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最新专利技术
  • 一种新型全方位磁吸Micro-LED成品结构
    一种新型全方位磁吸Micro-LED成品结构_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511582169.7
    本申请公开了一种新型全方位磁吸Micro‑LED成品结构，包括封装散热、光学装配、线路导通三大功能模块，各模块分别设有相互匹配的磁吸部件，磁吸部件由磁性载体与磁性单元组成，通过磁性吸附实现模块可拆卸连接，且位置与磁性参数适配以保障自动对位、...
    2025-12-23
  • 一种集成电路封装结构
    一种集成电路封装结构_扬州市丹顶道路照明有限公司_202511231621.5
    本发明公开了一种集成电路封装结构，属于封装结构加工技术领域，包括基板、发光芯片，所述基板的上表面开设有框板定位槽，所述基板上方安装有限位挡板，所述限位挡板上设有第二定位机构、散热机构，所述基板与限位挡板之间设有第一定位机构，所述限位挡板的上...
    2025-12-23
  • 一种LED及其制备方法
    一种LED及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511201252.5
    本发明公开了一种LED及其制备方法，方法包括：提供第一衬底和第二衬底；第一衬底一侧设置有阵列排布的微结构；在微结构一侧表面形成缓冲层；在缓冲层背离第一衬底一侧表面制备外延层；剥离第一衬底，以使微结构的互补结构处于外延层背离缓冲层一侧表面；将...
    2025-12-23
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510928004.4
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、介质层、透明导电结构和反射层；介质层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，介质层还具有多个间隔排列的介质孔；外延结构位于介质层的第一表面，透明导电结构位于介质孔的底面和侧...
    2025-12-23
  • 改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板
    改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511604988.7
    本公开提供了一种改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层，所述外延层的顶面具有多个间隔排布的载流子通道区，以及各所述载流子通道区之间的钝化区，所述载流子通道区的载流子浓度高于所述钝化区的...
    2025-12-23
  • 一种LED芯片及其制作方法、显示装置
    一种LED芯片及其制作方法、显示装置_厦门乾照光电股份有限公司_202511178978.1
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法、显示装置。LED芯片的外延叠层生长于基板，外延叠层形成若干由间隙分隔的发光单元；间隙从外延叠层背离基板的表面朝向基板延伸。绝缘填充层填充间隙。各发光单元背离基板的表面和绝缘填充层背离基板的表面二者之一为...
    2025-12-23
  • 氮极性的外延基层及其制备方法、外延片、发光二极管
    氮极性的外延基层及其制备方法、外延片、发光二极管_江西乾照光电有限公司_202511201078.4
    本发明提供一种氮极性的外延基层及其制备方法、外延片、发光二极管，涉及半导体技术领域，该氮极性的外延基层包括衬底、氮极性底层以及层叠设置在氮极性底层上的氮极性N型层，氮极性N型层包括依次层叠设置在衬底上的第一氮极性N型层、插入层以及第二氮极性...
    2025-12-23
  • 一种COB封装方法以及COB封装结构
    一种COB封装方法以及COB封装结构_深圳市太龙视觉科技有限公司_202511276241.3
    本发明公开了一种COB封装方法以及COB封装结构，涉及LED封装，所述封装方法包括以下步骤：制备包括酸化碳纳米管的改性胶体，并通过点胶机将涂覆在PCB板上的已完成引线键合的芯片及线弧区域；将涂胶完成后的PCB板放置在电极治具并进行固定待后续...
    2025-12-23
  • 改善翘曲的发光二极管及其制备方法
    改善翘曲的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510936223.7
    本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：将衬底放置在反应腔的托盘上；向所述反应腔内通入反应气，控制所述托盘旋转以在所述衬底上生长缓冲层，生长所述缓冲层的过程中，控制所述托盘的中央...
    2025-12-23
  • 发光二极管及其表面处理方法
    发光二极管及其表面处理方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510936176.6
    本公开提供了一种发光二极管及其表面处理方法，属于光电子制造技术领域。该表面处理方法包括：制作制品，所述制品包括驱动衬底和层叠在所述驱动衬底上的外延片，所述外延片包括依次层叠的第一衬底和外延层，所述外延层位于所述驱动衬底的表面上；在所述驱动衬...
    2025-12-23
  • 一种应用在极紫外或软X射线光斑探测的系统和方法
    一种应用在极紫外或软X射线光斑探测的系统和方法_成都迪恩特科光电科技有限公司_202511161299.3
    本发明公开了一种应用在极紫外或软X射线光斑探测的系统和方法，包括：光斑探测模块，设置于真空腔体内，包含双层闪烁晶体和热沉装置，双层闪烁晶体包括第一层闪烁晶体和第二层闪烁晶体；第二层闪烁晶体设置在第一层闪烁晶体和热沉装置之间；双层闪烁晶体以镀...
    2025-12-23
  • 一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法
    一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511595960.1
    本发明提供的一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法，属于电子封装技术领域。该内埋元件载板包括：埋入式线路层，具有相对的第一侧与第二侧；第一绝缘层，采用第一光敏材料覆盖于所述埋入式线路层的第一侧；第一盲孔，形成于第一绝缘层中；电子元件，...
    2025-12-23
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511600030.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制备方法和光伏组件。一种太阳能电池，包括：基底、第一堆叠结构和第二堆叠结构，基体具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；第一堆叠结构设置于第一区域，包括：沿逐渐远离基底的方向依次层...
    2025-12-23
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511543679.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，能够简化制备工艺，背接触电池包括：半导体基底，包括第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域、第二区域及第三区域，在第一区域的表面形成有掺杂晶硅区，第三区域位于第一区...
    2025-12-23
  • 光伏组件
    光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511232385.9
    本公开提供了一种光伏组件，其包括太阳电池和紫外吸收层，所述紫外吸收层设置于所述太阳电池的至少一侧。太阳电池包括设置于迎光面的氧化铝层，紫外吸收层设置于太阳电池的迎光面之上，紫外吸收层对于300nm~320nm波段的紫外光的平均透过率≤20%...
    2025-12-23
  • 一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411198164.X
    本申请涉及背接触太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件。该背接触太阳电池，包括硅衬底、透光胶粘层以及透光保护膜。硅衬底具有受光面，受光面上设置有绒面结构。透光胶粘层设置在绒面结构背离硅衬底的一面并填充绒面结构。透...
    2025-12-23
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202411182955.3
    本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钝化接触结构包括介质层和掺杂层，其中，掺杂层包括：叠层设置于介质层上的第一掺杂多晶硅层；叠层设置于第一掺杂多晶硅层背离介质层一侧的氮氧化硅层；叠层设置于氮氧化硅层背...
    2025-12-23
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202410913262.0
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底，硅基底表面具有纹理结构，纹理结构为金字塔型结构；沿背离硅基底方向依次设置有钝化层和减反射层，减反射层背离钝化层的表面也具有纹理结构，在减反射层的...
    2025-12-23
  • 一种光伏组件及其制造方法
    一种光伏组件及其制造方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511606730.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其制造方法。光伏组件包括电池串组、沿第二方向延伸的第二互联条和互联部。在第一方向上，相邻的电池串之间通过电连接件电性连接。在电池串的厚度方向上，第二互联条位于电池串的背光面，第二互联条与电...
    2025-12-23
  • 背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法
    背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511606375.7
    本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法。该背接触电池包括硅基体，硅基体包括正面和背面；背面依次交替设置有多个第一区域和多个第二区域，第一区域和第二区域通过间隙相互隔离，第一区域上设置有第一半导体层，第二...
    2025-12-23
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