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  • 本发明涉及糖苷键重构技术领域,具体公开了一种基于酶法糖苷键重构的小麦粉评估系统,包括重构建模模块、重构状态分析模块、重构动作分析模块、血糖稳态函数构造模块以及血糖稳态评估模块;本发明通过强化学习对糖苷键重建进行建模,分析糖苷键重建过程中的动...
  • 本发明涉及一种基于碳源利用和丰度‑占有模型的根际合成菌群构建方法包括:采集目标植物的根际土壤样本,进行非靶向代谢组学分析,鉴定样本代谢物;基于代谢物在至少50%的品种样本中一致检测到且其相对丰度排名前10%的标准,筛选关键代谢物;测序获得根...
  • 本申请提供了一种存储介质测试方法、装置及电子设备,可以应用于存储与测试技术领域。该存储介质测试方法包括:响应于确定初始测试任务的初始访问数据长度大于预定访问数据长度,确定与初始测试任务相匹配的调整参数;根据与初始测试任务相匹配的调整参数对初...
  • 本申请实施例涉及半导体测试技术领域,公开了一种测试设备,包括:主控模块,信号处理模块和信号补偿电路,信号处理模块分别与主控模块和信号补偿电路通信连接;主控模块被配置为向信号处理模块发送第一差分信号和第二差分信号,信号处理模块被配置为根据第一...
  • 本发明公开了一种DIMM模块测试电路、设备及方法,涉及DIMM模块领域,该DIMM模块测试电路包括:噪声电压生成模块,用于生成PMIC输入噪声电压及PMIC输出噪声电压;第一噪声电压输出模块,其第二输入端与第一噪声电压输出端连接,用于根据P...
  • 一种数据纠错系统、处理器、芯片产品及设备,涉及芯片技术领域。系统包括:预处理模块和缓存核心模块,预处理模块与缓存核心模块相连;预处理模块,用于通过缓存核心模块获取第一数据;基于多条目标部分写入命令处理第一数据,得到更新后的第一数据;目标部分...
  • 本发明属于芯片测试技术领域,具体是一种脱机NAND FLASH颗粒测试分类装置,包括测试机本体和测试管控平台,测试机本体包括显示器,显示器上设有背光灯,测试管控平台包括测试环偏检测模块、设备实时监测模块和设备异常监管模块;本发明是将多台测试...
  • 本公开提供了一种校准电路、存储器、系统和校准方法。校准电路包括:驱动器,连接至连接点;多路选择电路,被配置为响应于第一选择信号,通过多路选择电路的第一输出端输出连接点的连接点电压,通过多路选择电路的第二输出端输出参考电压,以及响应于第二选择...
  • 一种反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器,反熔丝存储单元包括:反熔丝结构,反熔丝结构具有第一端以及第二端;选择晶体管,包括漏极和源极,漏极和源极中的一者与反熔丝结构的第一端耦接;稳压二极管,稳压二极管的阳极与所述漏极和源极中的另一者耦接。...
  • 本申请公开了反熔丝结构、存储器、反熔丝结构的编程操作和读取操作,该反熔丝结构包括:第一单元,第一单元包括串联连接的第一MOS晶体管和数据单元;第二单元,第二单元包括串联连接的第二MOS晶体管和参考单元;灵敏放大器,灵敏放大器分别与数据单元和...
  • 公开了存储器装置及存储器装置的操作方法。所述存储器装置的示例性操作方法包括:基于第0偏置条件控制第一存储器块,第0偏置条件对应于与第一存储器块连接的多条地选择线的第0 GSL编码模式;基于第一存储器块的编程和擦除循环是第一参考值,将第一存储...
  • 本公开提供一种闪存装置的读取方法及读取命令格式。读取方法包括:基于读取命令中的特别码,判断要读取的区块是否为开放区块。开放区块具有已写入区域与未写入区域。在判断该区块不是开放区块时,且读取该区块的选择字线时,对区块中的非选择字线施加第一读取...
  • 本申请涉及存储芯片技术领域,公开一种用于非挥发性存储器的偏置电压电路,包括电流镜像模块、镜像电流输入模块、偏置电压产生模块、负载电容,在第一使能信号为低电平时,电流镜像模块内PBIAS点的电压和偏置电压产生模块内VOUT点的电压均为电源电压...
  • 本发明涉及存储技术领域,公开了一种NorFlash存储器的Word Line驱动电路及NorFlash存储器,包括:第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一PMOS管的源极接第一信号、栅极接第二信号、漏极连接目标字线;所述第...
  • 本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置例如为三维与非门闪存,且提供高性能以及高容量的储存介质。存储器装置包括多个页缓冲器以及多个第一开关。页缓冲器相互串联耦接。第一开关分别对应页缓冲器,其中各第一开关耦接至对应的页缓冲器的感测端。...
  • 本申请提供了一种存储系统的操作方法、存储系统、存储器装置及存储介质,涉及存储技术领域。该读电压确定包括:采用候选读电压以及多对偏移读电压分别执行读取操作,获得所述候选读电压对应的原始数据,以及多对所述偏移读电压中的每个所述偏移读电压分别对应...
  • 本申请实施例提供了一种数据写入方法、电子设备以及存储介质,方法包括根据闪存的待写入字线的地址生成随机序列种子,并根据所述随机序列种子生成随机取状态序列;根据所述随机取状态序列从随机状态序列中抽取得到随机化序列,其中,随机状态序列根据所述待写...
  • 本申请属于半导体非易失性存储器技术领域,具体公开了一种忆阻器精确编程方法及装置,该方法包括:获取编程任务,编程任务用于指示将目标忆阻器的电导值配置为目标电导值;获取目标忆阻器的当前电导值、相邻忆阻器当前电导状态数据和个性化补偿参数;基于电导...
  • 本发明涉及半导体存储器技术领域,具体涉及一种自动配置编程写系统,包括:位线数据模式感知模块,用于检测位线低阻态单元数量并输出模式编码;行列地址感知模块,用于根据存储单元地址生成块索引信号;RESET电流配置表模块,存储多级电流查找表;查找表...
  • 本公开涉及检测金属线路中的缺陷的半导体装置。一种半导体装置包括:电源控制电路,其被配置为生成包括在测试模式信号被使能时被控制的时段期间生成的脉冲的应力信号,以及被配置为通过基于应力信号驱动金属线路来向金属线路施加应力;以及电源电路,其被配置...
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