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  • 本发明公开了一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料水平合成的方法和装置。该方法包括高纯物料准备与密封、加热反应与压力调控、保温反应、温度梯度调控、冷却结晶、退火处理和泄压取料等步骤。通过控制高纯铟和高纯磷的摩尔比范围为1~1.2,在特定温度下反...
  • 本发明涉及一种在单晶铜箔上制备大面积单晶氧化铁的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:加热铁源前驱体至第一目标温度,以使所述铁源前驱体气化,并加热单晶铜衬底至第二目标温度;S2:当所述铁源前驱体升温至所述第一目标温度时,通入氧气,所述氧气与...
  • 本申请提供了一种半导体工艺参数的调整方法、系统、设备及存储介质,涉及半导体检测技术领域,本申请基于当前工艺周期的原始反射光谱和工艺参数,从预设函数库获取搜索参数的参考阈值,减少了固定阈值依赖,提升了复杂光谱条件下的检测稳定性。基于历史反射光...
  • 本申请公开一种半导体工艺腔室,属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和喷淋件,腔室本体的顶部设有第一开口,腔室本体内设有基座;喷淋件设置于腔室本体内,喷淋件位于基座的上方,基座与喷淋件之间形成工艺空间,喷淋件包括多个喷淋板,各喷...
  • 本申请公开了一种金刚石生长装置,其涉及金刚石生长技术领域。本申请提供了一种金刚石生长装置,其包括基座、第一基台和第二基台,第一基台设置于基座的上表面,并与基座固定连接,第二基台设于第一基台背离基座的一侧,并用于承载金刚石生长的物料,其中,第...
  • 本发明公开了一种采用机器学习的双层外延片生长控制方法,属于生产控制技术领域,该方法包括:获取外延片生长的历史质量数据和历史工艺数据,将历史质量数据中第一外延层生长完成后的中间质量数据输入至由历史工艺参数导引的自适应表征模型中,获得表征第一外...
  • 本申请实施例,提供一种加热器以及单晶炉。所述加热器包括:相互连接的加热器本体和脚板;沿所述加热器本体的周向,所述加热器本体设置有至少一个抗变形结构;所述抗变形结构靠近脚板一侧的端面为第一抗变形面;所述加热器本体靠近脚板一侧的端面为第一端面、...
  • 本发明实施例提供一种坩埚以及使用所述坩埚的晶体生长装置及晶体生长方法。所述坩埚例如包括:筒状侧壁和连接于所述筒状侧壁的底端的埚底,所述筒状侧壁和所述埚底共同围成容置腔,所述筒状侧壁的顶端为坩埚开口,所述埚底配置有毛细孔,所述毛细孔在所述容置...
  • 本发明公开了一种基于熔盐助熔剂法低温合成超高镍单晶正极材料的方法,包括:将镍含量≥90%的超高镍前驱体与锂源按化学计量比混合,随后加入一定质量的氯化钠(NaCl)作为助熔剂介质并充分研磨;将混合物料在含氧气氛中进行程序升温烧结,最高烧结温度...
  • 本发明提供一种能够提高晶体品质的III族氮化物单晶生长方法,其通过将在上表面形成有由III族氮化物单晶构成的多个种晶的晶种基板浸渍于贮存在坩埚中的混合熔液而形成多个初始晶核(S1),通过反复将晶种基板浸渍于混合熔液中并提起后在氮气氛下进行加...
  • 本发明提供一种能够提高晶体品质的IIIA族氮化物单晶生长方法。使GaN单晶在GaN基板(晶种基板(9))上生长,包括厚膜化工序,通过反复将GaN基板(晶种基板(9))浸渍于在坩锅(100)中存积的Ga与Na的混合熔融液(101)中且提起后在...
  • 本发明公开了电化学‑光诱导耦合的连续流无种子银纳米线制备方法,属于纳米材料制备技术领域,包括:S1、制备形貌导向剂:将有机光敏结构单元通过共价键连接至含羟基的Gemini表面活性剂上制备得到形貌导向剂;S2、配制电化学‑光诱导耦合反应液;S...
  • 本发明公开了一种基于有机‑无机协同界面改性制备硫酸钙晶须的方法。将硫酸钙、无机助剂分散于去离子水中形成均匀浆料,然后进行高温高压反应,反应结束后冷却至室温,过滤、洗涤至中性,得到无机改性晶须前体;将无机改性晶须前体分散于水‑乙醇混合溶剂中,...
  • 本发明公开了一种金属管类零件内表面抛光装置,具体涉及金属管电解抛光领域,包括主机架,主机架上安装有放置架,放置架上可拆卸安装有管件,管件的内部固定设有波纹管,波纹管包括波纹段,波纹段的两端均固定设有直线段,主机架的一端活动设有驱动机架,驱动...
  • 本发明公开了一种液相等离子表面处理装置、抛光方法及表面清洁方法,包括反应池、超声波组件、工件悬挂机构和电解系统;所述反应池为导电材质,连接电解系统其中一电极;所述超声波组件包括超声波发生器以及若干超声波振头,超声波振头安装在反应池两侧;所述...
  • 本发明涉及材料加工技术领域,具体涉及一种超亲水稀土镁合金微纳复合结构表面及其制备方法。该制备方法包括:对稀土镁合金基材进行热模压处理,以在稀土镁合金基材表面形成微米级微结构层;对所述微米级微结构的表面进行冷模压处理,以在所述微米级微结构层的...
  • 本发明公开了一种制冷设备用不锈钢管的镀铜装置及镀铜方法,涉及镀铜装置技术领域,支架上设置有带动第一夹持机构和第二夹持机构分别沿水平方向滑动连接的移动机构,移动机构上设置有带动待电镀不锈钢管转动的驱动机构,阳极轴位于待电镀不锈钢管内部,第一阳...
  • 本发明公开了一种管件电镀加工用固定夹具,涉及管件电镀加工技术领域,包括圆底板、平面位置调节机构、高度调节组件、角度调节组件、连接板和定位组件。平面位置调节机构通过转动滑动槽板和滑动块的滑动,实现固定机构在平面内的灵活调节。高度调节组件采用固...
  • 本发明公开了一种汽车塑料件加工电镀装置及方法,具体涉及塑料件加工技术领域,包括基座和安装支架,所述安装支架的底端固定安装有多个直线电轨,所述直线电轨的驱动端固定安装有移动支架,所述移动支架上竖直安装有多个升降气缸,多个所述升降气缸的驱动端固...
  • 本申请涉及电镀设备领域, 尤其涉及一种适用于深孔镀件的电镀挂具,其包括挂具本体、绝缘座、主注射管以及可塑注射管,所述绝缘座安装于挂具本体,所述主注射管安装于绝缘座,且所述主注射管用于通过药水泵连接于电镀槽,所述可塑注射管连接于主注射管,所述...
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