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最新专利技术
  • 一种减毒单纯疱疹病毒在制备神经环路逆向示踪工具病毒中的应用
    一种减毒单纯疱疹病毒在制备神经环路逆向示踪工具病毒中的应用_中国科学院深圳先进技术研究院_202311760186.6
    本发明公开了一种减毒单纯疱疹病毒在制备神经环路逆向示踪工具病毒中的应用，该减毒单纯疱疹病毒基于靶向载体制备得到，靶向载体为在载体pH129ΔRL1的神经毒力因子γ34.5基因上下游同源臂之间插入完整的荧光蛋白基因或其他外源目的基因表达盒的载...
    2026-03-12
  • 谷氨酸-丙酮酸氨基转移酶突变体及其应用
    谷氨酸-丙酮酸氨基转移酶突变体及其应用_安徽华恒生物科技股份有限公司_202311767048.0
    本发明公开了一种谷氨酸‑丙酮酸氨基转移酶突变体及其应用，该突变体是在野生型谷氨酸‑丙酮酸氨基转移酶氨基酸序列基础上进行包括第15、276、292、296位中任一位或多位氨基酸残基替换得到，相较于野生型，该突变体酶活性降低，该突变体引入到缬氨...
    2026-03-12
  • 新型Cas12a核酸酶BEST3及其应用
    新型Cas12a核酸酶BEST3及其应用_深圳华大生命科学研究院_202311773305.1
    本发明涉及基因工程技术领域，具体涉及一种新型Cas12a核酸酶‑BEST3及其在基因编辑和核酸检测中的应用。本发明提供一种新型Cas12a蛋白，即BEST3，其可作为基因编辑工具酶并可用于核酸检测，为生物体内靶向基因编辑及核酸检测应用提供了...
    2026-03-12
  • 用于调控基因表达的PGK-5UI系列启动子及其用途
    用于调控基因表达的PGK-5UI系列启动子及其用途_北京锦篮基因科技有限公司_202311759194.9
    本发明涉及PGK启动子的经改良的、用于调控基因表达的启动子、包含所述启动子的重组腺相关病毒(rAAV)载体、包含所述rAAV载体的药物组合物及其在治疗或预防疾病中的用途。
    2026-03-12
  • 肝脏特异性启动子及其用途
    肝脏特异性启动子及其用途_北京锦篮基因科技有限公司_202311764012.7
    本发明涉及肝脏特异性启动子及其将外源目的核酸递送到肝脏的用途。本发明还涉及包含所述肝脏特异性启动子的重组腺相关病毒(rAAV)载体、包含所述rAAV载体的药物组合物及其在治疗或预防肝脏疾病中的用途。
    2026-03-12
  • AcMYB266和AcbHLH901在调控凤梨果皮花青素合成中的应用
    AcMYB266和AcbHLH901在调控凤梨果皮花青素合成中的应用_中国热带农业科学院热带作物品种资源研究所_202311763840.9
    本发明公开了转录因子AcMYB266和AcbHLH901在调控凤梨果皮花青素合成中的应用。所述转录因子AcMYB266的核苷酸序列如序列表SEQ ID NO:1所示，氨基酸序列如序列表SEQ ID NO:2所示。转录因子AcMYB266是凤...
    2026-03-12
  • 用于测序的底物添加剂及其应用
    用于测序的底物添加剂及其应用_深圳华大智造科技股份有限公司_202311769400.4
    本申请涉及基因测序技术领域，具体涉及一种测序的底物添加剂及其应用，该底物添加剂包括稳定剂和可选的螯合剂和催化剂，其中稳定剂包括：柠檬酸钾、水杨酸钠、壳聚糖、抗坏血酸钠、维生素E、表没食子儿茶素没食子酸酯、谷胱甘肽、半胱氨酸或其衍生物。本申请...
    2026-03-12
  • 用于PCR检测核酸的引物探针组合、试剂及其试剂盒
    用于PCR检测核酸的引物探针组合、试剂及其试剂盒_迈克生物股份有限公司_202311770713.1
    本发明提供了用于PCR检测核酸的引物探针组合，包括第一寡核苷酸、第二寡核苷酸和检测探针，第一寡核苷酸与第二寡核苷酸互为正向引物和反向引物；第一寡核苷酸包括不与靶序列互补或相同的锚定区，和与靶序列互补或相同的结合区；检测探针包括与第一寡核苷酸...
    2026-03-12
  • 一种引物组合物及其应用
    一种引物组合物及其应用_四川厌氧生物科技有限责任公司_202311758156.1
    本发明公开了一种用于检测微生物保藏编号为CCTCC NO:M2023349的两歧双歧杆菌、微生物保藏编号为CCTCC NO:M2023350的鸟肠球菌、微生物保藏编号为CCTCC NO:M2023348的唾液乳杆菌、微生物保藏编号为CCTC...
    2026-03-12
  • CeO2/Metal-SA的合成方法
    CeO<Sub>2</Sub>/Metal-SA的合成方法_李志华_202311753628.4
    本公开提供了一种CeO2/Metal‑SA制备方法，该材料是以CeO2作为载体，采用表面氧化还原法合成了一系列CeO2/Metal‑SA材料。该合成方法符合绿色化学理念，无污...
