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最新专利技术
  • 鸡舍以及鸡舍的空气的循环控制方法
    鸡舍以及鸡舍的空气的循环控制方法_阿尔卑斯阿尔派株式会社_202480033049.9
    本发明的鸡舍(1)具备：循环装置(2)，其在鸡舍(1)内产生风而使空气循环；多个环境传感器(31)，其能够测量气体浓度；推测部(42)，其基于环境传感器(31)测量出的多个测定点处的气体浓度以及环境传感器(31)的所述测定点的位置，推测在鸡...
    2025-12-28
  • 高温下对烟草花叶病毒属具有抗性的番茄植物
    高温下对烟草花叶病毒属具有抗性的番茄植物_安莎种子公司_202480020483.3
    本发明涉及在至少28℃的温度下对烟草花叶病毒属有抗性的番茄(S. lycopersicum)种的植物，其中所述植物包含TBRFV抗性基因并且还包含至少一种温度敏感性降低(TSR)基因。本发明还涉及：TBRFV抗性基因与至少一种温度敏感性降低...
    2025-12-28
  • 种植植被的方法和构建元件
    种植植被的方法和构建元件_艾莱生命科学实验室有限责任公司_202480030318.6
    本公开涉及一种种植植被的方法，该方法包括：提供包括粘结剂和一种或更多种骨料的组合物，其中，该组合物包括生物炭作为添加剂和/或骨料；使用该组合物形成构建元件；在该构建元件上直接种植植被。本公开另外涉及适用于植被在其上生长的构建元件。
    2025-12-28
  • 用于照射多个植物的系统和方法
    用于照射多个植物的系统和方法_昕诺飞控股有限公司_202480032437.5
    公开了用于基于多个植物的至少一个中的叶绿素A/B比率来照射所述多个植物的系统和方法。该系统包括用于照射多个植物的照射系统和数据处理系统。照射系统包括一个或多个可控辐射源、和/或一个或多个可控辐射滤波器和/或辐射集中器。该数据处理系统被配置成...
    2025-12-28
  • 难溶性磷酸的利用方法和植物体的栽培方法
    难溶性磷酸的利用方法和植物体的栽培方法_株式会社水改质_202480017116.8
    本发明的课题在于，提供一种难溶性磷酸的利用方法，其能够简便地对土壌中的难溶性磷酸加以再利用。本发明为一种难溶性磷酸的利用方法，其特征在于，其对土壤中的难溶性磷酸加以有效利用，向包含难溶性磷酸的土壤中散布纳米气泡水，利用纳米气泡水由难溶性磷酸...
    2025-12-28
  • 一种异质结结构阈值选通开关材料、阈值选通器件及其制备方法
    一种异质结结构阈值选通开关材料、阈值选通器件及其制备方法_深圳大学_202511335119.9
    本发明公开一种异质结结构阈值选通开关材料、阈值选通器件及其制备方法；阈值选通器件包括衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的下电极、阈值选通开关材料和上电极；所述阈值选通开关材料包括n+1个合金层和n个功能层，所述n+1个合金层和n个功能层交替...
    2025-12-28
  • 一种基于Tl2NO2铁电金属调控的非易失存储器
    一种基于Tl2NO2铁电金属调控的非易失存储器_北京航空航天大学合肥创新研究院_202511223364.0
    本发明公开一种基于Tl2NO2铁电金属调控的非易失存储器，属于存储器技术领域；一种基于Tl2NO2铁电金属调控的非易失存储器包括：由下至上依次包括：衬底、电解质层以及电极层；电极层分布在电解质层上表面的两端；所述电解质层为单层MoS2，所述...
    2025-12-28
  • 一种量子隧道结的电阻调控方法
    一种量子隧道结的电阻调控方法_深圳量旋科技有限公司_202511317831.6
    本申请提供了一种量子隧道结的电阻调控方法，涉及量子技术领域。电阻调控方法包括：获取待调控的量子隧道结，量子隧道结包括叠加设置的第一电极层和第二电极层，且在第一电极层和第二电极层的交叠区域处，量子隧道结包括位于第一电极层和第二电极层之间的势垒...
    2025-12-28
  • 基于离子注入的约瑟夫森结电阻调控方法和系统
    基于离子注入的约瑟夫森结电阻调控方法和系统_深圳量旋科技有限公司_202511304627.0
    本发明公开了一种基于离子注入的约瑟夫森结电阻调控方法和系统。该方法包括：对约瑟夫森结进行正常态电阻测试；若低于目标电阻范围，采用预设的第一注入能量、第一注入剂量，对约瑟夫森结中的势垒层进行氧离子注入，以增加势垒层的氧离子含量；若高于目标电阻...
    2025-12-28
  • 一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法
    一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法_北京航空航天大学_202511648649.9
    本发明提供了一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法。本发明的磁性超导存储器，超导层利用超导态与正常态之间的电阻差异映射磁化状态；铁磁层作为可调节磁化的自由层，通过磁化方向影响超导层的超导临界电流的大小；重金属层通过自旋霍尔效应产生自旋轨道...
