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  • 本发明实施例涉及等离子喷涂技术领域,且公开了基于等离子喷涂的火电水冷壁抗腐蚀抗磨损复合涂层及其制备方法,所述方法包括以下步骤:基体预处理,对火电水冷壁基体表面进行喷砂粗化和清洁处理,制备粘结层,通过采用特定顺序和厚度范围的多层复合结构设计,...
  • 本发明涉及高温防护涂层技术领域,且公开了一种通过蒸馏五氯化钽()在石墨基表面制备高纯碳化钽(TaC)涂层的方法,该方法首先将高纯与无水正丁醇或乙醇混合制备稳定前驱体溶液;然后对石墨基体进行真空除气和等离子刻蚀预处理,形成高活性粗糙表面;随后...
  • 本发明公开了一种用于锆合金表面的Cr‑Si合金涂层及其制备方法与应用。该Cr‑Si合金涂层包括依次形成于锆合金基体表面的原位扩散阻挡层及Cr‑Si熔覆层,该Cr‑Si合金涂层是采用超高速激光熔覆后再高温真空退火形成的;在其外表面至锆合金基体...
  • 本发明提供了一种轴类工件表面完整性智能激光熔覆磨削方法及系统。预设裂纹深度数值为安全裂纹深度尺寸,在某一缺陷处的裂纹深度大于该预设裂纹深度数值时,即可判定该工件报废。缺陷处三维尺寸信息和空间位置信息能够判定缺陷处的具体尺寸和位置,进而实现了...
  • 本发明公开了一种中心落煤管激光表面熔敷强化材料及其制备方法,属于涂层结构技术领域。上述中心落煤管激光表面熔敷强化材料包括中心落煤管表面的过渡涂层和强化涂层。本发明制备工艺简单,流程快,成本低,具备规模化生产和工业化应用的前景;所得中心落煤管...
  • 本发明提供一种可编程控制的多激光束模块化激光熔覆头及熔覆方法。所述可编程控制的多激光束模块化激光熔覆头包括:传输光纤一、传输光纤二、准直器一、准直器二、反射镜一、反射镜二、连接机构、固定支座、可调位移台、和安装于可调位移台上的固定块与移动块...
  • 本发明公开了一种基于纳米析出相与界面阻氢屏障的高熵合金涂层及制备方法和应用,属于金属表面防护技术领域。为解决现有抗氢涂层氢陷阱单一、界面氢渗透防护不足、力学与抗氢性能难以协同提升的技术问题。本发明创新性地通过过渡金属元素在原位形成纳米级析出...
  • 本发明公开了一种具有梯度耐磨陶瓷复合涂层的刹车盘,属于汽车制动系统技术领域。该刹车盘包括刹车盘基体,并在其摩擦表面上通过激光熔覆技术依次制备有三层功能不同的梯度复合涂层,从内至外分别为结合过渡层、硬质支撑层和功能陶瓷层。结合过渡层采用Fe基...
  • 本申请公开一种金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件。金属带线的局部金属化方法包括:利用夹具对金属带线的待处理区域进行定位和遮蔽,使金属带线的表面形成至少一个裸露的预定区域,而其余表面被遮蔽;对金属带线表面的预定区域进行清理,以去除...
  • 本发明涉及特种表面处理技术领域,具体涉及一种轴承抗电蚀特种表面处理方法及轴承,处理方法包括特种表面处理与活化、黑化处理、硅烷偶联剂微孔修饰、130‑140℃高温浸油、水性聚氨酯可控聚合封膜、表面精整与均化及电阻率测试。该设计无需大幅改动轴承...
  • 本发明提供耐腐蚀合金丝卷材一体钝化工艺,本发明涉及金属表面处理技术领域,包括如下步骤:S1、根据卷筒尺寸朝着容纳槽内添加钝化液体,控制钝化液体淹没第一承载轨道上端卷筒表面的合金丝卷材;S2、通过夹持调压装置改变卷筒中空内部压强大小;S3、预...
  • 本发明公开了一种钝化液及其制备方法以及金属复合涂层的施工工艺,要解决的问题是热喷涂阳极金属涂层后裸露的钢铁基体表面的有效钝化处理问题,针对钢铁基体及其表面同时存在的热喷涂阳极金属涂层在钝化阶段发生的双金属原电池效应问题,本钝化液综合利用植酸...
  • 本发明公开了一种电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法,涉及电池保护芯片封装领域。电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法,包括以下步骤:预镀金:将依次镀制有镍和钯的引线框架浸入化学预镀金液中进行预镀金;主镀金:将预镀金后得到的引线框架水洗干燥后...
  • 本发明公开了铝基碳化硅表面复合镀层工艺,旨在解决现有技术为单一化学镍镀层,只具备化学镍镀层的特性,其中磷含量无法均匀的分布在镀层中,对后续的焊接工艺造成较大的不确定性的问题。其技术方案要点是:铝基碳化硅表面复合镀层工艺,工艺流程包括以下步骤...
  • 本发明涉及一种适用于微米级通道的化学镀工装及操作方法,其中化学镀工装包括镀液槽,所述镀液槽内固设有放置目标零件的支撑架,所述支撑架上开设有与目标零件的微米级通道相对的贯通通道,支撑架的下方设有与所述贯通通道连通的集液腔,所述集液腔连通有循环...
  • 本申请提供了一种液态源存储装置和液态源存储装置的气压控制方法,涉及半导体技术领域。液态源存储装置包括:存储容器,所述存储容器内包括弹性隔膜,所述弹性隔膜将所述存储容器分隔为第一空间和第二空间;与所述第一空间连通的调节气体传输管路;与所述第二...
  • 本发明提供了容器、半导体加工设备、液态反应物的控制方法及存储介质。容器包括流量传感器、加热单元及控制器。所述流量传感器设于所述容器的出气口。所述加热单元设于所述容器的外部,用于向所述容器提供热量,以将所述容器内部的液态反应物汽化为气态反应物...
  • 一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质,本说明书实施例提供了一种压力控制方法,该方法综合当前时刻的开度增量(第二开度增量)和下一时刻的开度增量(第一开度增量),基于下一时刻的期望压力提前预判所需执行的开度动作,满足半导体工艺过程对于压力...
  • 本申请涉及金刚石生长技术领域,公开了一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质,所述过渡处理的单晶金刚石二次生长方法包括:对样品进行预处理,得到清洁样品,其中,所述样品为首次生长后的单晶金刚石半成品毛坯;对所述优化样品...
  • 本发明涉及等离子体物理工程及表面科学领域,尤其涉及基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏膜层的装置及方法。所述装置具备:内部形成为反应腔室的反应单元;以与所述反应腔室连通的形式连接从而抽取反应单元内气体的抽气单元;通过供给管路与所述反...
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