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最新专利技术
  • 一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构_浙江翠展微电子有限公司_202511928956.2
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构，其包括IGBT组件，栅极焊盘区，第一可调焊盘区，第二可调焊盘区，以及发射极金属。所述IGBT组件包括N型发射区，沟槽，以及绝缘介质层。多个所述沟槽的两端分别通过所述绝缘介质层上的第二通孔与所述栅极焊盘区...
    2026-04-26
  • 一种高压快恢复二极管结构及其制作方法
    一种高压快恢复二极管结构及其制作方法_北京工业大学_202511880117.8
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，提供一种高压快恢复二极管结构及其制造方法，该结构是一种背面有源区具有精细槽阵列的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压要求的正面边缘终端区；背...
    2026-04-26
  • 一种高压快恢复二极管及其制作方法
    一种高压快恢复二极管及其制作方法_北京工业大学_202511880093.6
    一种高压快恢复二极管及其制造方法涉及功率半导体器件技术领域，该二极管是一种背面有源区具有浮空p+区的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压的正面边缘终端区；背面包括n型缓冲层，...
    2026-04-26
  • 一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法
    一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511922135.8
    本发明提供一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法，属于电子配件技术领域，在P型衬底N面磷扩散形成P+区并高温氧化生成SiO2薄膜。P面磷扩散形成P‑区后单面光刻胶处理清洗。晶圆表面生长氧化层/SIPOS层，N面再磷扩散P+区。P面光...
    2026-04-26
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411428354.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺，以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺，以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
    2026-04-26
  • 一种软恢复FRD及其制造方法
    一种软恢复FRD及其制造方法_苏州寒士半导体有限公司_202610003912.7
    本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种软恢复FRD及其制造方法，其包括第一导电类型的阳极区域，由至少两种不同掺杂浓度的第一导电类型区域组合构成，包括高掺杂浓度区域和低掺杂浓度区域；位于阳极区域下方的第二导电类型的载流子注入抑制层，其掺杂浓度...
    2026-04-26
  • 一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件
    一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511839822.3
    本发明公开了一种漂移区梯度掺杂的SiC‑TVS器件，包括：SiC衬底层；漂移区，设置于SiC衬底层上，漂移区包括从下至上依次层叠设置的掺杂浓度不同的第1层SiC漂移区至第n层SiC漂移区；发射区，设置于第n层SiC漂移区内；包括相互接触的发...
    2026-04-26
  • 3D MIM电容结构及其制备方法
    3D MIM电容结构及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610044553.X
    本发明提供一种3D MIM电容结构及其制备方法，通过低温模板法，首先在TiN材料的低温沉积条件下沉积具有(200)晶面的第一TiN下电极层，然后再采用沉积具有(111)晶面的TiN材料所需的温度下(即相对高温条件下)沉积第二TiN下电极层，...
    2026-04-26
  • 储能部件
    储能部件_株式会社村田制作所_202511451315.2
    提供了储能部件。制造包括储能部件的集成电气器件的方法包括：提供包括多孔区域(103)的支承件；形成绝缘层(104)，所述绝缘层(104)具有界定多孔区域的一部分的开口(OP)；形成底部电极层(105)；蚀刻底部电极层，使得在绝缘层上和在多孔...
    2026-04-26
  • 电容器及其形成方法
    电容器及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202411433419.6
    本发明涉及一种电容器及其形成方法。所述形成方法中，在基底上形成包括交替堆叠的多个牺牲介质层和多个第一导电层的叠层结构后，形成贯穿叠层结构并连接各第一导电层的第一极板连接节点，之后利用第二贯通孔去除牺牲介质层，形成与第二贯通孔连通的间隙，再在...
    2026-04-26
  • 一种片上可变电阻器件结构和电子设备
    一种片上可变电阻器件结构和电子设备_南通擎航微电子科技有限公司_202511723583.5
    本申请提供了一种片上可变电阻器件结构和电子设备，包括衬底，形成于衬底上的氮化物外延层，形成于氮化物外延层上的电极结构层和栅极结构层。电极结构层包括第一电极和第二电极，氮化物外延层包括用于形成异质结界面的沟道层与势垒层，栅极结构层包括层叠形成...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置
    半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202610060371.1
    一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置，该半导体器件包括：相邻的第一DRAM层和第二DRAM层，第一DRAM层包括第一衬底层、第一背面键合层以及第一DRAM单元层，第一衬底层中形成有第一衬底互连结构，第一背面键合层包括第一背面键合介电层...
    2026-04-26
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610078785.7
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，基底中具有下电极；在下电极上形成氧空位阻变层；在基底上形成覆盖氧空位阻变层的第一低K介质层；在第一低K介质层中形成露出氧空位阻变层顶面的开口；在开口中形成上电极；在第一低K介质层上形成覆盖...
    2026-04-26
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510745220.5
    一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的第一导线，位于第一导线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线，以及位于第一导线与第二导线之间的存储单元，该存储单元包括下电极图案、位于下电极图案上的上电极图案、以及位于下电极图案与上电极图案之...
    2026-04-26
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510744535.8
    提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导线，每个第一导线在第一方向上延伸；第二导线，位于第一导线上方并各自在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，分别位于第一导线与第二导线之间，每个存储单元包括可变电阻图案；第一...
    2026-04-26
  • 一种磁随机存储器及其制作方法
    一种磁随机存储器及其制作方法_浙江驰拓科技有限公司_202411420021.9
    本申请涉及半导体领域，公开了一种磁随机存储器及其制作方法，包括准备具有接触孔的基底；在所述基底的上表面生长金属层；刻蚀所述金属层，在所述基底的边缘区域产生金属碎片；刻蚀所述基底的所述边缘区域，在所述边缘区域形成边缘缺口；沉积磁性隧道结膜层结...
    2026-04-26
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411426424.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括多个开关单元和多条字线；多个开关单元沿平行于衬底的行方向和列方向间隔并阵列分布；各开关单元包括：第一晶体管，包括第一电极、第二电极、第一半导体层、第一栅电极和栅极绝缘层...
    2026-04-26
  • 分栅闪存结构及其形成方法
    分栅闪存结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610048994.7
    一种分栅闪存结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底上具有相邻的第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元；第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元共用同一源漏掺杂区；其中，第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元均包括两个存储位，每个存储位均包括浮栅结构；...
    2026-04-26
  • 可编程可抹除的非易失性存储单元
    可编程可抹除的非易失性存储单元_力旺电子股份有限公司_202511461927.X
    本发明公开一种可编程可抹除的非易失性存储单元。所述非易失性存储单元包括：隔离结构、第一阱区、第二阱区、第一栅极结构、第一间隙壁与金属层。隔离结构将半导体基板表面区分为第一区域与第二区域。第一阱区形成于第一区域。第二阱区形成于第二区域。第一栅...
    2026-04-26
  • 存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法
    存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610056635.6
    一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及存储器电路的工作方法，其中存储器结构包括：位于衬底上的若干存储单元结构，存储单元结构包括第一字线栅和第二字线栅、以及位于第一字线栅和第二字线栅之间的堆叠栅结构，堆叠栅结构包括第一浮栅、第二浮栅和控制栅...
    2026-04-26
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