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最新专利技术
  • 一种多孔径通孔的玻璃基板及制造方法
    一种多孔径通孔的玻璃基板及制造方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511739372.0
    本发明提出了一种多孔径通孔的玻璃基板，包括：玻璃芯层；贯穿所述玻璃芯层的通孔，其中至少部分通孔的孔径大于100 μm；所述通孔包含多个间隔设置的微孔区和隔离区，其中：微孔区，所述微孔区被金属填充，微孔区孔径小于通孔孔径，且小于等于100um...
    2026-03-15
  • 基板及其制备方法、芯片载板
    基板及其制备方法、芯片载板_苏州国显创新科技有限公司_202511735338.6
    本申请实施例提供的一种基板及其制备方法、芯片载板，基板用于芯片载板中，基板包括本体部、渗透部以及导电部，本体部具有开孔，开孔具有侧壁和端壁，侧壁位置处具有导电性；渗透部具有导电性，渗透部设置于开孔中且至少部分渗透于端壁中以使端壁具有导电性；...
    2026-03-15
  • 一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法
    一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610105855.3
    本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法。本发明通过在扇出型封装结构中引入垂直打线与铜柱相结合的混合垂直互连方式，在不采用硅通孔或硅中介层的情况下，实现了计算芯片与存储芯片的高密度三维集成，有...
    2026-03-15
  • 多芯片并联式功率模块
    多芯片并联式功率模块_格至控智能动力科技(上海)有限公司_202511789891.8
    本申请提供了一种多芯片并联式功率模块，包括：基板、功率芯片、连接件、功率端子、信号端子和塑封体；功率芯片设置在基板上，包括沿基板的长度方向间隔设置的上桥芯片集合和下桥芯片集合，上桥芯片集合和下桥芯片集合均包括沿基板的宽度方向间隔设置的两列芯...
    2026-03-15
  • 低杂感半桥功率模块
    低杂感半桥功率模块_格至控智能动力科技(上海)有限公司_202511787174.1
    本申请提供了一种低杂感半桥功率模块，包括：基板、功率芯片、连接件、功率端子、信号端子和塑封体；功率芯片包括沿基板的长度方向间隔设置的上桥芯片组和下桥芯片组；功率端子包括位于基板的第一条短边处的输出端，以及位于基板的第二条短边处的正极输入端和...
    2026-03-15
  • 半导体封装结构及制作方法
    半导体封装结构及制作方法_上海南芯半导体科技股份有限公司_202511728276.6
    本申请提出了一种半导体封装结构及制作方法，涉及器件封装技术领域。本申请提供的半导体封装结构包括第一芯片、绝缘保护层、绝缘粘结层和封装框架。第一芯片包括衬底和芯片本体。芯片本体设置于衬底的一侧。绝缘保护层通过热固性树脂组合物的固化反应形成并连...
    2026-03-15
  • 一种分立器件铜烧结压接装置及制备方法
    一种分立器件铜烧结压接装置及制备方法_重庆师范大学_202511726749.9
    本发明涉及功率器件制造技术领域，尤其涉及一种分立器件铜烧结压接装置及制备方法。本发明包括用于对器件进行压接的底座，底座的顶部装配有压接机构，压接机构包括容纳腔和固定装置。本发明通过纳米铜“低温烧结、高温服役”特性，使TO247‑3L封装焊料...
    2026-03-15
  • 具有电绝缘可压缩主体的功率电子装置和插头连接器组件
    具有电绝缘可压缩主体的功率电子装置和插头连接器组件_英飞凌科技股份有限公司_202511167169.0
    公开了一种功率电子装置，其包括壳体内的一个或多个功率半导体管芯、电连接到一个或多个功率半导体管芯的多个端子、以及可压缩主体。每个端子具有在壳体的一侧暴露的接触端。第一端子被配置用于比所述端子中的其他端子更高的电势。可压缩主体是电绝缘的并且沿...
    2026-03-15
  • 具有用于承载并连接电子部件的更薄和更厚的载体的封装
    具有用于承载并连接电子部件的更薄和更厚的载体的封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511136806.8
    公开了一种封装(100)，包括：第一载体(102)，包括部件安装区域(104)；第二载体(106)，包括至少一个引线区段(108)；至少一个电子部件(109, 111)，安装在所述部件安装区域(104)上；以及包封体(112)，包封至少一个...
    2026-03-15
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202411161854.8
    本申请提供一种芯片封装结构及电子设备，涉及芯片封装技术领域，能够降低回波损耗。该芯片封装结构中包括芯片、多个第一键合线、至少一个第二键合线，还包括内部框架和多个外部引脚，或设置有表层走线的基板。其中，芯片设置在内部框架表面，多个外部引脚分布...
