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  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是涉及背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法。该背接触电池包括硅基体,硅基体包括正面和背面;背面依次交替设置有多个第一区域和多个第二区域,第一区域和第二区域通过间隙相互隔离,第一区域上设置有第一半导体层,第二...
  • 本申请涉及光伏电池领域,提供一种光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,其中光伏电池包括:基底;掺杂层,掺杂层设置在基底至少一侧表面,掺杂层包括:第一区域,第一区域沿第一方向连续延伸,若干第一区域沿第二方向依次间隔设置;第一方向和第二方向...
  • 本发明公开了一种太阳能电池组件及光伏系统。该太阳能电池包括:太阳能电池,背面胶膜和正面胶膜;太阳能电池包括:第一电极和第二电极;第一电极和第二电极设置于太阳能电池的背面;背面胶膜设置于太阳能电池的背面,且覆盖第一电极和第二电极;正面胶膜设置...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、电池串、电池组件和光伏系统,在太阳能电池中,第一边缘汇流结构连接第一焊盘以及第一焊盘和第一边缘之间的第一细栅。第一边缘汇流结包括位于第一焊盘和第一边缘之间的至少一根第一汇流线和至少一根第...
  • 本发明公开了一种GeO2自驱动紫外探测器电极阵列结构,包括衬底、二氧化锗膜层和金属电极。二氧化锗膜层设置在衬底的表面。金属电极包括多个,各金属电极均设置在二氧化锗膜层的表面,各金属电极呈阵列排布,同一行的各金属电极的尺寸呈顺序增大设置,同一...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括正极细栅和负极细栅,正极细栅的外表面设置有导电保护层,导电保护层中包括第一金属材料,第一金属材料中的金属元素对应的氢氧化物在25℃时的溶解度为1.1×10‑6g/100g H2...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。上述的太阳电池包括衬底,以及依次层叠设置于衬底至少一个表面上的掺杂硅材料层和金属电极。掺杂硅材料层和金属电极的接触面具有绒面结构,绒面结构包括多个金字塔结构。接触面包括第一子接触面和第二子接触面,第一子接...
  • 本公开提供了一种太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括半导体衬底、第一掺杂层和第二掺杂层。半导体衬底具有相对设置的迎光面和背光面,背光面远离迎光面的一侧设置有第一掺杂层和第二掺杂层,第一掺杂层和第二掺杂层交替设置,第一掺杂层的掺杂类型为第一掺...
  • 本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,太阳能电池具有基底和设置于基底一侧的发射极,发射极包括沿远离基底的厚度方向依次设置的第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区;第一扩散区掺杂有镓元素,第二扩散区掺杂有硼元素和镓...
  • 本发明公开了一种光伏电池栅线的制备方法,包括:制备转移模板,所述转移模板包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述第一表面设有凹陷设置的压印腔;向所述压印腔中填充导电浆料,并对导电浆料进行结构固化以获得导电结构层;在光伏电池表面制备改性层;将...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池,包括:S103、对硅片背面进行抛光或二次制绒处理;S104、在硅片背面沉积本征非晶硅层;S105、采用硬质掩膜板先与硅片背面的预设第一半导体区对位,形成第...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种高双面率背接触电池及制备方法和应用,包括:S101、对硅片双面进行一次制绒,之后清洗,一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1;S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层;S103、形成间隔排布的第...
  • 本发明涉及电池片生产技术领域,具体公开了一种电池片制造方法。该方法包括如下步骤:提供印刷有导电浆料的电池片;将电池片置于承载装置上;使用固化装置固化承载装置上电池片的导电浆料;“使用固化装置固化承载装置上电池片的导电浆料”包括第一步骤,第一...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种硼扩散方法、太阳能电池的制备方法,能够减少硅片的翘曲度,硼扩散方法包括:提供半成品硅片,所述半成品硅片包括依次层叠设置的硅基底、隧穿氧化层、非晶硅膜层;在第一温度下对所述非晶硅膜层进行晶化处理,使...
  • 本申请提供了一种光伏组件的制备方法和光伏组件,包括将多片电池片通过焊带串联形成电池串,位于电池串两端的端部电池片的背面分别只连接有一组焊带,电池串中的其余电池片的背面均连接有两组焊带;将若干个所述电池串进行排版,获得第一组件;将汇流条与多条...
  • 本发明公开了基于管式炉气相扩散沉积法的硒薄膜、制备方法及应用,属于薄膜太阳能电池技术领域,包括以下步骤:在衬底上制备致密TiO2薄膜;随后在致密TiO2薄膜上制备介孔TiO2缓冲层;采用单温区管式炉作为薄膜沉积装置,抽真空至0.1‑10 P...
  • 本发明涉及硅异质结太阳电池技术领域,尤其是涉及一种修复铜溅射损伤的异质结太阳电池制备方法。包括提供正面和背面已溅射铜种子层的硅片;将硅片进行非氧环境退火处理;对硅片的正面和背面同步形成栅线沟槽,为电镀铜栅线提供图形化掩膜;在栅线沟槽电镀铜栅...
  • 本发明公开了一种降低Topcon电池EL黑边比例的方法,经丝网印刷、烧结工序处理后电池硅片,采取包括以下步骤进行MCP激光处理:将电池硅片上待激光处理的图形划分为边缘图层和中间图层;采用不同输出功率的激光,分别对电池硅片的边缘图层和中间图层...
  • 本申请公开了一种光伏电池的边缘钝化方法以及钝化溶液。在执行本申请实施例提供的方法时,首先可以利用有机半导体和磺酸基聚合物制备钝化溶液。然后利用具备激子倍增效应的钝化溶液对待钝化的光伏电池进行边缘钝化,得到钝化层覆盖的光伏电池。最后对钝化层覆...
  • 本发明公开了一种基于等离子体沉积的TOPCon半片电池边缘钝化设备,包括机体,第一工作台、第二工作台、一对第一支架和等离子预处理机构,所述机体内设有所述第二工作台上设有钝化机构;所述第一工作台上设有清洗机构,所述第一支架转动连接在第一工作台...
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