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最新专利技术
  • 红外线光学元件
    红外线光学元件_旭化成微电子株式会社_202510963246.7
    本发明提供一种红外线光学元件，能够提高光学性能。红外线光学元件具备：基板(10)；单位元件，具备包含第一区域(211)和第二区域(212)的第一导电型半导体层(21)、活性层(22)及第二导电型半导体层(23)，第二区域、活性层及第二导电型...
    2026-03-18
  • 一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法
    一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511600759.8
    本发明公开了一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法，该太阳电池组件包括若干个柔性砷化镓太阳电池单体、互连片、并联汇流条、盖片胶层以及透明聚酰亚胺膜；每个柔性砷化镓太阳电池单体的金属正极与金属负极均位于柔性砷化镓太阳电池单体的正面，若干个柔性...
    2026-03-18
  • 光伏组件
    光伏组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202510218907.3
    本发明公开了一种光伏组件，该光伏组件包括：第一电池和第二电池，第一电池和第二电池在第一方向上间隔排布；多个电连接件，多个电连接件分别连接第一电池和第二电池，多个电连接件在第一方向上延伸且在第二方向上间隔设置，第一方向和第二方向垂直；其中，电...
    2026-03-18
  • 一种模块化的柔性太阳毯和卷绕式太阳翼
    一种模块化的柔性太阳毯和卷绕式太阳翼_北京昇帆科技有限公司_202511783388.1
    本发明提供一种模块化的柔性太阳毯，由多个模块组成，每个模块包括电池组件和长条形基板，所述长条形基板包括电路层和夹持所述电路层的第一覆盖层和第二覆盖层，所述电路层分为若干组平行排列的电缆线，每组电缆线包括1根正电缆线和1根负电缆线，在所述正电...
    2026-03-18
  • 太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411169981.2
    本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置；其中，太阳能电池包括：多个沿第一方向间隔排布的子电池，子电池包括基板、第一电极层、功能层以及第二电极层；其中，相邻的两个子电池包括第一子电池和第二子电池，第二子电池的第...
    2026-03-18
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411168123.6
    本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底，硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成凹槽；在第二表面上形成依次层叠的隧穿层、渐变掺杂结构以及氧化层；去...
    2026-03-18
  • 一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构
    一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构_南开大学_202511760307.6
    本发明公开了一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构，属于光伏技术领域。该结构以晶硅衬底为基础，在其至少一个表面依次设置有钝化层、载流子传输层和MXene透明导电层，所述MXene层表面制备有金属栅线电极。该结构可适配于硅异质结太阳能电...
    2026-03-18
  • 静电放电保护装置及静电放电保护电路
    静电放电保护装置及静电放电保护电路_世界先进积体电路股份有限公司_202411142113.5
    本发明实施例提供静电放电保护装置及静电放电保护电路。静电放电保护装置包括设置于P型半导体衬底中的深N型阱区、第一至第五阱区、第一至第五P型掺杂区、第一及第二N型掺杂区。第一至第五阱区设置于深N型阱区上。第一至第五P型掺杂区分别设置于第一至第...
    2026-03-18
  • 通过使用decap扩散长度晶体管解决电源噪声降低的集成阱分接单元设计
    通过使用decap扩散长度晶体管解决电源噪声降低的集成阱分接单元设计_恩智浦有限公司_202511174639.6
    本公开提供一种集成电路装置以及相关联的制造和操作方法，其具有安置在具有第一和第二区的半导体衬底上方的标准阱分接单元，其中所述标准阱分接单元包括安置在所述第一区中的第一多个LOD保护晶体管之间的第一系杆晶体管，以及安置在所述第二区中的第二多个...
    2026-03-18
  • 集成电路
    集成电路_三星电子株式会社_202510529347.3
    示例集成电路包括沿第一方向延伸的第一层和设置在第一层下方的第二层。第二层沿与第一方向垂直的第二方向延伸，第二层电连接到第一层，并且与多个标准单元当中的第一标准单元的第一信号引脚相对应。第一层在第二方向上的位置与第一方向上多个标准单元的多个单...
    2026-03-18
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置_苏州国显创新科技有限公司_202511746851.5
    本发明提供了阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，解决了现有技术中像素驱动电路占据面积较大而难以提升像素密度的问题。本发明的阵列基板包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，第二像素驱动电路位于第一像素驱动电路背离衬底的一侧，呈阵列设置的...
    2026-03-18
  • 电子装置以及其制造方法
    电子装置以及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411124921.9
    本发明提供一种电子装置以及其制造方法，电子装置包括可挠式基板、电路层、第一电子单元与第二电子单元。可挠式基板包括主部分与弯曲部分，弯曲部分连接主部分。电路层设置在可挠式基板上，并包括第一接垫与第二接垫，第一接垫设置在主部分上，第二接垫设置在...
    2026-03-18
  • 集成电路装置和形成集成电路装置的方法
    集成电路装置和形成集成电路装置的方法_三星电子株式会社_202511100602.9
    提供了集成电路装置和形成集成电路装置的方法。所述集成电路装置包括：堆叠晶体管结构，在基底上。堆叠晶体管结构包括第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管中的每个晶体管包括多个沟道图案，所述多个沟道图案在第一方向上在源...
    2026-03-18
  • 绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管
    绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510943080.2
    本发明涉及绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管，揭露用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括绝缘体上硅衬底，该绝缘体上硅衬底包括半导体层、半导体衬底、以及位于该半导体层与该半导体衬底间的介电层。该...
    2026-03-18
  • 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510923284.X
    一种半导体器件包括：第一下外延图案，在栅极结构的一侧，其中，第一下外延图案连接到下有源图案；第一上外延图案，在栅极结构的另一侧，其中，第一上外延图案连接到上有源图案；切割图案，与下有源图案和上有源图案间隔开，与栅极结构相邻，并且沿第一方向延...
    2026-03-18
  • 具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域
    具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域_英特尔公司_202510913944.6
    本公开涉及具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域。本文提供了用于形成具有半导体器件的集成电路的技术，该半导体器件在半导体主体(例如，纳米带、纳米线或纳米片)之间具有低k内部电介质间隔体。电介质间隔体可以包括任何合适的低k电介质材料。另外，可...
    2026-03-18
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510702538.5
    提供了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，以及制造方法。在一方面中，半导体器件包括：基板，基板包括上表面和下表面；栅极结构，栅极结构在第一方向上具有第一长度并且设置在基板上；漏极区，漏极区在栅极结构的第一侧从基板的上表面延伸；源极区...
    2026-03-18
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511129387.5
    提供了一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管(FET)，包括第一源极/漏极图案；第二FET，包括第二源极/漏极图案，在第一FET的垂直上方；第一侧间隔物，在第一源极/漏极图案的右侧表面上，第一侧间隔物包括隔离材料；以及前侧接触结构，在第二源...
    2026-03-18
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511129194.X
    一种半导体器件包括：基底图案；第一金属结构，在第一方向上穿透基底图案；至少一个栅极结构，包括在第一方向上设置在第一金属结构上的栅电极；第二金属结构，在第一方向上穿透基底图案并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一金属结构相邻；以及源极/漏极结...
    2026-03-18
  • 具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法
    具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510717130.5
    本公开涉及具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法。描述了一种具有晶体管结构的半导体器件。晶体管结构包括：从衬底垂直突出并沿第一水平方向延伸的鳍式有源区；以及与鳍式有源区交叉并沿第二水平方向延伸的栅极结构。栅极结构包括：设置于鳍式有...
    2026-03-18
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