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最新专利技术
  • 一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法
    一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法_浙江大学_202511892844.6
    本发明涉及一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法，属于原子及近原子尺度极端制造领域，其先控制腔体内的湿度，之后通过xy轴电机运动平台将工件移动到待刻蚀位置，并通过z轴电机运动平台和xyz轴压电陶瓷扫描管将探针进给到工件表面，最后通过...
    2026-01-23
  • 金刚石异质结构制孔方法
    金刚石异质结构制孔方法_北京航空航天大学_202511863706.5
    本发明提供一种金刚石异质结构制孔方法，包括：提供一待加工异质结构，异质结构至少包括依次层叠设置的金刚石层、半导体膜层和金属层；金刚石表面涂覆光刻胶掩膜，依据目标制孔位置和尺寸，将激光束聚焦于光刻胶进行烧蚀去除；依据目标制孔位置和尺寸，采用对...
    2026-01-23
  • 碳化硅器件的制造方法
    碳化硅器件的制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202410921441.9
    本发明提供一种碳化硅器件的制造方法，在形成体区和源区之后，先执行退火工艺，以激活体区和源区中的离子；然后，在碳化硅外延层上形成图形化的层间介质层，图形化的层间介质层中具有一开口，开口对准相邻的两个源区之间的体区和碳化硅外延层；接着，以图形化...
    2026-01-23
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410924486.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，本公开提供一表面具有SiO22保护层的Si支撑衬底；减薄SiO22保护层，形成SiO22中间层；在SiO22中间层远离Si支撑衬底一侧设置Si生长衬底；在Si生长衬底远离Si支撑衬底一侧设置器件层。本公...
    2026-01-23
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510241369.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地调节吸附于衬底表面上的抑制剂的状态的技术。具有：(a)准备衬底的工序，所述衬底具有第1表面及第2表面且在所述第1表面及所述第2表面吸附有抑制剂；和b)使所述衬底暴露...
    2026-01-23
  • 一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β-Ga2O3异质外延薄膜的方法
    一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β-Ga2O3异质外延薄膜的方法_大连理工大学_202511476902.7
    本发明提供一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β‑Ga22O33异质外延薄膜的方法，包括以下步骤：选用蓝宝石单晶晶片作为衬底，将其清洗过后放入金属有机化学气相沉积设备中；以三甲基镓或三乙基镓为镓源，以氧气为氧源，生长厚度10 nm以下的β‑Ga...
    2026-01-23
  • 基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用
    基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用_东北师范大学_202511407947.9
    本发明公开了基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用，首先利用镓液态金属良好的流动性、浸润性使其在滴到β‑Ga22O33衬底上产生自流平效果，在凝固后，固态的金属与β‑Ga22O33衬底间界面处的共价键结合力强于β‑Ga22O33晶体...
    2026-01-23
  • 一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管
    一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管_安徽芯塔电子科技有限公司_202511389256.0
    本发明提供了一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管，它包括以下步骤：步骤一，对SiC外延层进行全片扫描，获取外延层厚度与掺杂浓度的二维分布图，所述二维分布图反映外延层在晶圆不同区域的均匀性差异；步骤二，根据步骤一获取的二维...
    2026-01-23
  • 二维半导体堆叠器件结构及其制备方法
    二维半导体堆叠器件结构及其制备方法_原集微(上海)电子有限公司_202511904162.2
    本发明提供一种二维半导体堆叠器件结构及其制备方法，通过第一层间介质层与第二层间介质层键合工艺，实现了二维半导体器件的三维垂直堆叠，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完整...
    2026-01-23
  • 一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构
    一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构_原集微(上海)电子有限公司_202511904161.8
    本发明提供一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构，通过直接生长第一二维半导体层及第二二维半导体层的方式，实现了垂直堆叠结构构建，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完整性...
