Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种用于提高布达佩斯致病杆菌中福莱菌肽产量的5’UTR文库、重组表达载体、基因工程菌及其应用
    一种用于提高布达佩斯致病杆菌中福莱菌肽产量的5’UTR文库、重组表达载体、基因工程菌及其应用_中国农业科学院植物保护研究所_202511748830.7
    本申请公开了一种用于提高布达佩斯致病杆菌中福莱菌肽产量的5’UTR文库、重组表达载体、基因工程菌及其应用，属于微生物遗传工程技术领域。本申请以布达佩斯致病杆菌XBD101为出发菌株，基于其16S rRNA 3'端互补序列设计SD区域，通过调...
    2026-03-18
  • 一种硅棒自动粘接线及其粘接方法
    一种硅棒自动粘接线及其粘接方法_曼弗莱德智能制造(江苏)有限公司_202511749197.3
    本发明公开一种硅棒自动粘接线及其粘接方法，属硅棒粘接技术领域。其包括依次设置的输送线体、清洁工位、涂胶工位、粘合工位、机械臂及控制部。输送线体用于硅棒进出料，清洁工位清洁硅棒端面。涂胶工位含定位部和点胶部，定位部有定位载台和定位驱动电机，定...
    2026-03-18
  • 一种硅棒粘接涂胶工艺及其装置
    一种硅棒粘接涂胶工艺及其装置_无锡晶澳卫蓝新能源科技有限公司_202511663503.1
    本发明公开了一种硅棒粘接涂胶工艺及其装置，涉及圆形硅棒粘接技术领域，S1：确定待粘接硅棒开方后的目标方棒截面尺寸，截面为矩形；S2：根据所用胶水的粘接性能确定内收尺寸c，基于A、B和c计算得到实际涂胶区域的尺寸；S3：将第一硅棒垂直固定，使...
    2026-03-18
  • 硫化锌板材热等静压处理方法
    硫化锌板材热等静压处理方法_安徽光智科技有限公司_202511886513.1
    硫化锌板材热等静压处理方法包括步骤：S1，利用硫化锌板材热等静压用工装将多个在长度和宽度上相同的硫化锌板材竖直放置且按硫化锌板材的厚度方向排列并夹紧，其中，硫化锌板材为化学气相沉积制备的多光谱硫化锌多晶；S2，将硫化锌板材热等静压用工装连同...
    2026-03-18
  • 一种高均匀性磷化铟晶体生长方法
    一种高均匀性磷化铟晶体生长方法_中锗科技有限公司_202610040634.2
    本发明公开了一种高均匀性磷化铟晶体生长方法，在晶体生长阶段，进行如下操作：梯度降温控制：以 0.1‑0.3℃/h 的速率降低加热炉下区温度，上区温度保持 1070℃不变，形成自上而下的温度梯度，轴向温差控制在 10‑15℃/cm，诱导熔体从...
    2026-03-18
  • 一种碳化硅单晶及其制备方法
    一种碳化硅单晶及其制备方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511940959.8
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶及其制备方法。本发明提供了一种碳化硅单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳化硅粉料装填至坩埚底部，进行振实处理；将碳化硅籽晶固定于坩埚盖顶部的籽晶托上，采用等离子体对碳化硅籽晶生长面...
    2026-03-18
  • 一种增强液相法碳化硅溶液体系溶质传输的结构和方法
    一种增强液相法碳化硅溶液体系溶质传输的结构和方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511647057.5
    本申请提供一种增强液相法碳化硅溶液体系溶质传输的结构和方法，涉及碳化硅半导体材料制备的技术领域。包括坩埚、籽晶托、籽晶杆和生长筒；所述坩埚用于盛放熔融体，所述籽晶杆与所述籽晶托连接，所述籽晶托连接有籽晶；所述生长筒与所述坩埚连接，所述籽晶托...
    2026-03-18
  • IV族化合物外延合金薄膜的制备方法
    IV族化合物外延合金薄膜的制备方法_浙江大学_202610140899.X
    本申请公开了一种IV族化合物外延合金薄膜的制备方法。涉及半导体合金薄膜生长技术领域，该方法包括：在反应衬底表面放置预设原子摩尔比的初始硅单晶颗粒和目标掺杂IV族金属单晶颗粒；在制备装置内达到目标真空度和目标加热温度后，目标掺杂IV族金属单晶...
    2026-03-18
  • 单晶炉和拉晶工艺
    单晶炉和拉晶工艺_青海晶科能源有限公司_202610129499.9
    本申请实施例涉及单晶炉技术领域，提供一种单晶炉和拉晶工艺，单晶炉包括坩埚和加热器，所述加热器设置于所述坩埚的外周；内保温筒，所述内保温筒设置于所述坩埚的外周，所述内保温筒和所述加热器沿所述单晶炉的高度方向依次设置；外保温筒，所述坩埚、所述加...