    2025-12-28
  • 一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法
    一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法_宁夏大学_202511272632.8
    本发明涉及一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法，属于二维磁性半导体材料技术领域，其技术要点为：该材料的化学式为Mo1‑xMnxS2，通过在Si(100)基底上沉积MoSe2缓冲层，引入与Mo1‑xMnxS2之间的晶格失配，...
    2025-12-28
  • 一种具有导电类a/c大角孪晶畴壁的超四方性BiFeO3薄膜及其制备方法
    一种具有导电类a/c大角孪晶畴壁的超四方性BiFeO3薄膜及其制备方法_华南师范大学_202511010562.9
    本发明提供一种具有导电类a/c大角孪晶畴壁的超四方性BiFeO3薄膜及其制备方法，具有导电类a/c大角孪晶畴壁的超四方性BiFeO3薄膜包括基底层以及依序设置于所述基底层上的电极层和掺镓铁酸铋层；所述掺镓铁酸铋层包括掺镓铁酸铋，其中Ga的掺...
    2025-12-28
  • 一种柱状SOT-MRAM存储器及其制备和写入方法
    一种柱状SOT-MRAM存储器及其制备和写入方法_西安交通大学_202511283978.8
    公开了一种柱状SOT‑MRAM存储器及其制备和写入方法，该存储器的存储单元中，中心纳米柱为具有自旋轨道耦合效应的材料制成的纳米柱；磁自由层包裹于中心纳米柱外侧，磁化方向为沿纳米柱结构轴向延伸，间隔层包裹于磁自由层外侧，磁参考层包裹于间隔层外...
    2025-12-28
  • 一种基于反铁磁交换偏置梯度无磁场翻转的自旋存储器件及制备方法
    一种基于反铁磁交换偏置梯度无磁场翻转的自旋存储器件及制备方法_杭州电子科技大学_202511197262.6
    本申请提供一种基于反铁磁交换偏置梯度无磁场翻转的自旋存储器件及制备方法。该器件包括多个最小存储单元，各单元含衬底层、缓冲层等，复合自由层含铁磁层、楔形交换偏置梯度控制层等，楔形层调控交换偏置场强度梯度实现无磁场磁化翻转。还给出各层优选材料及...
    2025-12-28
  • 磁性随机存储器及其制备方法
    磁性随机存储器及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410755684.X
    本发明提供了一种磁性随机存储器及其制备方法。该磁性随机存储器应用于比较电路中，包括：包括顺序层叠设置的自由层、势垒层和参考层的磁性隧道结；位于自由层远离参考层的一侧的自旋轨道力矩层，位于磁性隧道结远离自旋轨道力矩层的一侧的导电材料层，且导电...
    2025-12-28
  • 通过调控Mn3Sn晶面提高非传统自旋轨道力矩效率的制备方法及应用
    通过调控Mn3Sn晶面提高非传统自旋轨道力矩效率的制备方法及应用_湖北大学_202511284478.6
    本发明属于磁性存储器技术领域，具体涉及一种通过调控Mn3Sn薄膜晶面取向提高非传统自旋轨道力矩效率的制备方法及应用，包括：采用Mn3Sn合金靶材，(1)分别在Al2O3()单晶衬底和MgO(110)单晶衬底表面利用磁控溅射技术制备取向为()...
    2025-12-28
  • 压电元件
    压电元件_TDK株式会社_202510624480.7
    本发明涉及一种压电元件。压电元件包含压电素体。压电素体包括包含第一主面的第一区域和包含与第一主面相对的第二主面的第二区域。压电元件包括配置于第一区域的第一内部电极组和配置于第二区域的第二内部电极组。第一内部电极组和第二内部电极组分别包含在第...
    2025-12-28
  • 一种用于PZT光波导的脉冲极化装置及方法
    一种用于PZT光波导的脉冲极化装置及方法_浙江大学_202511103501.7
    本发明公开了一种PZT光波导的脉冲极化装置及方法。PZT光波导芯片包含硅衬底、二氧化硅下包层、PZT脊型光波导、二氧化硅上包层和两侧沉积的金电极；脉冲极化装置包括信号发生器、高压放大器、示波器和两根探针；两根探针分别穿插布置在PZT光波导芯...
    2025-12-28
  • 一种n型室温热电材料及其制备方法
    一种n型室温热电材料及其制备方法_北京师范大学_202511287071.9
    本发明属于热电材料制备技术领域，具体涉及一种n型室温热电材料及其制备方法。所述热电材料为Bi2Te2Se + 0.01 wt% BiI3。本发明首次制备得到了掺杂热电材料Bi2Te2Se + 0.01 wt% BiI3，通过掺杂优化，调整了...
    2025-12-28
  • 一种Au掺杂的高性能无机塑性热电材料及其制备方法
    一种Au掺杂的高性能无机塑性热电材料及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410751360.9
    本发明涉及一种Au掺杂的高性能无机塑性热电材料及其制备方法。所述Au掺杂的高性能无机塑性热电材料的化学式为Ag2‑xAuxS1‑yTey，其中0.001≤x＜0.1，0＜y＜1。所述Au掺杂的高性能无机塑性热电材料的制备方法包括：按照Au掺...
    2025-12-28
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