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  • 本发明涉及一种通过开关阵调频的功分器电路,属于微波毫米波通信技术领域。包括信号输入端口,第一信号输出端口、第二信号输出端口、合路传输线、第一分路传输线、第二分路传输线、隔离电阻、第一级串联匹配电路、第二级串联匹配电路、第一级并联匹配电路和第...
  • 本发明公开一种基于矢量磁路理论的低通和带通磁滤波器,该磁滤波器为一个由变压器与负磁阻元件构成的频率选择性磁阻抗网络;所述负磁阻元件为与磁路耦合的绕组连接负电抗元件,所述负电抗元件为电容器或等效电容电路;所述负磁阻元件的添加方式为在变压器的原...
  • 本发明公开了一种芯包结构式滤波器,涉及电磁兼容领域,包括滤波器壳体,所述滤波器壳体的一端镶嵌有纳米晶磁环,且所述滤波器壳体的内部包塑安装有正负铜排,所述纳米晶磁环与所述正负铜排的高压接口处相连接,所述滤波器壳体远离所述纳米晶磁环的一端设置有...
  • 本申请公开了一种LTCC滤波器及终端设备,该LTCC滤波器包括陶瓷体、设置于陶瓷体底面的底部电极以及设置于陶瓷体内部的第一电容结构、第二电容结构和第三电容结构。其中,第一电容结构连接于底部的馈电电极,第二电容结构连接于第一信号电极,且与第一...
  • 本发明涉及无线通讯技术领域,提供了一种声学滤波器及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、提供衬底,在衬底的表面形成声学层,并利用声学层形成有效声学结构;其中,有效声学结构包括声学谐振结构、输入端部、输出端部及环状接地端;S2、在有效声学结...
  • 本发明公开了一种晶体谐振器的无调频制备方法,属于电子元器件领域,包括以下步骤:S0,晶片安装在晶体谐振器溅射镀膜装置中后并置于磁控溅出机内;S1,镀膜,膜层目标厚度为100nm~200nm,膜层由过渡层和金层组成,其中,过渡层目标厚度为5n...
  • 本发明公开了一种kHz晶体频率电子元器件生产工艺,属于电子元器件制造技术领域。包括晶片清洗、镀膜、粗调、上片、固化、调频、压封、剪脚、回流、套片、老化工序等;晶片清洗采用含氢氧化钾、EDTA四钠、硅酸钠与甲基异丁基酮的复合清洗液,经预螯合、...
  • 本发明公开了一种可调自偏置闭环环形放大器,包括第一级至第三级MOS管及偏置电阻单元,每一级MOS管均包括两个MOS管,第一级MOS管的两个MOS管的栅极相连后接输入节点,第一级MOS管的输出连接第二级MOS管中两个MOS管的栅极,第二级MO...
  • 本发明公开了一种超低功耗体驱动四级差分运算跨导放大器,属于CMOS模拟集成电路技术领域,放大器包括偏置电路、体驱动差分输入电路、复合差分放大电路、频率补偿电路和共模反馈电路。偏置电路提供0.3V超低电压下的稳定偏置;体驱动差分输入电路以PM...
  • 本申请属于电压型前置放大器技术领域。本申请提供一种用于声纳传感器的全差分轨对轨电压型前置放大器。本公开实施例通过集成两个轨对轨输入级与一个共享的四输入双输出节点输出级,形成了独特的信号处理结构。利用其多输入节点的灵活性,可在前置放大器中实现...
  • 本发明公开了一种基于变压器合成的堆叠式功率放大器,旨在解决CMOS工艺下功率放大器输出功率、合成效率与动态可靠性难以协同提升的问题。该放大器采用对称双支路架构,包括T型功率分配网络、两路功率放大支路和T型功率合成网络。其核心在于,每路功率放...
  • 本发明公开了一种抑制带外增益的功率放大器输出匹配网络,包括与输入端连接的晶体管、输出匹配电路和带外抑制电路,晶体管的漏极连接第一电感,第一电感的另一端分别连接第二电感和第三电感,第三电感与第一电容串联组成带外抑制电路;带外抑制电路并联第二电...
  • 本申请公开了一种射频功率放大器、射频前端模组及电子设备,射频功率放大器包括M个第一晶体管、N个第二晶体管、第一电容、第二电容以及第三电容。第一电容包括相间隔的第一极板和第二极板;第一极板具有相对的第一侧和第二侧,M个第一晶体管的输出端连接于...
  • 本申请公开了一种功率放大器的驻波比保护电路以及方法。功率放大器设置在主链路,驻波比保护电路包括开关模块、信号采集模块和异常检测模块。开关模块设置在主链路,与功率放大器的输入端以及功率放大器的输出端电连接;信号采集模块设置在主链路;异常检测模...
  • 本发明提供一种射频功率放大器保护系统,包括软件监控模块、硬件保护电路模块和电流检测模块;电流检测模块检测射频功率放大器的电流;经过模数转换输出给软件监控模块;同时将电流信号转化为电压信号输出至硬件保护电路模块;电流正常时软件监控模块输出正常...
  • 本发明属于射频集成电路领域,具体提供一种微波射频频段的频率自适应可变电容电路及其应用,用以满足射频电路的宽带设计需求。本发明提出一种片上集成的频率自适应可变电容电路,其完全基于微波和模拟的电路设计,能够直接应用于各类模块中实现电容自适应随频...
  • 本发明公开了一种宽带低噪声放大器,涉及射频集成电路技术领域,解决了单级低噪声放大器难以在宽带内同时实现噪声匹配和阻抗匹配的问题。所提出的宽带低噪声放大器基于三线圈变压器结构实现宽带噪声匹配和阻抗匹配,同时借助反向耦合的变压器作用于共栅极晶体...
  • 本发明提供一种宽频带E类射频功率放大器装置,包括双路E类射频功放电路以及与其输出端连接的两个结构相同的输出支路,每个输出支路由L型阻抗匹配网络和串联谐振网络依次构成,实现了射频功放宽带高效率工作。本发明通过串联谐振网络的阻抗频率特性与串并联...
  • 本申请属于射频集成电路领域,具体涉及一种高动态线性度功率放大器,包括:功率放大管HBT0,输入匹配网络,输出匹配网络,射频扼流网络和有源偏置电路,功率放大管HBT0的基级连接输入匹配网络和有源偏置电路,射频信号经由输入匹配网络流入功率放大管...
  • 本发明公开了一种基于低噪声高动态全波射频信道放大电路的通信方法,涉及无线通信及射频集成电路领域。该方法首先对基带信号进行采样并构建包含历史状态和变化率的多维时序特征向量;利用轻量级长短期记忆网络(LSTM)预测未来时间窗内的信号包络峰值;随...
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