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最新专利技术
  • 半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件
    半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511299724.5
    本发明提供一种半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件，所述调整方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成半导体器件中的栅氧化层；对所述栅氧化层进行氢等离子体处理以调整半导体器件的有效功函数。本发明通过对栅氧化层进行氢离子处理以调整半导...
    2025-12-30
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_中国地质大学(武汉)_202511006332.5
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供半导体层；使用原子层沉积工艺，在半导体层之上形成栅介质层，栅介质层包括多个氧化锆层；原子层沉积工艺包括多个第一循环周期，每个第一循环周期对应形成一个氧化锆层；第一循环周期包括：通入...
    2025-12-30
  • 一种沟槽平面混合的终端结构
    一种沟槽平面混合的终端结构_上海萃锦半导体有限公司_202511330939.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种沟槽平面混合的终端结构，包括漂移区，在所述漂移区的表面设置有终端区域，所述终端区域包括并列设置的至少一个沟槽型终端单元和至少一个平面型终端单元，所述沟槽型终端单元包括沟槽，且沟槽开设在漂移区的表面，...
    2025-12-30
  • 一种宽禁带半导体器件及其制备方法
    一种宽禁带半导体器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511308063.8
    本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法，可用于半导体领域，该器件包括：沿第一方向堆叠的漂移层和电流增强层；漂移层背离电流增强层的一侧，具有沿第二方向间隔分布于漂移层内的多个超结区；漂移层接触电流增强层的一侧，具有沿第二方向间隔分布于漂...
    2025-12-30
  • 一种注入P型调节区增强短路能力的RC-IGBT结构
    一种注入P型调节区增强短路能力的RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202511267514.8
    本发明涉及RC‑I GBT技术领域，公开了一种注入P型调节区增强短路能力的RC‑I GBT结构，包括基材，所述基材的正面设置有n漂移区，所述基材的背面下端设置有用于优化电场并令电场纵向截止的n缓冲区；所述n缓冲区上设置有位于有源区和终端区交...
    2025-12-30
  • 超级结MOSFET器件及其制造方法
    超级结MOSFET器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511203011.4
    本发明提供一种超级结MOSFET器件及其制造方法。该器件包括衬底、高阻外延层、以及设置在高阻外延层中的第一和第二导电类型的深沟槽柱体区。其核心在于，两种导电类型的深沟槽柱体区均通过独立的刻蚀深沟槽并进行外延填充工艺形成。该制造方法使得两种柱...
    2025-12-30
  • 选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法
    选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511308749.7
    本发明公开了一种选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法，包括：在硅衬底上依次淀积形成第一介质层、外基区多晶硅层、第二介质层和第三介质层，并刻蚀形成内基区窗口；在内基区窗口的内侧壁上形成第四介质层；对所述内基区窗口底部的第一介质层进行部分刻蚀...
    2025-12-30
  • 选择性生长异质结晶体管掺碳锗硅内基区的方法
    选择性生长异质结晶体管掺碳锗硅内基区的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511308712.4
    本发明公开了一种选择性生长异质结晶体管掺碳锗硅内基区的方法，包括：在硅衬底上依次淀积形成第一介质层、外基区层和第二介质层；向下刻蚀第二介质层和外基区多晶硅层形成内基区窗口；在内基区窗口的内侧壁上形成第三介质层；对内基区窗口底部的第一介质层进...
    2025-12-30
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202511334819.6
    提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置(1)，所述半导体装置(1)包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元(34)的源极部(...
    2025-12-30
  • 一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法
    一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法_宁波萃锦科技发展有限公司_202511321362.5
    本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，尤其涉及一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法。该结构在N型SiC衬底上依次形成N+缓冲层与N‑漂移层，其表面设有深度一致的主沟槽与辅助沟槽；主沟槽内依次形成栅氧化层与多晶硅栅极，...
    2025-12-30
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511284793.9
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括半导体层、沟槽、栅电极和场电极。其中半导体层具有相背的第一表面和第二表面。沟槽，位于所述半导体层中，自半导体层的第一表面向半导体层内部延伸。栅电极，位于沟槽上半部分。场电极，位于沟槽下半部分。场电极包括第...
    2025-12-30
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511283363.5
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括：半导体层，具有相背的第一表面和第二表面；沟槽，位于所述半导体层中，自所述半导体层的第一表面向半导体层内部延伸；栅电极，位于沟槽上半部分；以及场电极，位于沟槽下半部分，其中所述场电极中包括第一空槽。本申请...
    2025-12-30
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510633049.9
    本公开涉及半导体装置及其制造方法，用于使短路耐量提高。半导体装置具备的半导体基板具有漂移层、并排设于漂移层的上表面侧的第一和第二基极层、选择性设置于第二基极层的上表面侧且杂质浓度分别比第一基极层、第二基极层高的源极层和接触层。另外具备：栅极...
    2025-12-30
  • 一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件
    一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件_电子科技大学_202511641059.3
    本发明提出一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件，属于功率半导体技术领域。所述器件包括衬底、埋氧层、N型漂移区、N阱区、P阱区、ONO浅槽隔离区、栅氧化层、多晶硅栅、重掺杂源极区、重掺杂体接触区、重掺杂漏极区、漏极金属、源极金属；器件最...
    2025-12-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511332669.5
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底内的体区；位于衬底内的漂移区；位于漂移区内的浅沟槽隔离结构；位于漂移区上的场板氧化层；位于衬底上的栅极结构；位于体区内的源极区；位于漂移区内的漏极区。浅沟槽隔离结构能够有效避免“鸟嘴效...
    2025-12-30
  • 一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法
    一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法_河南师范大学_202511287621.7
    本发明公开了一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法，本发明涉及半导体晶体管技术领域，包括衬底层，半导体层的上方两侧分别设置有导电接触层和导电金属层，导电接触层的上方设置有第一电极和第二绝缘层，导电金属层的上方设置有第二电极，导电接触层和导电...
    2025-12-30
  • 一种晶体管、制作方法及电子器件
    一种晶体管、制作方法及电子器件_深圳平湖实验室_202511670441.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管、制作方法及电子器件，该晶体管包括：依次堆叠设置的漏极、导电衬底、半导体层和源极，半导体层包括沿第一方向排列的第一半导体、第二半导体和第三半导体，第一半导体和第二半导体形成第一沟道，第二半导体和第三...
    2025-12-30
  • 晶体管结构
    晶体管结构_杰力科技股份有限公司_202410963497.0
    本发明提供一种晶体管结构，包括磊晶层、井区、多个栅极区域、多个第一重掺杂区以及多个第二重掺杂区。井区形成在磊晶层之上。栅极区域形成在磊晶层中并穿透井区。各第一重掺杂区形成在对应的各栅极区域的第一侧边上，第一重掺杂区彼此间相互隔离。各第二重掺...
    2025-12-30
  • 在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET
    在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET_德州仪器公司_202511274337.6
    本发明实施例涉及在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET。一种半导体装置(100)包含延伸漏极finFET(102)。所述finFET(102)的漏极漂移区域(128)在所述finFET(102)的漏极接点区域(132)与主体(124...
    2025-12-30
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728197.4
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：补偿层，覆盖所述鳍部的部分侧壁。由于补偿层覆盖鳍部的部分侧壁，因此，在后续的工艺过程中，补偿层可以起到平衡鳍部尺寸的作用，从而对鳍部的损耗进行补偿，相应提高鳍部的质量和性能，进而提高半导体结构的性...
    2025-12-30
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