    2026-01-23
  • 一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法
    一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511561038.0
    本发明公开了一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法。本发明设计的半导体外延薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法，能够高效的实现任意层数的晶圆级半导体外延薄膜正置堆叠，同时本发明方法可解决传统有机临时键合材料转移过程中存在的一致性差、温度...
    2026-01-23
  • 键合方法、复合衬底
    键合方法、复合衬底_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202410895048.7
    本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种键合方法、复合衬底。键合方法包括：准备支撑衬底、供体衬底和辅助衬底；采用对位键合平台进行支撑衬底、供体衬底、辅助衬底之间的键合，最终形成由上至下依次为支撑衬底、供体衬底、辅助衬底的第二键合体。将...
    2026-01-23
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202410935306.X
    提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，方法包括：提供衬底，在衬底上形成有第一层间介电层；刻蚀第一层间介电层以形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成第一极板层；形成覆盖第一极板层的铁电介质层；形成覆盖铁电介质层的第二极板层，第二极板层填充沟槽的...
    2026-01-23
  • 一种阻变存储器及其制作方法
    一种阻变存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511607238.5
    本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制作方法，阻变存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括第一金属互连层、第一介质层、第一阻变层、第二介质层、导电插塞、至少一个第一导电体和第二金属互连层；第一阻变层在通电后形成有导电细丝；第一阻变...
    2026-01-23
  • 一种利用光学调控实现计数的忆阻器件制备方法和应用
    一种利用光学调控实现计数的忆阻器件制备方法和应用_广西师范大学_202511462082.6
    本发明公开了一种忆阻器件的制备方法及使用该方法制得的忆阻器件和应用，这种方法制备的忆阻器件以光驱动多稳态忆阻特性为核心，在实现计数功能的同时，解决了传统纯电计数器的电路复杂、传输延迟、功耗过高、抗干扰能力差、集成度低等技术问题，为计数技术与...
    2026-01-23
  • 与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用
    与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用_河北大学_202511363212.0
    本发明提供了一种与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用。本发明所提供的与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法包括：在Si衬底上生长W底电极层；在W底电极层上通过钪靶和铝靶作为溅射靶材，利用直流溅射和高能量射频溅射法生长...
    2026-01-23
  • 利用钒或钛基轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法
    利用钒或钛基轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法_南京大学_202511475192.6
    本发明公开了一种利用金属钒或钛轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法。所述器件包括依次层叠的衬底、包含钒或钛层的轨道霍尔结构、以及与之相邻的重金属层、铁磁层。当电荷电流通过所述钒或钛层时，基于轨道霍尔效应产生横向的轨道电流，该轨道...
    2026-01-23
  • 一种基于CrBr3的自旋过滤磁性隧道结
    一种基于CrBr3的自旋过滤磁性隧道结_信阳职业技术学院_202511649206.1
    本发明提供一种基于CrBr33的自旋过滤磁性隧道结，属于自旋电子器件技术领域。采用两种二维范德华层状材料构建，具体结构为：以金属性1T相多层MoSe22作为非磁性NM电极，以半导体性双层CrBr33作为隧道磁势垒层，形成“MoSe22/双层...
    2026-01-23
  • 轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法
    轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法_山西师范大学_202511541642.7
    本发明属于自旋电子学器件技术领域，具体涉及轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法。在现有技术中，轨道电子学器件存在电流诱导垂直磁化铁磁层翻转需要外加磁场辅助的问题，这极大的限制了轨道电子器件在实际中的应用。为解决该问题，本发明提出两种...
    2026-01-23
  • 一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器
    一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器_杭州电子科技大学_202511537120.X
    本发明涉及一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器，包括薄膜结构，所述薄膜结构从下至上依次包括：缓冲层：重金属层：垂直磁各向异性层：稀土掺杂反铁磁层和保护层，本发明通过在共线反铁磁中掺入稀土元素的方式改变磁织构以打破体系对称性，并利用自...
    2026-01-23
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