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最新专利技术
  • 一种含静电纺丝复合水凝胶保护层的锌负极及其制备方法和应用
    一种含静电纺丝复合水凝胶保护层的锌负极及其制备方法和应用_武汉纺织大学_202610055116.8
    本发明涉及锌负极技术领域，尤其涉及一种含静电纺丝复合水凝胶保护层的锌负极及其制备方法和应用。一种含静电纺丝复合水凝胶保护层的锌负极的制备方法，包括如下步骤：将聚丙烯腈溶解于N, N‑二甲基甲酰胺中，配制静电纺丝液；在锌箔表面静电纺丝制备聚丙...
    2026-04-25
  • 一种耐低温负极锌膏及包含该锌膏的低温碱性锌锰电池
    一种耐低温负极锌膏及包含该锌膏的低温碱性锌锰电池_广州虎头电池集团股份有限公司_202511801777.2
    本发明公开了一种耐低温负极锌膏及包含该锌膏的低温碱性锌锰电池。所述负极锌膏包括以下重量份数的组分：锌粉60‑65份、复合导电剂1‑2份、复合缓蚀剂0.1‑0.3份、低温电解液35‑38份；所述低温电解液包括多元非离子表面活性剂体系、多元纳米...
    2026-04-25
  • 质量分析器和控制方法
    质量分析器和控制方法_聚光科技(杭州)股份有限公司_202512038752.8
    本发明属于质谱领域，具体涉及一种质量分析器和控制方法，所述质量分析器包括多极杆；导热件贴在各个极杆的外侧，制冷单元连接所述导热件；电源为所述制冷单元供电，温度传感器用于获得极杆的温度；控制器用于根据质荷比Aj调整第i个极杆上制冷单元的工作电...
    2026-04-25
  • 一种解吸电喷雾-介质阻挡放电复合电离源质谱成像装置
    一种解吸电喷雾-介质阻挡放电复合电离源质谱成像装置_中国科学院深圳先进技术研究院_202610045356.X
    本发明属于质谱成像技术领域，公开了一种解吸电喷雾‑介质阻挡放电复合电离源质谱成像装置，其包括解吸电喷雾机构和介质阻挡放电机构，解吸电喷雾机构包括绝缘管、解吸毛细管、直流高压电源、气体输送管和样品载台，介质阻挡放电机构包括毛细管、内电极、外电...
    2026-04-25
  • 一种电离装置及质谱检测设备
    一种电离装置及质谱检测设备_中国石油化工集团有限公司_202411442967.5
    本发明公开了一种电离装置及质谱检测设备，电离装置包括第一腔室、第二腔室、第一电离部、第一偏转部和第二电离部，第一腔室和第二腔室连通。第一腔室设置有入口，使待测流体通过入口进入第一腔室，第一电离部使待测流体中除预设气体之外的其它成分电离，第一...
    2026-04-25
  • 一种高性能多通道弧形通道式电子倍增器及其制备方法
    一种高性能多通道弧形通道式电子倍增器及其制备方法_苏州极阱科仪器有限公司_202511951306.X
    本发明涉及电子探测与信号放大技术领域，尤其为一种高性能多通道弧形通道式电子倍增器，包括：电子输入端，用于接收并聚焦入射粒子；隔断区，用于建立电位梯度；合金镀层电极，分别设于电子倍增器的输入与输出端，用于施加工作电压；多通道弧形阵列结构，包括...
    2026-04-25
  • 基板处理装置
    基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202610156127.5
    本发明提供一种热响应性提高的基板处理装置。一种基板处理装置，其具有：腔室，其是具有等离子体处理空间的腔室，所述腔室的侧壁具有用于向所述等离子体处理空间内输送基板的开口部；和开闭器，其配置于所述侧壁的内侧，对所述开口部进行开闭，所述开闭器具有...
    2026-04-25
  • 等离子体处理装置及晶圆处理方法
    等离子体处理装置及晶圆处理方法_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202610090786.3
    本公开实施例提供一种等离子体处理装置及晶圆处理方法，包括：工艺腔室、介质筒、等离子体产生单元、基座组件、主排气系统和辅助吸附系统；主排气系统，通过主排气管路与工艺腔室连接，用于调节工艺腔室内的压力；辅助吸附系统用于在主排气系统工作前将待处理...
    2026-04-25
  • 一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备
    一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备_安徽越好电子装备有限公司_202610080532.3
    本发明公开了一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备，属于半导体刻蚀与清洗设备技术领域。本发明旨在解决现有设备在处理大面积基板时存在的等离子体分布不均、密度低及深孔刻蚀效果差的问题。本设备集成了以电容耦合等离子体(CCP)反应腔为...
