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最新专利技术
  • 一种光致线性可重构人工突触的实现方法
    一种光致线性可重构人工突触的实现方法_电子科技大学_202511906210.1
    本发明提供一种基于光致线性可重构人工突触的实现方法，属于神经形态电子器件与智能感知信号预处理技术领域。提供可通过电压脉冲调控电导的人工突触晶体管，在其沟道或电导调制区域照射可见光，在光照条件下施加连续电压脉冲，并在最后一个脉冲结束后于预定时...
    2026-04-22
  • 一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法
    一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511895777.3
    本发明提供一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法，其中无栅器件包括光致变形衬底、形成于衬底上的介电层、位于介电层上的铁电半导体层以及设置于铁电层上的源漏电极，背栅器件在光致变形衬底上依次形成第一介电层、背栅电极和第二介电层，位于第二介电层上...
    2026-04-22
  • 光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法
    光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法_惠科股份有限公司_202511850682.X
    本申请提供了一种光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法。光敏薄膜晶体管包括衬底、有源层、源漏极层和吸氧层。有源层，位于衬底上；有源层为氧化物半导体；源漏极层，设置于有源层远离衬底的一侧；吸氧层，设置于衬底与有源层之间，且与有源层接触设置；其...
    2026-04-22
  • 一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法
    一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法_南通大学_202511738340.9
    本发明公开了一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，包括依次层叠的n型接触层、吸收层、电荷层、倍增层和p型接触层；倍增层为复合结构，包括沿生长方向顺序生成线性梯度区以及阶梯式突变的能带结构区；线性梯度区的...
    2026-04-22
  • 单光子雪崩二极管单元和制备方法
    单光子雪崩二极管单元和制备方法_深圳市速腾聚创科技有限公司_202510637618.7
    本申请提供单光子雪崩二极管单元和制备方法，单光子雪崩二极管单元包括光电效应区，所述光电效应区为产生光电效应的区域；其中：所述光电效应区包括耗尽区和氧化物填充区；所述耗尽区用于吸收光子并生成载流子，所述耗尽区中的载流子用于触发雪崩击穿；所述氧...
    2026-04-22
  • 一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器
    一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器_华中科技大学_202511975784.4
    本发明提出一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器，属于光电探测器技术领域，该探测器自下向上依次包括衬底、背部增反膜层、半导体器件层、等离激元阵列和增透膜层；半导体器件层的P+区和N+区对称分布于非掺杂本征层的两侧，形成横向PIN结；...
    2026-04-22
  • 一种紫外光电探测器及其制备方法
    一种紫外光电探测器及其制备方法_湖北大学_202610023528.3
    本发明提供了一种紫外光电探测器及其制备方法。本发明在传统的β‑Ga2O3探测器的基础上，设计了Sn : β‑Ga2O3/β‑Ga2O3同质结构造，通过PECVD沉积了SiO2作为阻挡层，既避免了第二电极与第一电极短路接触，也阻挡了紫外光与S...
    2026-04-22
  • 一种用于极端温度环境下的日盲探测器及其制备方法
    一种用于极端温度环境下的日盲探测器及其制备方法_西安电子科技大学_202511837374.3
    本发明一种用于极端温度环境下的日盲探测器及其制备方法，属于半导体传感探测及光通信技术领域；包括：衬底层，为金刚石层；缓冲层，形成于衬底层之上，为TiN层；铁电功能层，形成于缓冲层的部分区域之上，为Al1‑xScxN层；界面修饰层，形成于铁电...
    2026-04-22
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511843646.0
    本申请实施例涉及光伏电池领域，提供一种光伏组件及其制备方法，其中光伏组件包括：电池串，电池串包括多个沿第一方向依次排布的光伏电池以及多个焊带，焊带连接相邻光伏电池；汇流条，汇流条设置在电池串的至少一端，汇流条沿第二方向延伸，汇流条与焊带电性...
    2026-04-22
  • 电连接件、光伏组件及电连接件的制备方法
    电连接件、光伏组件及电连接件的制备方法_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511735892.4
    本申请公开了一种电连接件、光伏组件及电连接件的制备方法，属于光伏组件技术领域。所述电连接件包括基体，电连接件在第一方向上具有第一截面，在第一截面中，基体呈扁平状结构，沿第一方向，基体中间区域的厚度为L1，基体两侧区域的厚度为L2，满足L1＜...