    2026-03-18
  • 一种变径变拉速引晶制备硅单晶的方法
    一种变径变拉速引晶制备硅单晶的方法_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202511889211.X
    本发明公开了一种变径变拉速引晶制备硅单晶的方法，属于直拉法半导体硅材料制备技术领域。该方法在引晶阶段，控制籽晶的直径在最大直径与最小直径之间周期性变化，同时控制籽晶的提拉速度在最大拉速与最小拉速之间周期性变化。通过直径与拉速的协同周期性变化...
    2026-03-18
  • 一种用于BC电池的单晶硅材料及其制备方法和应用
    一种用于BC电池的单晶硅材料及其制备方法和应用_青海高景太阳能科技有限公司_202511801812.0
    本发明提供了一种用于BC电池的单晶硅材料及其制备方法和应用，涉及光伏技术领域。具体而言，所述单晶硅材料中掺杂元素包括磷且不包含氢；在所述单晶硅材料的径向上，磷浓度由中心向边缘递减。本发明主要用于解决在掺杂中使用氢元素易导致硅材料长期稳定性下...
    2026-03-18
  • 硅片以及硅片的制备方法
    硅片以及硅片的制备方法_青海晶科能源有限公司_202511741654.4
    本申请实施例涉及直拉硅单晶技术领域，提供一种硅片以及硅片的制备方法，该硅片对角线上的电阻率偏差小于或等于10%，硅片包括砷元素，砷元素的浓度范围为1.38E+15at/cm3~1.56E+16at/cm3，硅片的氧含量小于或等于2.5E+1...
    2026-03-18
  • 一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法
    一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法_有研半导体硅材料股份公司_202511698804.8
    本发明公开了一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法，该方法包括：在区熔高频加热线圈下方设置多匝线圈，多匝线圈上沿距离高频加热线圈的距离5‑15mm范围内可调，在单晶生长过程中，高频加热线通入高频交变电流，多匝线圈中通入冷却水，控制高频感应加...
    2026-03-18
  • 一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法
    一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法_陕西电子芯业时代科技有限公司_202511572729.0
    本发明提供一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法，包括以下步骤：S1、对置于所述气相沉积设备内的基底通入硅源气体，执行第一CVD工艺以在所述基底上形成多晶硅底晶层。本发明提供的一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法，通过第一CVD工艺形成多晶硅底晶...
    2026-03-18
  • 设有旋转组件的半导体生长设备
    设有旋转组件的半导体生长设备_申集半导体科技(徐州)有限公司_202610105950.3
    本发明提供了一种设有旋转组件的半导体生长设备，包括反应腔室、设于反应腔室内的基座、用于驱动基座旋转的旋转组件、气体注入装置、轴杆、压头结构和弹性组件；基座的顶面设有对接部；气体注入装置设于反应腔室并与基座的顶面相对，气体注入装置设有若干供气...
    2026-03-18
  • 一种用于生产金刚石半导体的MPCVD设备的腔体结构
    一种用于生产金刚石半导体的MPCVD设备的腔体结构_承德市天乾地坤科技股份有限公司_202511582054.8
    本发明公开了一种用于生产金刚石半导体的MPCVD设备的腔体结构，包括从上至下依次连接设置的微波腔体组件、主腔体组件、下腔体组件和波纹管组件，微波腔体组件包括第一水冷组件和风冷组件，主腔体组件、下腔体组件和波纹管组件内升降设置有载物台组件，载...
    2026-03-18
  • 垂直液相外延生长石墨工装、生长装置及生长方法
    垂直液相外延生长石墨工装、生长装置及生长方法_武汉高芯科技有限公司_202511659668.1
    本发明提供了一种垂直液相外延生长石墨工装、生长装置及方法，该石墨工装包括样品架和传动杆，所述样品架包括样品架基座、用于固定衬底的衬底架以及用于带动衬底架在水平生长位和倾斜沥液位之间转动的调节组件，所述衬底架通过所述调节组件连接于所述样品架基...
    2026-03-18
  • 改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法
    改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202610154124.8
    一种改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法，包括：在重掺拉制单晶硅棒时，当晶棒进入等径阶段时，依据第一预定等径长度对Gap值进行调整；所述第一预定等径长度包括第一一预定长度、第一二预定长度及第一三预定长度；在第一一预定长度内，保持第一...
    2026-03-18
  • 一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法
    一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法_北京晶格领域半导体有限公司_202610131078.X
    本发明提供了一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。该装置包括坩埚主体、设有开口的坩埚盖、籽晶杆和温度调节装置；籽晶杆的一端连接承载籽晶的籽晶托，生长过程中籽晶托置于坩埚主体内，另一端套设有温度调节装...
    2026-03-18
  • 一种单晶硅生长补锑方法、装置及系统
    一种单晶硅生长补锑方法、装置及系统_双良节能系统股份有限公司_202511948728.1
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种单晶硅生长补锑方法、装置及系统，通过采集单晶硅棒埚的熔体电阻率、温度梯度值及锑浓度测量值；将熔体电阻率与温度梯度值输入预训练的LSTM时序预测模型，得到目标时段之后的锑浓度预测值；将锑浓度测量值与锑浓...
    2026-03-18
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证