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  • 本申请提供了超晶格红外焦平面探测器组件及其制备方法、红外探测器,属于红外探测器领域;解决了目前采用点胶工艺导致芯片表面缺陷处产生填充空洞影响器件综合性能的问题;该组件包括倒焊互连的焦平面芯片端和读出电路端,焦平面芯片端阵列排布有像元,焦平面...
  • 本申请提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器,该半导体结构的制造方法包括:提供基底;其中,基底包括衬底和凸出衬底表面的牺牲结构;形成覆盖牺牲结构的表面和衬底的表面的隔离材料层;去除覆盖牺牲结构远离衬底的表面和覆盖部分衬底表面...
  • 本申请提供了一种像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器,涉及半导体技术领域。像素单元包括:衬底;位于衬底上且与衬底相接触的隔离结构和光电转换区;隔离结构环绕在所述光电转换区的外周,用于将光电转换区产生的载流子限制在像素单元内部;以及电...
  • 本发明公开钴铽合金修饰氮化镓纳米线异质结紫外探测器及制备方法,属于紫外光探测技术领域;探测器包括位于衬底上的氮化镓纳米线阵列,氮化镓纳米线阵列远离衬底的一端通过磁控溅射法负载有钴铽合金,并形成异质结。通过采用磁控溅射法实现钴铽合金纳米颗粒在...
  • 本发明涉及一种抗强日光的APD型叠层激光探测器及制造方法,属于光电探测器芯片领域。该探测器包括两个堆叠的子探测器,子探测器Ⅰ置于上方,子探测器Ⅱ置于下方;子探测器Ⅱ之上设置滤光膜Ⅰ;滤光膜Ⅰ之上设置键合层,连接子探测器Ⅰ和子探测器Ⅱ;电极Ⅱ...
  • 本发明提供一种中波雪崩光电二极管及中波红外探测器,采用分离吸收与倍增结构,该方案通过选用带隙可调的InAs/GaSb二类超晶格作为吸收层、高电离系数的AlInAsSb作为倍增层,并精确优化各层厚度与掺杂浓度,旨在将高电场集中限制于倍增层以促...
  • 本发明公开了一种基于光栅超透镜的增强型紫外雪崩光电二极管及制备方法,包括:N型SiC衬底,以及依次位于N型SiC衬底上表面的N型漂移层、P型区域、P+接触层;光栅超透镜结构,位于P+接触层上,以通过光栅超透镜结构将入射的紫外平行光聚焦于P型...
  • 本发明涉及一种抗强光的PIN型叠层激光探测器及制造方法,属于光电探测器芯片领域。该探测器包括两个堆叠的子探测器;其中,子探测器Ⅰ置于上方,包括P+接触区Ⅰ、i吸收区Ⅰ、N+接触区Ⅰ、增透膜、电极Ⅰ、介质层Ⅰ、电极Ⅱ;子探测器Ⅱ置于下方,包括...
  • 本发明公开了一种基于Si上外延Ge的台面型PIN光电探测器及制备方法,涉及半导体光电器件技术领域,该探测器包括N型硅Si衬底、依次外延于其上的本征Ge层与P型重掺杂Ge层构成的台面结构、覆盖台面的钝化层以及分别与P型重掺杂Ge层和N型Si衬...
  • 本发明公开了一种带有屏蔽环的Ge on Si PIN光电探测器及制备方法,涉及半导体光电器件技术领域,该探测器在N型Si衬底表层、环绕Ge台面有源区的外围,设有通过离子注入硼元素形成的P型屏蔽环。本发明通过在衬底中引入特定位置的屏蔽环,在反...
  • 本发明公开了一种基于Si上外延Ge的PIN光电探测器及制备方法,涉及半导体光电器件技术领域,该探测器包括:N型Si衬底;位于N型Si衬底上表面的本征Ge外延层;位于本征Ge外延层内且靠近其上表面的P型Ge区;以及分别与P型Ge区和N型Si衬...
  • 本发明公开了一种基于N型锗衬底的PIN结探测器及制备方法,涉及微电子技术领域。探测器包括:N型Ge衬底;位于N型Ge衬底上表面的本征Ge外延层;位于本征Ge外延层内且靠近其上表面的P型Ge区;以及分别位于P型Ge区上表面和N型Ge衬底下表面...
  • 本发明公开了一种基于N型锗衬底的PN结探测器及制备方法,涉及微电子技术领域,该PN结探测器包括N型Ge衬底、形成于衬底内的P型Ge区、位于P型Ge区表面的P+欧姆接触区、位于衬底底面的N+欧姆接触区以及对应的金属电极。该探测器采用纵向PN结...
  • 本发明涉及电子信息技术领域,公开了一种兼具多波长响应与仿生伤害感知的异质结人工突触器件,包括衬底、二氧化硅层、富硅氮化硅层、二硫化钼层以及电极层;所述二氧化硅层覆盖于衬底表面,所述富硅氮化硅层沉积于二氧化硅层远离衬底的一侧,所述二硫化钼层转...
  • 本发明涉及一种毫米波探测器及其制备方法和应用,该毫米波探测器包括衬底,在衬底上设有十字形半导体结构,十字形半导体结构的端部上设有一字形双天线结构或正交四天线结构,利用光刻、刻蚀等方法将半导体晶圆制备成十字形,然后将金属天线沉积在相应位置,再...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种背接触光伏组件,包括:背接触电池,包括电池本体和多个第二栅线段,电池本体具有相对的正面和背面,背面包括沿第一方向依次排布的第一边缘、中间区和第二边缘,多个第二栅线段位于第一边缘和第二边缘;多个第一电连接部,...
  • 本发明提供了一种太阳能电池组件及光伏系统。太阳能电池组件包括:每一电池串中的多个太阳能电池通过第一焊带串联连接;每一电池串中的多个太阳能电池包括边缘电池和中央电池;第一绝缘膜设置于第一焊带远离太阳能电池的一侧,第一绝缘膜覆盖中央电池的第一焊...
  • 本发明提供了一种太阳能电池组件及光伏系统。太阳能电池组件包括:每一电池串包括多个太阳能电池和多个第一焊带;每一电池串中的多个太阳能电池通过第一焊带串联连接;每一电池串中的多个太阳能电池包括边缘电池和中央电池,中央电池的第一表面设置有第一绝缘...
  • 本申请公开了一种光伏组件及光伏组件的制备方法,属于光伏组件技术领域。所述光伏组件包括电池片;连接部,所述连接部设置于所述电池片的表面,所述连接部远离所述电池片的一侧形成凹陷部;电连接件,所述电连接件至少部分嵌设于所述凹陷部内且沿第二方向延伸...
  • 本发明提供刚性高且能够抑制制造成本的太阳能电池模块。太阳能电池模块(1)具备隔着密封材料(6)配置在太阳能电池单元(4)的受光面侧及与受光面侧相反的一侧(受光面相反侧)的表面板(2)及背面板(3),在背面板(3)设置有织物状金属板(30),...
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