Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种断路器
    一种断路器_天津首瑞智能电气有限公司_202311756690.9
    本发明提供一种断路器，包括外壳及内部元件，所述内部元件至少包括上灭弧室、下灭弧室、双断点触头系统、第一接线端子、第二接线端子、过载脱扣器、机构、转轴，所述双断点触头系统包括单断点动触头、双断点动触头和静触头，所述机构驱动至少一个转轴所述双断...
    2026-03-21
  • 电子收集装置及散热方法、X射线管
    电子收集装置及散热方法、X射线管_武汉联影医疗科技有限公司_202311768871.3
    本申请请求保护的电子收集装置及散热方法、X射线管，电子收集装置包括电子收集极，电子收集极具有壳壁，壳壁包括内壳壁和外壳壁，内壳壁的至少一部分用于收集背散射电子；壳壁合围形成有密闭腔室，密闭腔室内设置有非气态的相变介质，非气态的相变介质与内壳...
    2026-03-21
  • 一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件
    一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件_格科半导体(上海)有限公司_202311756629.4
    本发明公开了一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件，该方法至少包括：提供表面为非平坦化的衬底；在所述衬底上形成表面平坦化的牺牲层；通过刻蚀，去除所述牺牲层以及部分所述衬底材料，以实现所述衬底的表面平坦化；其中，所述衬底的...
    2026-03-21
  • 晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机
    晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机_江苏卓胜微电子股份有限公司_202311758251.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机，该方法包括：向气体混合室内注入调节气体；向气体混合室内通入初始刻蚀气体，利用调节气体对初始刻蚀气体进行调节，获得中性刻蚀气体；将中性刻蚀气体输入至刻蚀腔，对刻蚀腔内的晶圆表面进行...
    2026-03-21
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311761897.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底的顶部形成有第一介电层；在第一介电层的顶部形成核心层；在核心层的侧壁形成掩膜侧墙；去除核心层；对预设刻蚀窗口内的第一介电层进行刻蚀，预设刻蚀窗口沿第一方向横跨掩膜侧墙，以使掩膜侧墙对预设刻蚀窗口...
    2026-03-21
  • 一种量子芯片加工系统
    一种量子芯片加工系统_量子科技长三角产业创新中心_202311748340.8
    本申请涉及量子芯片加工领域，公开了一种量子芯片加工系统，包括：惰性气体循环设备、真空设备、转移设备、清洗单元、烘干单元，惰性气体循环设备中处于惰性气体气氛，清洗单元和烘干单元设于惰性气体循环设备中；清洗单元用于清洗衬底，去除位于衬底表面的氧...
    2026-03-21
  • 晶圆调节机构、晶圆传输系统及半导体处理设备
    晶圆调节机构、晶圆传输系统及半导体处理设备_无锡华润上华科技有限公司_202311757692.X
    本申请涉及一种晶圆调节机构、晶圆传输系统及半导体处理设备。该晶圆调节机构包括：底座；导向组件，所述导向组件的一端与所述底座转动连接，所述导向组件的另一端朝远离所述底座的方向延伸；所述导向组件的外周面用于与传输带上的晶圆接触，所述导向组件在转...
    2026-03-21
  • 一种静电卡盘和等离子刻蚀系统
    一种静电卡盘和等离子刻蚀系统_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311756957.4
    本发明公开了一种静电卡盘和等离子刻蚀系统，静电卡盘包括：绝缘加热层，用于对待加工件进行加热；基座，与所述绝缘加热层连接，并且所述绝缘加热层与所述基座之间具有密封的移动空间；冷却组件，所述冷却组件和/或所述绝缘加热层能够在所述移动空间内移动，...
    2026-03-21
  • 一种基板翻转机构
    一种基板翻转机构_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202311745151.5
    本发明属于半导体晶圆清洗设备技术领域，具体地说是一种晶圆翻转机构，包括主框架、旋转驱动件、转动盘及两组上下配合设置的夹持架组件。转动盘转动设置于主框架中，旋转驱动件固定安装于主框架上，旋转驱动件的驱动端与转动盘连接、并带动转动盘在主框架中转...
    2026-03-21
  • 一种双面封装结构、电源装置及电子设备
    一种双面封装结构、电源装置及电子设备_华为技术有限公司_202311761950.1
    本申请实施例公开了一种双面封装结构、电源装置及电子设备。双面封装结构的PCB基板的两侧板面均设置有功率器件，导热件插装在PCB基板上，并封装形成封装体；该封装体包括散热面，散热面与PCB基板的一侧板面相对；PCB基板上具有通过铜箔相连的过孔...
    2026-03-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202311757100.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，具有相对的第一面与第二面，第一衬底包括若干相互分立的引出区以及包围各引出区的各改性区；对各改性区进行改性处理以使各改性区具有导电性；在第一面表面形成第一器件层，第一器件层包括第一介...
