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  • 本发明公开了一种提高镀膜均匀性的进气系统,其属于半导体设备技术领域,所述进气系统包括晶圆放置平台、转接件和屏蔽件,所述晶圆放置平台设置在反应腔室内,所述转接件设置在反应腔室的内侧壁,所述屏蔽件设置在转接件和晶圆放置平台之间,所述转接件内设有...
  • 本发明涉及金属靶材制备技术领域,公开了一种圆柱金属钍靶材的制备方法,包括以下步骤:取金属钍粉末放入圆柱模具中进行静压成型,脱模后得到金属钍素胚;取多个所述金属钍素胚堆叠于圆柱坩埚内并置于熔炼设备中,抽真空至负压状态后升温进行熔炼,待金属钍素...
  • 本发明涉及金属靶材制备技术领域,公开了一种金属钍靶材的制备方法,包括以下步骤:取金属钍粉末放入模具中进行静压成型,得到金属钍素胚;取多个金属钍素胚,分别在各个金属钍素胚表面涂敷惰性粉末,将多个金属钍素胚一同置于内部平铺有惰性粉末的烧结容器中...
  • 本发明涉及金属靶材制备技术领域,公开了一种高致密性金属钍靶材的制备方法,包括以下步骤:取金属钍粉末研磨细化后进行两次筛网过筛,得到金属钍细粉;将金属钍细粉转移至模具中静压成型,脱模后得到金属钍素胚;将金属钍素胚置于两个惰性材料垫片之间并置于...
  • 本发明公开了一种塑钢复合结构件表面镀膜设备及处理工艺。涉及镀膜处理技术领域,该设备包括架体、反应装置、真空装置、压差调整装置、至少一组进气装置以及控制系统。压差调整装置设有调节筒和可移动的调节活塞,用于在反应气体注入过程中通过改变调节筒的有...
  • 本发明属于硬质合金涂层刀具技术领域,具体涉及一种用于高硬材料铣削加工的硬质合金涂层刀片及其制备方法。所述用于高硬材料铣削加工的硬质合金涂层刀片的制备方法,包括配料湿磨、干燥制粒、压制成型、烧结及沉积涂层。本发明采用电弧离子镀技术,通过AlT...
  • 本发明公开一种锰掺杂铁酸铋薄膜体系材料的制备方法,薄膜材料为BiFe1‑xMnxO3(其中x=0.05‑0.30),本发明采用溶胶‑凝胶法,以硝酸锰、五水硝酸铋和九水硝酸铁为原料,柠檬酸为螯合剂,经溶解、陈化、干燥形成干凝胶;随后将干凝胶研...
  • 本发明涉及刀具生产技术领域,且公开了一种刀具表面高性能复合氮化物涂层的沉积系统,解决了刀具表面高性能复合氮化物涂层的沉积装置在使用的过程中,在进行安装调试时,无法根据实际需要进行高度调节的问题,其包括安装底座,安装底座为工字型结构,安装底座...
  • 本申请公开了单晶镍薄膜、制备方法及其应用,涉及纳米材料加工技术领域,单晶镍薄膜的制备方法包括:在衬底上沉积镍薄膜;在镍薄膜的至少部分外周侧形成与镍薄膜连接的施力部,获得待分离对象;施力部由柔性聚合物材料形成;以施力部作为剥离作用区域,将待分...
  • 本发明提供了一种球形滚珠镀膜机构及球形滚珠镀膜装置,镀膜机构包括转动件、导向结构以及用于放置滚珠的托盘组件,所述托盘组件具有供所述滚珠滚动的滚动面,所述转动件与所述托盘组件活动连接,驱动所述托盘组件绕第一方向转动,所述托盘组件由所述导向结构...
  • 本发明属于涂层材料技术领域,具体涉及一种(TiAlCrZrTa)Nx高熵合金薄膜及其制备方法,以该高熵合金薄膜的总原子数为基准,其合金元素组成包括:Ti的原子百分数为10‑20%,Al的原子百分数为10‑20%,Cr的原子百分数为10‑20...
  • 本发明涉及一种空间强辐照环境下具有长寿命的二硫化钨纳米多层复合膜及其制备方法,属于表面工程技术领域。包括自下而上依次设置在金属基体上的Ti或Cr过渡层、纳米交替层;纳米交替层自下而上以一层Ti‑WS2膜和一层Ag‑Cu膜为一个周期重复交替。...
  • 本发明提供一种掩模框架、掩模组件和蒸镀装置,掩模框架用于支撑固定掩模板,所述掩模框架包括框架主体,所述框架主体的第一区域上设置连接件,所述连接件被配置为与掩模板固定连接,所述连接件与所述框架主体可拆卸连接,且所述连接件在所述框架主体上的正投...
  • 本发明公开了一种通过设计金属掩膜版的外围区域提高张网的精密度的方法,属于掩膜版领域,该方法为:在金属掩膜版的外围区域上进行针对张网时开口区域因为受力而导致呈现弧线形状的反向补偿。本发明提高金属掩膜版的位置精密度。
  • 本发明涉及掩模和掩模的制造方法。掩模包含金属层。金属层包含第3面、位于第3面的相反侧的第4面、和从第3面向第4面贯通的复数个第2开口。金属层包含形成有复数个第2开口的有效区域、和包围有效区域的周缘区域。周缘区域具有与有效区域相邻并以周状包围...
  • 本发明涉及掩模的制造方法及掩模。掩模的制造方法可以具备:基材准备工序,准备包含基材第1面和位于基材第1面的相反侧的基材第2面的基材;第1绝缘层形成工序,形成包含与基材第2面对置的绝缘第1面、位于绝缘第1面的相反侧的绝缘第2面和从绝缘第1面向...
  • 本发明公开了一种用于PVD设备腔室的穹顶挡板及其使用方法,其属于半导体设备技术领域,所述穹顶挡板包括设置在腔室内的气体分配盘,气体分配盘位于腔室的进气口下方,气体分配盘上均匀设有若干气孔,气体分配盘下方设有若干固定支架,固定支架一端与腔室的...
  • 本发明涉及一种内壁含抗氧化渗层的超长不锈钢管及其制备方法,属于超超临界火电用不锈耐热钢技术领域。制备方法包括管体的制备,将管体水平放置,加入渗剂,然后将管体两端封闭;将加入渗剂的管体置于步进式加热炉中加热,使所述管体沿自身轴向旋转;沿所述管...
  • 本发明公开了一种环形复杂结构组合件的局部渗铝工装夹具及装夹方法。工装包括外圈和内圈,外圈由第一上结构与第二下结构通过凸柱与凹槽嵌合配合形成,内圈由第三上结构与第四下结构通过相同方式形成;外圈设有周向均布的外耳,内圈设有周向均布的内耳,均开设...
  • 本发明涉及的一种涡轮叶片的内外表面同炉气相渗铝装置及其渗铝方法,包括:炉壳,炉壳的内部设有炉腔;炉壳和炉腔之间设有加热元件和保温层;隔板,横向设置于所述炉腔内,将炉腔分隔为上气室和下气室,隔板上设有用于安装涡轮叶片的隔板通孔;叶片夹具,用于...
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