    2026-04-25
  • 可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极
    可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极_上海稷以科技有限公司_202610058472.5
    本发明提出了一种可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极，包括：电极本体，其上表面开设有环形槽；环形槽关于电极本体的中心轴对称设置；及盖环，其与环形槽适配，其上表面不高于环形槽的上表面；其中，环形槽，其内径r＜100mm，其外径R≥104mm；...
    2026-04-25
  • 一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法
    一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法_天府兴隆湖实验室_202511967053.5
    本申请提供一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法，刻蚀终点检测方法基于在刻蚀进程中对于第一反应产物浓度的直接检测，可以准确地确定刻蚀终点。相比于通过光谱等方式进行的对于第一反应产物浓度的趋势检测，本申请中确定的刻蚀终点的准确性更高。同...
    2026-04-25
  • 基板处理装置、保护部件、半导体器件的制造方法及程序产品
    基板处理装置、保护部件、半导体器件的制造方法及程序产品_株式会社国际电气_202510992667.2
    本发明提供能够调整抑制反应副生成物等向处理容器内周面的附着的范围的技术。包括：处理容器，其进行基板的处理；气体供给部，其能够向所述处理容器内供给对所述基板进行处理的气体；保护部件，其沿着所述处理容器的内周面配置，能够通过在周向上旋转来调整高...
    2026-04-25
  • 一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备
    一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411427106.X
    本发明实施例提供了一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备，该下电极组件包括：聚焦环，晶圆承载装置，射频电源，检测模块和控制模块，聚焦环环绕晶圆承载装置的承载面设置，检测模块与控制模块连接；射频电源用于向晶圆承载装置的偏压电极和聚...
    2026-04-25
  • 离子注入机束流检测电路、方法及调整装置
    离子注入机束流检测电路、方法及调整装置_上海凯世通半导体股份有限公司_202411452066.4
    一种离子注入机束流检测电路、方法及调整装置，所述离子注入机束流检测电路，包括：输入调理单元，用于接收离子注入机束流的差分模拟信号；将所接收的差分模拟信号转换为对应的单端信号；对所述单端信号进行滤波处理，获取所述单端信号中的交变信号；对所述交...
    2026-04-25
  • 用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座
    用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座_中国科学院理化技术研究所_202610011247.6
    本发明涉及扫描电镜和机械技术领域，特别是涉及一种用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座。可调节探针座包括：法兰盘，所述法兰盘的第一端面与环境扫描电镜连接；连杆机构，位于所述法兰盘第一端面的外侧；探针，安装于所述连杆机构远离所述法兰盘的一端；真...
    2026-04-25
  • 一种五层栅网聚焦型射频离子源
    一种五层栅网聚焦型射频离子源_湖南先进技术研究院_202610328643.1
    本发明公开了一种五层栅网聚焦型射频离子源，包括离子源模块，离子源模块的离子射出端设有五层栅网聚焦模块，五层栅网聚焦模块包括沿离子源模块的离子射出方向依次间隔布置的一级屏栅、一级加速栅、一级减速栅、二级减速栅和二级加速栅，一级屏栅、一级加速栅...
    2026-04-25
  • 一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置
    一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置_海南会峰科技有限公司_202610077329.0
    本发明涉及电子发射技术领域，公开一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置。该电子发射源采用快速调控的UV LED光源激发MCP组件首端的电子发射功能层，并通过电子流在MCP中的雪崩倍增过程，实现电子束流的超快时序调制。通过采用特定高...
    2026-04-25
  • 外腔加载超材料的同轴磁控管
    外腔加载超材料的同轴磁控管_南京理工大学_202610332473.4
    本发明公开了一种外腔加载超材料的同轴磁控管，包括由内至外依次设置的阳极叶片组、阳极圆筒、超材料层以及外圆筒，所述阳极叶片组由多个阳极叶片呈环形均匀阵列排布构成，相邻阳极叶片之间构成谐振内腔；所述阳极圆筒套设于阳极叶片组外部，其筒壁上开设有多...
    2026-04-25
  • 一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管
    一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202511838682.8
    本发明提供一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管，该电子枪包括阳极件；位于阳极件内部的聚焦极件；位于阳极件与聚焦极件之间的外绝缘陶瓷环；位于聚焦极件内部的阴极件；以及位于阴极件与聚焦极件之间的内绝缘陶瓷环；所述阳极件，聚焦极件和阴极件的材质均...
    2026-04-25
  • 一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法
    一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法_中山大学_202511805664.X
    本发明涉及场发射电子源技术领域，公开了一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法。本发明提供的方法，通过在TEM高真空腔室内，利用纳米手对阴极材料进行原位可控的物理或电热激励，在其表面特定区域可控制备出尺寸、形貌和晶体结构明确的单晶或多晶纳米...
    2026-04-25
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