    2026-03-21
  • 阶梯结构及其制造方法、半导体结构
    阶梯结构及其制造方法、半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202311759267.4
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种阶梯结构及其制造方法、半导体结构，阶梯结构包括：沿第一方向间隔排布的多条导电层，导电层包括沿第二方向间隔排布至少两条子导电层，导电层沿第三方向延伸；沿第二方向间隔排布的多个台阶结构，沿第一方向间隔排布...
    2026-03-21
  • 检测基板、发光芯片的筛选装置及方法
    检测基板、发光芯片的筛选装置及方法_京东方科技集团股份有限公司_202311754668.0
    本发明公开一种检测基板、发光芯片的筛选装置及方法，检测基板用于对发光芯片进行检测，所述检测基板包括：基板；设置在所述基板上的多个检测单元，每个所述检测单元对应一个所述发光器件，且包括第一检测电极和第二检测电极，所述第一检测电极用于与所述发光...
    2026-03-21
  • 预锂化负极极片、二次电池及装置
    预锂化负极极片、二次电池及装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311750461.6
    本申请提供了一种预锂化负极极片、二次电池及装置。预锂化负极极片包括集流体、负极活性材料层和预锂层，负极活性材料层和预锂层依次设置在集流体的表面，满足：A＝X×(A半‑C全)，1.8≤A≤3.2，0...
    2026-03-21
  • 一种氟化碳电池正极及锂氟化碳电池的制备
    一种氟化碳电池正极及锂氟化碳电池的制备_中国科学院大连化学物理研究所_202311748859.6
    本发明公开了一种软包装氟化碳电池水性混合粘结剂正极的制备及应用，归属于能源材料技术及相关领域。所述水系混合粘结剂为聚丙烯腈多元共聚物与聚氧化乙烯及聚乙烯醇中的一种或两种混合物，本发明采用水系混合粘结剂制备氟化碳正极，可以解决单一使用丙烯腈多...
    2026-03-21
  • 一种三维多孔硅碳复合负极材料及其制备方法
    一种三维多孔硅碳复合负极材料及其制备方法_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311743638.X
    本发明提供的三维硅碳复合负极材料及其制备方法，首先合成了具备石墨化结构三维多孔结构的碳材料，然后直接使用纳米硅和三维多孔结构碳材料进行原位复合，再在表面包覆一层碳材料，降低硅碳复合材料在储存过程中与空气或水反应的可能。具有石墨化结构的三维多...
    2026-03-21
  • 碳基复合型硫酸铁钠正极材料及制备与应用
    碳基复合型硫酸铁钠正极材料及制备与应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311748864.7
    本发明属于新能源技术领域，具体涉及一种低成本、高工作电压的碳基复合型硫酸铁钠正极材料的制备方法及应用。该复合材料作为钠离子电池正极材料时，表现出较优的容量保持率和循环稳定性。
    2026-03-21
  • 一种硫单质复合的纤维素基螺旋多孔微球及制备和应用
    一种硫单质复合的纤维素基螺旋多孔微球及制备和应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311748867.0
    本发明提供一种纤维素基螺旋多孔碳球的制备方法及其在锂硫电池硫正极中的应用。该方法以将纤维素纳米晶为原料，通过膜乳化法制备纤维素基螺旋微球，将该螺旋微球在惰性气氛条件下高温热处理可得到纤维素基螺旋碳球，纤维素基螺旋碳球刻蚀后即可获得纤维素基螺...
    2026-03-21
  • 一种Mxene量子点修饰氮掺杂石墨烯材料、制备方法及隔离膜
    一种Mxene量子点修饰氮掺杂石墨烯材料、制备方法及隔离膜_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311750048.X
    本申请提供了一种Mxene量子点修饰氮掺杂石墨烯材料、制备方法及隔离膜。Mxene量子点修饰氮掺杂石墨烯材料包括Mxene量子点和氮掺杂石墨烯，其中，基于Mxene量子点修饰氮掺杂石墨烯材料的质量，Mxene量子点的质量百分含量为30％至6...
    2026-03-21
  • Na-M负极复合材料及其制备方法和负极片、钠离子电池
    Na-M负极复合材料及其制备方法和负极片、钠离子电池_中石油深圳新能源研究院有限公司_202311752724.7
    本发明涉及电化学储能技术领域，具体涉及一种Na‑M负极复合材料及其制备方法和负极片、钠离子电池。该复合材料包括Na和分散在Na中的M粉末，M选自锂、钾、钙、铝、锌、铁、锡、铅、铜、银、铂和金中的一种或多种；所述Na‑M复合材料中，Na与M粉...
    2026-03-21
首页 上一页 2 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证