备方法及在β射线探测中的应用
    一种锡掺杂的氮化镓同质结、其制备方法及在β射线探测中的应用_西安电子科技大学_202511192415.8
    本发明公开了一种锡掺杂的氮化镓同质结、其制备方法及在β射线探测中的应用，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明通过刮涂液态镓在衬底上形成氧化镓薄膜，随后刮涂液态锡镓合金在其上形成锡掺杂氧化镓薄膜，最后进行氮化处理转化为锡掺杂氮化镓同质结。该制备...
    2025-12-24
  • 一种光伏组件及其印胶工艺
    一种光伏组件及其印胶工艺_晶科能源股份有限公司_202511179009.8
    本申请涉及一种光伏组件及其印胶工艺，光伏组件包括电池串，电池串包括多个电池片、多个焊带和多个胶点，相邻的电池片通过焊带电连接，电池片与焊带在焊点处被焊接固定，且电池片与焊带在胶点处被粘接固定；焊点包括第一焊点和第二焊点，至少一个胶点位于第一...
    2025-12-24
  • 软X射线探测器制备工艺及软X射线探测器
    软X射线探测器制备工艺及软X射线探测器_中国科学院高能物理研究所_202510986548.6
    本发明提供一种软X射线探测器制备工艺及软X射线探测器，该制备工艺包括：获取双面抛光带氮化硅/二氧化硅的硅片作为探测器基材；根据悬空区域大小在硅片背面开窗；在硅片正面溅射生长AlMn合金超导薄膜，通过光刻完成图形化，烘烤调整超导转变温度；Nb...
    2025-12-24
  • 光伏组件的制备方法、光伏组件
    光伏组件的制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202411270016.4
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种光伏组件的制备方法、光伏组件。该制备方法包括以下步骤：在太阳电池半成品上印刷栅线浆料烧结成栅线前驱体；制备太阳电池：激光诱导接触处理形成金属栅线，且使金属栅线穿过钝化层与半导体层之间直接接触；金属栅线与半...
    2025-12-24
  • 一种太阳电池的生产工艺、辅助生产工装、太阳电池以及光伏组件
    一种太阳电池的生产工艺、辅助生产工装、太阳电池以及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202411233832.8
    本发明公开了一种太阳电池的生产工艺、辅助生产工装、太阳电池以及光伏组件，涉及太阳电池技术领域。该太阳电池的生产工艺通过先利用氧化液在硅片的背面形成第一介质层，再利用隔绝疏水液去除第一玻璃层和第一介质层上的水分，并紧密覆盖于第一玻璃层和第一介...
    2025-12-24
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411164658.6
    本发明涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，包括：提供硅基底，硅基底的背光面上依次设有第一半导体层和图形化的第一掩膜层，第一掩膜层的图形化区域使对应位置的第一半导体层露出；第一掩膜层包括无掺杂氧化硅和/或掺杂氧化硅；湿法...
    2025-12-24
  • 太阳电池的制备方法以及太阳电池
    太阳电池的制备方法以及太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202410684274.0
    本公开提供了一种太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：提供经过分割后的电池基片；在所述电池基片的分割面上制备接触于所述分割面的钝化修复层；以及，通过化学气相沉积法或原子层沉积法在所述钝化修复层远离所述分割面的一侧制备防水牺牲层，所述防水牺牲层...
    2025-12-24
  • 感测器封装结构及其制造方法
    感测器封装结构及其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202410672185.4
    本申请公开一种感测器封装结构及其制造方法。所述感测器封装结构包含一基板、安装于所述基板的一感测芯片、设置于所述感测芯片的一环形支撑层、设置于所述环形支撑层的一透光片及形成于所述基板的一封装体。所述透光片的顶部外缘形成有一避让槽。所述封装体为...
    2025-12-24
  • 一种光电探测成像集成芯片及其使用方法
    一种光电探测成像集成芯片及其使用方法_北京大学_202511586860.2
    本发明属于光电探测成像领域，提供了一种光电探测成像集成芯片及其使用方法，芯片包括：下基板、发光二极管阵列、光电探测器阵列、第一绝缘层、第一键合层、第二绝缘层、第二键合层、电极互连层、上基板；光电探测器阵列的单元与发光二极管阵列的单元一一对应...
    2025-12-24
  • 光电转换装置、装备和可移动体
    光电转换装置、装备和可移动体_佳能株式会社_202510686173.1
    公开了光电转换装置、装备和可移动体。一种光电转换装置包括至少两个基板，该至少两个基板包括：第一基板，包括像素单元，在该像素单元中，各自包括光电转换元件和放大晶体管的多个像素被布置成阵列；以及第二基板，包括存储器单元，该存储器单元被配置为保持...
    2025-12-24
  • 层叠型图像感测装置及其制造方法
    层叠型图像感测装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202411798525.4
    本申请涉及层叠型图像感测装置及其制造方法。在制造层叠型图像感测装置的方法中，可制备用于形成层叠型图像感测装置的第一结构。第一结构可包括第一基板、形成在第一基板的前侧上的第一器件层、从第一器件层的上表面延伸到第一基板中的第一导电焊盘、以及形成...
    2025-12-24
  • 图像传感器、电子设备
    图像传感器、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410674323.2
    一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括半导体基底和互连结构层，半导体基底中形成有隔离结构，隔离结构将半导体基底分隔成多个像素区域；互连结构层设置于半导体基底的出光侧，互连结构层包括至少两层导电线路层，各导电线路层与隔离结构对应设置，各导电...
    2025-12-24
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511596874.2
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的图像传感器通过凹槽阵列构建了吸光结构并设置在感光结构上游，从而通过凹槽的吸光特性增加对入射光束的吸收并引导至感光结构处，提高感光结构对入射光束的吸收。其中，凹槽阵列基于感...
    2025-12-24
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511596104.8
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括提供具有像素区和逻辑区的基底，形成第一凹槽位于像素区上，形成第二凹槽位于逻辑区上，所述第一凹槽的底面高于所述第二凹槽的底面，形成绝缘材料层共型地覆盖在硬掩膜层上，对绝缘材...
    2025-12-24
  • 具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法
    具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法_浙江拓感科技有限公司_202511579207.3
    本发明涉及红外探测器技术领域，具体提供了一种具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法，包括：基于外延结构的焦平面阵列，在外延衬底背向读出电路的一面制备单元形状为方形的光刻胶阵列，其中，外延衬底面向读出电路的一面连接外延结构，外延结构...
    2025-12-24
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