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  • 本发明公开了一种发声装置和电子设备,涉及电声换能技术领域,其中,发声装置包括壳体和发声单体,发声单体的数量包括两个,两个发声单体相对设置于壳体的两侧并与壳体围成前腔,壳体开设有连通前腔的声孔;发声单体包括磁路系统和振动系统,磁路系统均包括中...
  • 本申请提供了一种终端定位方法、电子设备及存储介质,涉及终端技术领域。其中,该方法包括:基站首先获取由目标终端或PRU发送的目标上行参考信号,并提取出其对应的目标信道冲激响应信息。然后将目标信道冲激响应信息输入信道测量方式识别模型,得到目标信...
  • 本发明公开了基于多尺度贝叶斯网络的无线传感器网络节点故障诊断系统,涉及无线传感器网络技术领域,该系统包括以下组成部分:数据采集与预处理模块:采用分布于监测区域的传感器节点按预设频率采集环境参数并无线传输至数据处理单元,采用自适应方式进行预处...
  • 本发明涉及数据处理领域,尤其涉及基于智能网关的物联网智能分析预警系统及方法,方法包括:在预设的监控区域内获取多个物联网关的坐标以及网关连接的监测对象的坐标;计算所有的网关连接的监测对象的坐标的误差指数,对所有所述误差指数进行分类,筛选出有效...
  • 本发明涉及无线通信技术领域,具体公开了一种飞行自组织网络的链路评估方法,包括:构建天线模型、发射机模型、接收机模型和干扰模型;根据飞行自组织网络中任意两个通信节点的真实位姿和偏差位姿确定拓扑结构;分别根据拓扑结构中任意两个通信节点的真实位姿...
  • 本发明公开了一种超视距自组网通信设备测试方法及系统,具体涉及动态多跳网络性能测试技术领域,用于解决现有静态测试无法反映拓扑突变导致的多跳性能失真问题;通过构建移动节点动态拓扑,监控中继节点的路由切换行为并识别事件密度聚集区间;基于传输中断次...
  • 本发明公开了一种基于智能家居的无线优化传输方法,本发明涉及智能家居技术领域,所述无线优化传输方法包括以下步骤:构建区域边缘网关与云中心的双层架构,通过动态分组管理终端设备,在区域边缘网关内嵌本地化决策模块,采用双模自适应传输协议,优化路径选...
  • 本发明涉及无人机技术领域,特别是一种多频段图传模块及其图传功率自适应调节方法,该方法通过将信道质量指标与环境干扰频谱输入预存储的信道衰减关联函数库,输出满足目标误码率的初始功率基准值,结合三轴飞行器运动加速度生成链路稳定性修正系数;根据基板...
  • 本发明涉及棉花质量检测技术领域,公开了一种棉花分级检测补光装置自动调节方法及系统。具体包括:获取待分级检测棉花在检测环境内实时光照下的实时光学特征和明暗相间的实时纹理;确定所述实时光学特征和所述实时纹理中需要增加补偿光照的第一光学特征和第一...
  • 本发明公开了一种汽车内阅读灯的自动调光方法及系统,所述方法包括:基于环境光传感器采集车内光场数据,并基于所述车内光场数据生成环境光校准信号;解析所述环境光校准信号,生成环境光强度阈值,并根据所述环境光强度阈值生成初始调光指令;获取车内乘客乘...
  • 本发明提供了一种X射线加速管,所述X射线加速管包括顺序连接的加速管电子枪结构总成、加速管高频结构总成以及X射线转换靶,加速管电子枪结构总成、加速管高频结构总成以及X射线转换靶沿电子束流方向依次排列并构成真空环境;加速管电子枪结构总成包括阴极...
  • 本发明公开了一种线路板的孔加工方法及多层线路板,多层线路板包括线路板本体,线路板本体上开设有导电孔,导电孔的内壁设有呈环状的导电层;导电层的内壁设置有树脂陶瓷复合部,树脂陶瓷复合部填充导电层的内环面;树脂陶瓷复合部的陶瓷粉末浓度沿靠近导电孔...
  • 本发明属于金属材料镀层氧化技术领域,且公开了一种改善有机剥膜后产品镀层氧化装置及使用方法,包括机箱,所述机箱靠近底部的两端箱体上均贯通卡接有用于排镀层溶液的出料塞,所述机箱的一端外壁上固定焊接有磁板架,还包括:所述机箱上设有出入料结构以及对...
  • 本申请涉及散热技术领域,公开了一种基于相变液冷的数据中心智能化控制方法,本申请通过智能化控制方法切换冷却散热方式(热泵冷却散热与浸没冷却散热),并且在热泵冷却散热时,根据不同服务器节点表面温度调节喷嘴喷射速度,可避免流体边界膜的产生,从而大...
  • 本公开涉及半导体技术领域,提供一种半导体器件及其制作方法。用于解决如何降低位线制作难度的技术问题。该制作方法包括:提供基底,基底包括多个有源层以及分隔各个有源层的容置空间;有源层包括第一部分和第二部分;沿第一部分指向第二部分的方向,第二部分...
  • 本申请涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种半导体结构的制备方法。半导体结构的制备方法包括:提供基底;于基底的一侧形成第一半导体中间层,第一半导体中间层具有沟槽,沟槽内设有栅极介质层与栅极结构,第一半导体中间层具有第一导电类型;对第一半导体中...
  • 本公开提供一种半导体器件、功率模组和电子设备,涉及半导体技术领域,用于使半导体器件在增强型的条件下,实现反向偏压下的导通;该半导体器件包括衬底、栅极、导电电极、第一电流阻挡层、第一掺杂层、第一电极、第二电流阻挡层、第二掺杂层和第二电极、介质...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件,由若干个相互并列的MOS元胞组成,单个所述MOS元胞从下向上依次包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极,所述半导体外延层包括有N衬底层、N扩散层、主P+...
  • 本公开提供一种半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备,其中,半导体结构的形成方法包括:形成漂移区,所述漂移区在第一方向上与第一区域相邻设置,所述第一方向与所述漂移区的顶面平行;形成第一栅极、第二栅极以及第一场介质层,所述第一场介质层覆...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法,制备方法包括:在硅片受光面及第二半导体开口区上形成绒面;之后在硅片受光面依次形成钝化层和减反层,钝化层包括依次形成的致密氧化层与掺磷掺氧非晶硅层;其中,致密氧化...
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