    2026-03-15
  • 一种引线键合的扇出型封装结构的制备方法
    一种引线键合的扇出型封装结构的制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610122273.6
    本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种引线键合的扇出型封装结构的制备方法。在临时载体的表面制备临时键合胶层，在临时键合胶层上制备重布线层，将整体切割成条状结构，在每个条状结构的重布线层表面贴装和堆叠存储芯片形成芯片组，对芯片组打线，用塑封...
    2026-03-15
  • 一种DPC陶瓷基板及其制备方法
    一种DPC陶瓷基板及其制备方法_汕尾市栢林电子封装材料有限公司_202511816502.6
    本发明公开一种DPC陶瓷基板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1.在陶瓷基板表面通过磁控溅射依次沉积Ti层与Cu层，形成复合种子层；S2.在复合种子层上沉积Sn层；S3.将铜箔压覆于Sn层表面，制得覆有铜箔的陶瓷基...
    2026-03-15
  • 封装载板及其制作方法和封装结构
    封装载板及其制作方法和封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511786971.8
    本申请提供了一种封装载板及其制作方法和封装结构。封装载板的制作方法包括：在基材的一侧制备牺牲层；开设贯穿牺牲层的至少一个开口，并对基材进行改性得到至少一个改性区域，开口在基材上的正投影至少部分覆盖改性区域；获取牺牲层中开口的位置，识别牺牲层...
    2026-03-15
  • 转接板的制备方法、转接板及封装结构
    转接板的制备方法、转接板及封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511785931.1
    本申请提供了一种转接板的制备方法、转接板及封装结构，本申请通过在至少一个衬底基板的表面的种子层上形成阻挡层，避免在通孔内填充导电材料时，在衬底基板表面上的种子层背离衬底基板的一侧沉积大量导电材料，在制备金属走线时无需使用化学机械抛光工艺去除...
    2026-03-15
  • 转接板的制备方法、转接板及芯片封装结构
    转接板的制备方法、转接板及芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511785368.8
    本申请提供一种转接板的制备方法、转接板及芯片封装结构，该转接板的制备方法包括：在基板的第一表面上形成至少一个孔；在第一表面上沉积导电浆料，使得导电浆料覆盖孔，导电浆料包括纳米金属；将基板置于电场或磁场中，使得导电浆料在电场或磁场作用下移动以...
    2026-03-15
  • 转接板的制备方法、转接板及封装结构
    转接板的制备方法、转接板及封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511783849.5
    本申请提供一种转接板的制备方法、转接板及封装结构，转接板的制备方法包括去除金属块的部分，形成多个间隔设置的金属柱在金属柱背离承载板的一侧涂覆液态绝缘材料；对液态绝缘材料进行固化。本申请在金属柱背离承载板的一侧涂覆液态绝缘材料，而非在基板上打...
    2026-03-15
  • 一种IC载板嵌入式多芯片互连桥接凹槽加工方法
    一种IC载板嵌入式多芯片互连桥接凹槽加工方法_淄博芯材集成电路有限责任公司_202511750987.3
    本申请涉及一种IC载板嵌入式多芯片互连桥接凹槽加工方法，属于载板加工技术领域，包括如下步骤：S01、基板预处理；S02、铜面粗化与有机皮膜制备；S03、层压；S04、铜层黑化；S05、凹槽加工。本申请通过激光烧蚀进行凹槽加工，异物少，无毛刺...
    2026-03-15
  • 一种用于控制TGV晶圆孔洞凹陷深度的磨抛方法
    一种用于控制TGV晶圆孔洞凹陷深度的磨抛方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511635840.X
    本发明公开了一种用于控制TGV晶圆孔洞凹陷深度的磨抛方法，包括如下步骤：S1：提供TGV晶圆，其表面依次形成有金属种子层和位于金属种子层上的铜层；S2：采用第一研磨液对铜层进行第一次磨抛以快速去除大部分铜层；S3：采用第二研磨液对剩余的铜层...
    2026-03-15
  • 一种隔离电容结构、制备方法及芯片
    一种隔离电容结构、制备方法及芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202511506279.5
    本申请公开了一种隔离电容结构、制备方法及芯片，属于集成电路技术领域。隔离电容结构包括：下极板、上极板和位于下极板和上极板之间的绝缘叠层；上极板屏蔽环，与上极板同层布置；第一钝化层，位于上极板和上极板屏蔽环之间，第一钝化层设有沟槽结构，沟槽结...
    2026-03-15
  • 包含跨电感器电压调节器的竖直电力递送模块
    包含跨电感器电压调节器的竖直电力递送模块_德州仪器公司_202511115415.8
    本公开针对包含跨电感器电压调节器的竖直电力递送模块。一种电力模块(110)包含衬底(320)，衬底具有第一和第二表面以及第一、第二和第三金属互连件。第一表面上的半导体裸片(310)耦合到第一金属互连件。包封材料(338)具有第三表面和相对的...
    2026-03-15
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