    2026-03-12
  • 一种森吉米尔支承辊背衬轴承外圈及其制备方法
    一种森吉米尔支承辊背衬轴承外圈及其制备方法_宝山钢铁股份有限公司_202311757901.0
    本发明公开了一种森吉米尔支承辊背衬轴承外圈及其制备方法，包括按重量百分比计的如下成分：C：0.8～1.25％、Si：0.60～0.90％、Mn：0.25～0.45％、P＜0.008％、S＜0.005％、Cr：1.6～2.8％、Mo：0.30...
    2026-03-12
  • 高耐磨耐冲击辙叉用贝氏体钢及其制备方法
    高耐磨耐冲击辙叉用贝氏体钢及其制备方法_北京特冶工贸有限责任公司_202311756607.8
    本发明公开了一种辙叉用贝氏体钢，其特征在于合金元素及质量成分含量为：C 0.2‑0.35％、Al 0.6‑1.1％、Mn 2.1‑2.4％、Cr 0.8‑1.1％、Mo 0.2‑1.0％、Ni 0.1‑1.0％、Y 0.01‑0.1％、S&...
    2026-03-12
  • 高寒地区使用的辙叉用贝氏体钢及其制备方法
    高寒地区使用的辙叉用贝氏体钢及其制备方法_北京特冶工贸有限责任公司_202311756606.3
    本发明公开了一种高寒地区使用的辙叉用贝氏体钢，其合金元素为0.30‑0.36％的C、1.8‑2.0％的Mn、1.0‑1.3％的Cr、1.2‑1.4％的Si、0.8‑1.0％的Al、0.5‑0.9％的Ni、0.5‑1.0％的Mo、0.01‑0...
    2026-03-12
  • 一种制备Ti3Al基合金均匀组织的热处理方法
    一种制备Ti<Sub>3</Sub>Al基合金均匀组织的热处理方法_中国科学院金属研究所_202311762505.7
    本发明属于Ti‑Al金属间化合物微观组织控制领域，具体涉及到一种制备Ti3Al基合金均匀组织的热处理方法。首先将Ti3Al基合金在β/B2单相区或α2+β/B2两相区保温，然...
    2026-03-12
  • 一种物理气相沉积设备
    一种物理气相沉积设备_上海集成电路研发中心有限公司_202311758553.9
    本发明提供了一种物理气相沉积设备，应用于半导体技术领域。具体的，通过将物理气相沉积设备中的部分部件，改造成一块或多块电磁铁，然后，在给每一块所述电磁铁电连接一控制电源，可以通过不同电磁铁对应电连接的控制电源，实现对电磁铁的通电电流的大小、有...
    2026-03-12
  • 去除硅片背面氮化硅的方法
    去除硅片背面氮化硅的方法_上海集成电路研发中心有限公司_202311769049.9
    本发明提供了一种去除硅片背面氮化硅的方法，包括步骤：提供硅片，硅片包括衬底和设置于衬底顶面的硅波导，且硅片的正面和背面通过LPCVD分别淀积有第一氮化硅层和第二氮化硅层；在第一氮化硅层的顶面形成保护层；对第二氮化硅层进行干法刻蚀处理，以除去...
    2026-03-12
  • 一种化学气相沉积设备
    一种化学气相沉积设备_上海集成电路研发中心有限公司_202311758552.4
    本发明提供了一种化学气相沉积设备，应用于半导体技术领域。具体的，其可通过电磁铁对应电连接的控制电源，实现对所述至少一块电磁铁的通电电流的大小、有无进行控制，以使所述电磁铁装置产生异区可控分布的磁场，亦使反应气源中的镍络合物等具有铁磁性的前驱...
    2026-03-12
  • 去除硅片背面氮化硅的工艺
    去除硅片背面氮化硅的工艺_上海集成电路研发中心有限公司_202311769111.4
    本发明提供了一种去除硅片背面氮化硅的工艺，包括步骤：提供硅片，所述硅片包括衬底和设置于所述衬底顶面的硅波导，且所述硅片的正面和背面通过LPCVD分别淀积有第一氮化硅层和第二氮化硅层；在所述第一氮化硅层的顶面形成保护层；对所述第二氮化硅层进行...
    2026-03-12
  • 一种经表面处理的基材及其制备方法和应用
    一种经表面处理的基材及其制备方法和应用_深圳华大生命科学研究院_202311762042.4
    本发明提供一种经表面处理的基材及其制备方法和应用。所述经表面处理的基材的表面处理剂包括辛基类硅烷A、丙烯酸类硅烷B和癸基类硅烷C。本发明中，通过特定的表面处理剂对基材进行表面处理，得到的基材具有适宜的力学性能，使其可以完成四层及四层以上的纳...
    2026-03-12
  • 电镀液喷射装置
    电镀液喷射装置_苏州信吉优机械设备有限公司_202311755511.X
    本发明公开一种电镀液喷射装置，其位于底座的顶部设置有一集废槽，支架的顶部安装有一具有喷嘴的电镀液喷射器，位于电镀液喷射器与储液罐之间设置有一具有探测头的光泽度监测器，位于探测头的上、下两侧且平行于喷嘴均安装有一导气仓，且位于导气仓相背于光泽...
    2026-03-12
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