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  • 本发明提供了一种半导体器件测试样品制作方法及半导体器件残留物测试方法, 属于半导体领域。该半导体器件测试样品制作方法包括提供一半导体衬底, 于所述衬底设置有墙式结构的有源部和叠层结构, 所述叠层结构包括栅极结构和形成于所述栅极结构表面的硬掩...
  • 本发明提供了一种IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片, 所述方法包括:提供背面减薄后的IGBT晶圆, IGBT晶圆的正面键合有临时载片, IGBT晶圆包括位于中心位置的有效区、位于边缘位置且环绕有效区的无效区;对IGBT晶...
  • 本发明提供了一种多区域原位在线检测方法及其装置, 多区域原位在线检测方法包括:外延工艺前, 将多个探头与外延生长设备内的托盘相对设置;外延工艺过程中, 采用多个所述探头获取所述托盘上晶圆表面的反射信号和红外辐射信号;将反射信号和红外辐射信号...
  • 本发明公开了一种刻蚀终点的图像检测方法, 用于刻蚀终点检测, 所述图像检测方法包括接收晶圆的输出图像;对所述输出图像的每个像素点进行检测, 建立联合掩膜M(x, y);根据联合掩膜M(x, y)建立检测区域, 得到多个待检测终点图像;建立灰...
  • 本发明提供了一种晶背清洗装置以及晶背清洗工艺, 涉及半导体设备技术领域, 所述晶背清洗装置应用于显影工艺, 所述晶背清洗装置包括腔体、设置于所述腔体内的支撑机构、以及设于所述支撑机构上的N个滑动组件, 所述滑动组件包括滑动本体、以及与所述滑...
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其控制方法, 其中, 所述半导体工艺设备包括:供气装置、工艺腔室、检测仪和控制器;供气装置包括第一供气支路、第二供气支路和气体混合管路, 第一供气支路用于向气体混合管路输送反应气体, 第二供气支路用于向...
  • 本发明公开了一种基板清洗装置及湿法设备, 基板清洗装置包括喷嘴和摆臂, 喷嘴设置在摆臂的一端, 摆臂的内腔设置有第一流体管, 第一流体管与喷嘴连通, 用于向喷嘴通入第一流体, 第一流体管的管壁外表面覆盖有加热膜层, 加热膜层用于将热量通过流...
  • 本发明属于芯片贴片技术领域, 具体涉及一种芯片贴片机及贴片方法。本芯片贴片机, 包括:芯片剥离机构, 其设置在蓝膜存放机构的下方, 适于将承载芯片的部分蓝膜向上顶成凸状, 以使移至芯片上方的吸送机构将芯片从蓝膜上吸出;双座吸附机构;贴装机构...
  • 本发明公开一种半导体工艺腔室, 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、辐射能量源和顶针组件, 顶针组件设于腔室本体内, 用于支撑晶圆, 辐射能量源设于腔室本体, 用于在晶圆处于被顶针组件支撑的状态下对晶圆的背面加热;半导体工艺腔室包括输气装置...
  • 本发明公开了一种防溢水清洗槽装置, 在使用时, 通过第一进水管和第二进水管向清洗槽进水, 当浮子感应器感应到液位上升到预设高度, 则触发第二电磁阀关闭, 以减少进水量, 此时第一进水管仍然保持进水, 从而在确保清洗槽中能持续有干净液体流入的...
  • 本申请提供一种晶圆的标记图生成方法、装置、设备及介质, 可用于芯片技术领域。该方法包括:获取用户针对目标测试自定义的标记规则;标记规则用于标记晶圆上的位置芯片;获取晶圆针对目标测试的测试数据;根据测试数据, 从晶圆上的多个位置芯片中确定符合...
  • 本申请提供了一种调度方法、半导体工艺调度设备及半导体工艺设备, 其中, 所述调度方法应用于半导体工艺设备中的调度程序, 基于半导体工艺设备的当前运行状态和/或当前调度序列的当前执行状态确定满足调度序列更新条件时, 基于半导体工艺设备中各工艺...
  • 本申请公开了一种晶舟形态的检测方法、半导体工艺设备及存储介质。其中, 该方法包括:在半导体工艺设备完成一次物料传输过程后, 将运行次数加一, 所述物料包括晶片传送盒和晶片;若所述运行次数等于或者大于预设的运行次数阈值, 则执行对所述物料的自...
  • 本发明提供一种装载腔及半导体设备。装载腔包括:外壳, 包括顶壁、底壁、侧壁及所述顶壁、底壁、侧壁连接围成的密闭空间;隔板, 将所述密闭空间在垂直方向分割成用于装载基板的第一分腔与第二分腔;进气模块, 包括位于所述第一分腔的顶部一圈用于向所述...
  • 本申请公开了一种喷淋结构及半导体工艺设备, 涉及半导体领域。一种喷淋结构包括喷淋头和排液清洁组件, 排液清洁组件包括:清洁部件;清洁部件包括容纳腔体、保护腔体、干燥腔体和清洗腔体, 容纳腔体的两端分别设有第一端口和第二端口, 保护腔体、干燥...
  • 本发明提供一种能够在待机室中提高基板的冷却效率的、涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质的技术。具有:构成使多个基板待机的待机室的壳体;在上述壳体的内部能够沿铅垂方向分别载置上述多个基板的支承部;和向沿着载置于上述支...
  • 本发明涉及形成氟氧化钇的氟化清洗方法及氟化清洗设备, 通过包含CF4反应气体的工艺气体及特定处理条件的等离子体热处理在半导体干法蚀刻设备部件的氧化钇涂层上形成氟氧化钇层, 可以缩短老化过程的时间, 以在干法蚀刻设备陈化过程中实现正常蚀刻率。...
  • 本发明提供一种能够提高基板的洁净度的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)包括:旋转体(10), 包括载置部(13), 所述载置部(13)载置具有被处理面的基板(W), 且是以在与基板(W)的跟被处理面为相反侧的面之间保持...
  • 本公开提供一种接合装置和接合方法。接合装置具备用于保持第一基板的第一保持部、用于保持第二基板的第二保持部、用于拍摄被保持于第一保持部的第一基板或被保持于第二保持部的第二基板的摄像部、用于调整被保持于第一保持部的第一基板或被保持于第二保持部的...
  • 本发明提供基片处理装置和基片处理方法, 其对于将至少含有硫酸的处理液与含有纯水的蒸气或雾的流体混合而得到的混合流体的基片处理, 实现其最优化。基片处理装置包括基片保持部、喷嘴、流体供给部、处理液供给部、气体供给部和气体流量调节部。基片保持部...
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