    2026-04-22
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511724879.9
    本申请提供了一种光伏组件，属于光伏技术领域。该光伏组件包括多个串联连接的电池单元和多个汇流带；每个电池单元包括N个并联的电池串，N个电池串在两个汇流带之间并联连接；光伏组件还包括旁路模块；每个电池单元中，旁路模块通过跳线与电池串并联；多个汇...
    2026-04-22
  • 一种抗冲击晶硅光伏组件及其制备方法
    一种抗冲击晶硅光伏组件及其制备方法_优美特(北京)环境材料科技股份公司_202511917290.0
    本发明提供了一种抗冲击晶硅光伏组件及其制备方法，属于太阳能光伏技术领域。本发明提供的抗冲击晶硅光伏组件包括依次叠层设置的透明前板、复合封装层、晶硅电池片、背部封装层与背板；所述复合封装层包括依次叠层设置的第一封装胶膜、减震膜与第二封装胶膜，...
    2026-04-22
  • 一种柔性前板膜和太阳能光伏组件及其制备方法
    一种柔性前板膜和太阳能光伏组件及其制备方法_优美特(北京)环境材料科技股份公司_202511916788.5
    本发明提供了一种柔性前板膜和太阳能光伏组件及其制备方法，属于光伏技术领域。本发明提供的柔性前板膜包括膜基体材料以及分散于所述膜基体材料中的光功能添加剂，所述膜基体材料为丙烯酸树脂材料，所述光功能添加剂为光转换剂或光催化剂，所述柔性前板膜中光...
    2026-04-22
  • 一种基于HJT彩色电池的光伏装置
    一种基于HJT彩色电池的光伏装置_中建材浚鑫科技有限公司_202511742414.6
    本发明公开了一种基于HJT彩色电池的光伏装置，包括：光伏组件，包括电池层，两面均通过胶膜层层叠有玻璃板；边框组件，包括边框型材，一体成型有封装槽，具有支撑臂，封装槽与光伏组件围合形成挤压通道；密封组件，包括密封框，夹设于各挤压通道内且与光伏...
    2026-04-22
  • 太阳能电池包覆结构及包覆方法
    太阳能电池包覆结构及包覆方法_山青股份有限公司_202511178306.0
    一种太阳能电池包覆结构及包覆方法，其太阳能电池包覆结构包含：一太阳能电池元件，依序堆叠一下基板、一太阳能发电结构与一上基板，该下基板为一透明基板；一第一玻璃，设置于该太阳能电池元件的该下基板外侧，该第一玻璃外侧为一入光面；一第二玻璃，设置于...
    2026-04-22
  • 一种柔性薄膜太阳电池阵互连结构
    一种柔性薄膜太阳电池阵互连结构_北京空间飞行器总体设计部_202511684439.5
    本发明涉及一种柔性薄膜太阳电池阵互连结构，属于太阳电池阵电源技术领域。本发明包括连续“S”形弯结构、两个焊盘；连续“S”形弯结构呈平面、对称设计，能够适应极端温度环境下发生的大变形特性，有助于降低互连结构焊点的张力，提高环境适应性；连续“S...
    2026-04-22
  • 一种晶硅太阳能电池及其制备方法
    一种晶硅太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610113623.2
    本发明公开一种晶硅太阳能电池及其制备方法。该晶硅太阳能电池可包括：晶硅基体；设置于晶硅基体主表面的第一本征含硅膜层；设置于第一本征含硅膜层的外侧且包含第一掺杂原子的第一掺杂含硅膜层，第一掺杂原子与晶硅基体包含的第二掺杂原子的导电类型相反，第...
    2026-04-22
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512034824.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一区域和第二区域通过第三区域隔开，在第三区域设置绝缘介质层且延伸至第一掺杂层的交叠区上，第二掺杂层自第二区域延伸至第三区域以及第一区域的交叠区上。如此...
    2026-04-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三美电机株式会社_202511379332.X
    本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：第一集成电路，具有第一电源端子、与将从二次电池接受的电压向外部输出的外部端子连接的第一电压端子、与二次电池的负极连接的第二电源端子、与外部端子连接并被输入或输出信号的第一信号端子、与第一信号端子电连...
    2026-04-22
  • 半导体装置和存储器装置
    半导体装置和存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510506924.7
    本申请涉及半导体装置和存储器装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：防护区域；芯片区域，其被所述防护区域围绕；以及电路结构，其包括在所述芯片区域中串联联接的接合焊盘。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：芯片区域；芯片防护件，其围绕所述...
    2026-04-22
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