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最新专利技术
  • 一种铽基绿光电致发光器件
    一种铽基绿光电致发光器件_华中科技大学_202511983245.5
    本发明公开了一种铽基绿光电致发光器件，属于光电器件技术领域，所述铽基绿光电致发光器件包括：自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极；所述发光层包含铽基卤化物、有机吸电子配体以及有机给电子配体。其中，发光层采用TbI3作...
    2026-04-21
  • 一种光伏发电模组及光伏发电系统
    一种光伏发电模组及光伏发电系统_华为技术有限公司_202511727894.9
    本申请提供了一种光伏发电模组及光伏发电系统，光伏发电模组包括叠层光伏组件、差分功率处理电路和直流变换电路，叠层光伏组件包括层叠设置的第一电池组件和第二电池组件，其中一个为宽带隙电池组件，另一个为窄带隙电池组件。第一电池组件和第二电池组件串联...
    2026-04-21
  • 钙钛矿/THBC三端叠层太阳电池
    钙钛矿/THBC三端叠层太阳电池_上海交通大学_202511186371.8
    一种钙钛矿/THBC三端叠层太阳电池，包括：隧穿氧化物钝化异质结背接触(THBC)底电池、中间连接层和钙钛矿顶电池，其中：中间连接层分别与钙钛矿顶电池的第二载流子传输层和THBC底电池的前表面钝化层接触，底电池和顶电池通过中间连接层形成串联...
    2026-04-21
  • 一种水氧阻隔导电双效薄膜及制备方法
    一种水氧阻隔导电双效薄膜及制备方法_江苏思尔德科技有限公司_202512036016.9
    本发明公开了一种水氧阻隔导电双效薄膜及制备方法，应用于钙钛矿光伏组件。该薄膜为多层结构，包括从空气侧依次至钙钛矿侧排列的ETFE、压敏胶、PET基材、阻隔层、保护层、结合力增强层和透明导电层。其核心特征在于，各膜层的物质选择和结构布局经过优...
    2026-04-21
  • 一种钙钛矿电池及其制备方法与钙钛矿组件
    一种钙钛矿电池及其制备方法与钙钛矿组件_旗滨新能源发展(深圳)有限责任公司_202512012636.9
    本发明涉及一种钙钛矿电池及其制备方法与钙钛矿组件。所述钙钛矿电池包括钙钛矿吸光层，所述钙钛矿吸光层表面包括依次层叠设置的有机修饰层和无机修饰层；所述有机修饰层的材质包括甲脒卤化物，所述甲脒卤化物包括磷酸基团、羧酸基团或硼酸基团中的任意一种或...
    2026-04-21
  • 一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池及制备方法_湖州市鹑火光电有限公司_202511959704.6
    本发明涉及一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池及制备方法，包括从下至上依次设置的柔性衬底、透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、电子传输层、空穴阻挡层以及背电极。本发明能够实现对柔性钙钛矿太阳能电池的密闭封装，在不损失柔韧度的前提下，并且...
    2026-04-21
  • 一种钙钛矿太阳能单结组件、背电极的制备方法及应用
    一种钙钛矿太阳能单结组件、背电极的制备方法及应用_湖州市鹑火光电有限公司_202511960090.3
    本发明涉及一种钙钛矿太阳能单结组件、背电极的制备方法及应用，自下而上依次包括：透明基底；透明底电极；空穴传输层；钙钛矿光吸收层；电子传输层；原子层沉积的SnO2层；背电极，背电极为三明治复合结构，自下而上包括：第一透明导电氧化物层；金属主导...
    2026-04-21
  • 一种双分子协同界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法
    一种双分子协同界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法_云南师范大学_202610020128.7
    本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体提出了一种双分子协同界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法。钙钛矿太阳电池包括依次层叠的基底、第一空穴传输层、第二空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层、空穴阻挡层和电极；在钙钛矿光吸收层与电子传输层之间...
    2026-04-21
  • 一种钙钛矿太阳能电池
    一种钙钛矿太阳能电池_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511751707.0
    本发明公开一种钙钛矿太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和透明导电层；其中，空穴传输层与钙钛矿层之间设置有离子液体层，离子液体...
    2026-04-21
  • 一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法、多结太阳能电池、光伏组件和用电装置
    一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法、多结太阳能电池、光伏组件和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202512058597.6
    本发明属于电池领域。具体地，本发明涉及一种太阳能电池，包括：沿第一方向层叠设置第一电极、钙钛矿吸光层和第二电极，钙钛矿吸光层设置在第一电极和第二电极之间，第一电极为入光侧；其中，钙钛矿吸光层包含钙钛矿晶粒，钙钛矿吸光层朝向第二电极的一侧的表...
