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  • 一种设备包括锁相环电路,所述锁相环电路包括:输入,所述输入被配置成接收具有参考周期的振荡参考信号;电流控制振荡器CCO,所述CCO被配置成基于输入信号生成振荡输出信号;误差检测器,所述误差检测器被配置成基于所述参考信号与一个或多个反馈信号之...
  • 提供了一种锁相环的温度补偿电路、锁相环电路及电子设备,属于电子信息技术领域。由于该温度补偿电路中,电压产生电路能够基于温控编码电路产生的温度补偿控制字向频率调控电路输出温度补偿电压,使频率调控电路在该温度补偿电压的控制下调整控制压控振荡器的...
  • 一种基于电荷注入的相位旋转器,包括:脉冲产生电路及分别与之相连的注入电荷产生电路、时钟相位选择电路和计数控制电路;注入电荷产生电路输出端接振荡器,通过控制注入电荷量、注入时刻和次数,调节振荡器输出时钟相位;时钟相位选择电路依据多相位时钟,在...
  • 本发明公开了一种锁相环芯片、锁相环芯片的频率切换方法及显示设备,该锁相环芯片中,控制模块为锁相环电路配置参考时钟信号,并生成发送时钟切换控制信号;展频调制电路在时钟切换控制信号的控制下,根据分频系数和调制系数生成调频步长值;锁相环电路利用调...
  • 本发明公开了一种双余度信号联锁逻辑转换电路,包括接口输入转换电路、逻辑表决电路、驱动电路和继电器电路;其中,接口输入转换电路包括多组输入输出接口芯片,每组输入输出接口芯片分别输出两路输出,每路输出端分别连接逻辑表决电路一路输入端;逻辑表决电...
  • 本发明公开了一种输出摆幅可调的电平转换电路,涉及集成电路技术领域,包括输入反相缓冲模块、电平转换控制模块及输出驱动模块。输入反相缓冲模块连接信号输入端,用于输出两路逻辑相反的内部驱动信号;电平转换控制模块利用电容耦合及开关管对栅极控制电压进...
  • 本发明公开一种具有隔离串接电容的数字隔离器电路,包括第一集成电路区与第二集成电路区,第一集成电路区中具有第一收发器电路与多个形成串接的高压隔离电容,第二集成电路区中具有第二收发器电路与多个形成串接的高压隔离电容,一金属打线接合于第一、第二集...
  • 本公开涉及一种寄生电容消除电路及寄生电容消除方法。寄生电容消除电路包括第一晶体管、第一耦合器、第二耦合器以及负阻抗发生器。第一晶体管包括第一端子、控制端子以及第二端子。第一耦合器用以耦合第一晶体管的控制端子以及第一端子。第二耦合器用以耦合第...
  • 本发明属于触控开关技术领域,尤其涉及一种光感应触控开关、触控方法及电子设备,光感应触控开关设置于电子设备的触控区域上,包括:光发射器,设置于触控区域的一侧,用于发射探测光线;光接收器,设置于触控区域的另一侧,用于接收光发射器发射的探测光线,...
  • 本公开涉及电路装置和微控制器。与微控制器组合的电路装置,该电路装置包括第一晶体管和第二晶体管,两者被串联布置,并且在第一晶体管与第二晶体管之间具有信号I/O;其中第一晶体管被配置为根据第一(传感器)信号将第一状态输出到信号I/O;其中第二晶...
  • 本发明涉及光开关产品领域,具体涉及一种光开关装置及其控制方法和存储介质;包括PCBA板和MEMS光开关,MEMS光开关焊接在PCBA板上,PCBA板上设置连接器和驱动电路,连接器与外部控制连接,驱动电路的输入端与连接器连接,驱动电路的输出端...
  • 本发明公开了一种聚变堆固态开关网络单元冗余关断控制方法,涉及可控聚变堆技术领域。本发明通过在固态开关网络单元的功率器件两侧并联由多组脉冲电容及其对应的可控开关器件构成的冗余反向关断单元,同时对回路电流进行实时采样,并基于时间序列预测模型预测...
  • 本发明公开了一种射频开关及射频模组,涉及射频技术领域,功率检测模块会检测射频开关的输入端口的功率,然后根据检测到的功率情况来控制泄放模块的工作与否,使得泄放模块能够在射频开关的输入端口功率大于或等于第一预设值的情况下对输入端口的功率进行泄放...
  • 本发明公开了一种应用于数模转换器的高速四开关架构,涉及集成电路技术领域,本发明在当D0从高电平转换为低电平时,D0N从低电平转换为高电平,D1和D1N均为高电平,M1从关断状态切换到打开,M2从打开切换到关断状态,M3、M4为关闭状态,尾电...
  • 本发明公开了一种宇航用全范围占空比的隔离型MOSFET驱动电路,包括分频与信号拆分电路、正激变换电路、组合与泄放电路,分频与信号拆分电路接收外部输入的PWM信号,将其拆分为信号一、信号二送至正激变换电路,信号一、信号二的频率是PWM信号频率...
  • 本发明提供了一种闭环有源电流源型GaN HEMT驱动电路,涉及脉冲与门极驱动控制技术领域,包括控制电路、电流舵驱动模块及暂态定位模块;电流舵驱动模块输出端连接待驱动GaN HEMT的外部栅极与外部源极,其恒流源在非驱动期保持预偏置导通,驱动...
  • 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种双向半导体器件控制电路,包括:双向器件,所述双向器件为单栅极双向半导体器件,所述双向器件具有衬底电极;电位调节单元,所述电位调节单元与所述双向器件连接,用于在所述双向器件处于某一工作状态或进行工作状态切换...
  • 本公开的实施例涉及保护电路、对应的系统和方法。一种用于保护由驱动器电路在驱动电极处驱动的功率晶体管的电路,其中用于保护的电路包括安全操作区域监控电路系统,安全操作区域监控电路系统被配置为控制晶体管针对其安全操作区域的操作,安全操作区域监控电...
  • 本发明公开了一种热插拔电路、控制方法和热插拔电路板。热插拔电路包括:电源连接器,用于接入电源;多个并联的晶体管,各个所述晶体管均连接于所述电源连接器和负载之间,用于共同导通或关断所述负载的供电;电压跟随模块,与所述电源连接器连接,还与各个所...
  • 公开了在饱和区关断高倍数浪涌电流的IGBT驱动装置及处理方法,装置中,控制器输出IGBT的导通/关断控制信号,并在接收到短路或过流触发信号后,经设定延时输出关断指令,检测电路实时监测系统中的电流状态,在检测到高倍数浪涌电流或短路故障时生成并...
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