    2026-04-21
  • 一种光电器件及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置
    一种光电器件及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202512058592.3
    本发明属于光电领域，具体地，涉及一种光电器件，及其制备方法，更具体地，涉及一种具有特定晶面参数的钙钛矿层的光电器件及其制备方法。本申请提供了一种光电器件，包括：钙钛矿层，钙钛矿层包括质量含量大于等于90%的钙钛矿材料；钙钛矿层包含多个钙钛矿...
    2026-04-21
  • 一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法、多结太阳能电池、光伏组件和用电装置
    一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法、多结太阳能电池、光伏组件和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202512058412.1
    本发明属于电池领域，具体地，本发明的太阳能电池包括层叠设置的钙钛矿吸光层和第一电子传输层，钙钛矿吸光层包括多个钙钛矿晶粒，相对于钙钛矿晶粒的总数量，在钙钛矿吸光层的厚度方向上贯穿整个钙钛矿吸光层的钙钛矿晶粒的数量占比大于等于70%；钙钛矿吸...
    2026-04-21
  • 一种太阳能电池及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置和用电装置
    一种太阳能电池及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202512058410.2
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。本申请提供了一种太阳能电池，包括钙钛矿吸光层，钙钛矿吸光层具有沿厚度方向相背的第一表面和第二表面；钙钛矿吸光层的第二表面的表面粗糙度Ra为10nm‑50nm；钙钛矿吸光层包含钙钛矿晶粒，钙钛矿晶粒朝向第...
    2026-04-21
  • 一种光电器件及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置
    一种光电器件及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202512058408.5
    本发明属于光电器件领域，具体地，涉及一种光电器件及其制备方法、多结太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置。本发明提供了一种光电器件，包括：钙钛矿层，所述钙钛矿层具有沿厚度方向相背的第一表面和第二表面，所述第二表面为入光侧，所述钙钛矿层的厚...
    2026-04-21
  • 一种钝化空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钝化空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_苏州大学_202511670896.9
    本发明涉及一种钝化空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明钝化空穴传输层的钙钛矿太阳能电池包括空穴传输层和位于空穴传输层表面的钝化层；所述空穴传输层的材料为金属氧化物、第二金属掺杂或非金属掺杂的金属氧化...
    2026-04-21
  • 碳基CMOS半导体结构及集成电路
    碳基CMOS半导体结构及集成电路_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202512058635.8
    本公开提供了一种碳基CMOS半导体结构和集成电路。该结构包括衬底，在衬底上形成有PMOS半导体结构和NMOS半导体结构，PMOS半导体结构包括：PMOS沟道层，位于衬底之上，材料为碳纳米管；PMOS栅极，位于沟道层之上；PMOS漏极，覆盖且...
    2026-04-21
  • 双栅碳基器件、碳基集成电路及其制备方法
    双栅碳基器件、碳基集成电路及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202512060994.7
    本公开提供了一种双栅碳基器件、碳基集成电路及其制备方法双栅碳基器件包括：底栅导电通道；底栅结构，包括底栅导电层和底栅介质层，底栅导电层位于底栅导电通道之上且与底栅导电通道电连接，底栅介质层位于底栅导电层之上；沟道层，位于底栅介质层之上且材料...
    2026-04-21
  • 基于MXene源漏电极的碳纳米管场效应晶体管及其制备方法
    基于MXene源漏电极的碳纳米管场效应晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202512039123.7
    基于MXene源漏电极的碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：采用Lift‑off工艺制备MXene源漏电极，即在覆盖有碳纳米管薄膜的硅片上光刻出源漏电极图案区域；采用喷涂法将小尺寸MXene纳米片水溶液喷涂至光刻出电极图案的硅片上...
    2026-04-21
  • 一种微小型四脚位高集成度幻彩LED支架
    一种微小型四脚位高集成度幻彩LED支架_山西高科华兴电子科技有限公司_202512050183.9
    本发明公开了一种微小型四脚位高集成度幻彩LED支架，涉及LED支架技术领域，包括支架主体、设置于所述支架主体正面的碗杯以及内嵌于所述碗杯内部的焊盘组件，所述支架主体的背面向外延伸形成有四个金属引脚，四个金属引脚分别为DIN引脚、VDD引脚、...
    2026-04-21
  • 一种全彩化Micro-LED阵列及其制备方法
    一种全彩化Micro-LED阵列及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202512028807.7
    本发明公开一种全彩化Micro‑LED阵列及其制备方法，该全彩化Micro‑LED阵列包括衬底和形成于衬底上表面的外延结构层，衬底上定义R像素区域、G像素区域和B像素区域，R像素区域、G像素区域和B像素区域分别具有不同的表面倾角，实现外延结...
    2026-04-21
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