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最新专利技术
  • 具有低接触电阻的紧凑型电接触器
    具有低接触电阻的紧凑型电接触器_桑塞博兹汽车股份公司_202380085999.1
    本发明涉及一种电动接触器， 该电动接触器包括固定接触件(600)和由托架(400)带动的可移动接触件(500)， 以及电动马达(100)， 该电动马达控制该可移动接触件(500)在最大接近位置P2和断开位置P1之间可逆移动：在该最大接近位置...
    2025-10-13
  • 按压操作单元及开关装置
    按压操作单元及开关装置_阿尔卑斯阿尔派株式会社_202480013779.2
    按压操作单元具有：操作部件， 其能够由操作者进行按压操作；板簧部件， 其针对按压操作， 通过弹性变形而赋予操作触感；以及壳体， 其保持板簧部件， 操作部件具有：绝缘件， 其覆盖壳体；第一突出部， 其设置于绝缘件的一个面；以及第二突出部， 其...
    2025-10-13
  • 气体绝缘电气设备
    气体绝缘电气设备_日立能源有限公司_202380094617.1
    本发明涉及一种气体绝缘电气设备(1)， 包括：绝缘管(2)、布置在绝缘管(2)内部的电气高压器具(3)以及布置在绝缘管(2)内并周向地围绕电气高压器具(3)的渗透屏障(5)， 其中， 绝缘管(2)包含绝缘气体(4)， 该绝缘气体(4)包含至...
    2025-10-13
  • 电路断路装置
    电路断路装置_株式会社大赛璐_202380094654.2
    电路断路装置的壳体具有：树脂制的导体保持构件， 其由沿规定的方向延伸并且形成容纳空间的一部分的空腔部贯通， 该导体保持构件以被切除部位于空腔部的内部的方式保持导体片；以及加强构件， 加强导体保持构件， 加强构件以包围空腔部的周围的方式与导体...
    2025-10-13
  • 用于峰值和保持操作的分立继电器驱动器电路
    用于峰值和保持操作的分立继电器驱动器电路_博格华纳美国技术有限责任公司_202480012832.7
    分立继电器驱动器电路， 该分立继电器驱动器电路包括：第一高侧栅极驱动电路， 被配置为驱动第一高侧MOSFET；以及第二高侧栅极驱动电路， 被配置为驱动第二高侧MOSFET。该分立继电器驱动器电路还包括：第一电阻分压器， 被配置为感测来自第一...
    2025-10-13
  • 离子泵及组装的方法
    离子泵及组装的方法_埃地沃兹真空泵有限责任公司_202480014067.2
    描述了一种离子泵及其组装的方法。该离子泵包括：围封泵送腔的泵壳体；一个或多个阳极；一对阴极板；以及用于支撑阴极板的安装器件。该安装器件被配置成将阴极板支撑在泵送腔内的预定位置中。该安装器件包括限定笔直路径的支撑器件， 该路径具有开口端部， ...
    2025-10-13
  • 真空泵
    真空泵_埃地沃兹真空泵有限责任公司_202380094540.8
    一种真空泵， 其包括：溅射离子泵SIP模块， 其具有第一端部和第二端部；非蒸散型吸气剂NEG模块， 其连接到SIP模块的第二端部；NEG模块的电引线从SIP模块的第一端部延伸至第二端部；其中， SIP模块包括具有第一表面和相对的第二表面的阳...
    2025-10-13
  • 用于溅射离子泵的磁性组件
    用于溅射离子泵的磁性组件_埃地沃兹真空泵有限责任公司_202380094542.7
    一种用于溅射离子泵SIP的磁性组件， 包括极靴、通过所述至少一个磁体的磁力连接到极靴的至少一个磁体、连接到所述至少一个磁体的至少一个阴极元件和通过所述至少一个磁体的磁力连接到所述至少一个磁体的至少一个支架元件， 其中， 所述至少一个支架元件...
    2025-10-13
  • MCP检测器以及分析装置
    MCP检测器以及分析装置_浜松光子学株式会社_202380094643.4
    本发明的MCP检测器(1)具备：MCP(3)， 其具有被输入电子(e1)的输入面(3a)；对根据电子(e1)的输入而产生的电子进行倍增的倍增部(11A、11B)；输出由倍增部(11A、11B)倍增的电子(e2)的输出面(3b)；平面状的倍增...
    2025-10-13
  • 溅射离子泵模块及真空泵
    溅射离子泵模块及真空泵_埃地沃兹真空泵有限责任公司_202380094524.9
    一种溅射离子泵SIP模块， 其包括框架结构、连接到框架结构的阳极、以及连接到框架结构的壳， 其中该壳至少部分地围绕框架结构和阳极， 其中该壳包括至少一个磁体和至少一个阴极元件。
    2025-10-13
  • 质量分析装置
    质量分析装置_株式会社日立高新技术_202480014074.2
    质量分析装置(10)、(10A)、(10B)具备：离子源(30)；真空腔室(40)， 其被导入由离子源(30)离子化后的试样离；以及涡轮分子泵(50)、(50A)、(50B)， 其将真空腔室(40)保持为真空， 涡轮分子泵(50)、(50A...
    2025-10-13
  • 基板接合装置以及基板接合方法
    基板接合装置以及基板接合方法_株式会社斯库林集团_202380094733.3
    基板接合装置具备控制装置， 控制装置基于通过第一照相机生成的第一对准标记AM1的图像， 通过致动器机构使第一夹具以及第二夹具相对地动作， 由此进行被第一夹具保持的第一基板与被第二夹具保持的第二基板的对准调整。控制装置在判定为第一对准标记AM...
    2025-10-13
  • 基板接合装置以及基板接合方法
    基板接合装置以及基板接合方法_株式会社斯库林集团_202380094749.4
    基板接合装置具备：第一夹具11， 保持第一基板W1；第二夹具， 保持第二基板；两个Z致动器18， 在被第一夹具11保持的第一基板W1与被第二夹具保持的第二基板在铅垂的Z方向上相向的状态下， 使第一夹具11在Z方向上移动， 由此使被第一夹具1...
    2025-10-13
  • 半导体器件的制造系统以及制造方法
    半导体器件的制造系统以及制造方法_株式会社日立高新技术_202480003874.4
    本发明的目的在于提供一种能够使处理的成品率提高的技术。本发明的半导体器件的制造系统之一包含半导体制造装置以及晶片温度计算系统， 半导体制造装置具备：配置于N个分区的N个加热器， 该分区配置于处理室内的载台内部；以及P个温度传感器， 配置于载...
    2025-10-13
  • 基板层叠体的制造方法、层叠体及基板层叠体
    基板层叠体的制造方法、层叠体及基板层叠体_三井化学株式会社_202480012159.7
    本发明提供一种基板层叠体的制造方法， 包括：工序A， 准备包含第一基板和第一接合层的第一层叠体， 并且准备包含第二基板和第二接合层的第二层叠体， 第一层叠体中， 第一接合层包含含有机物层、且含有机物层的表面露出；工序B， 对第一层叠体中的含...
    2025-10-13
  • 晶圆支承装置及SiC外延生长装置
    晶圆支承装置及SiC外延生长装置_株式会社东芝_202380094518.3
    提供一种能够抑制晶圆引导件的再生时的损伤的晶圆支承装置。具有支承台、晶圆引导部、第一倒角部和第二倒角部。支承台具有用语支承晶圆的支承面。晶圆引导部是以在支承面的法线方向上延伸的中心轴为中心包围支承于支承面的晶圆的周围的圆环状。第一倒角部将晶...
    2025-10-13
  • 基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物
    基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物_JSR株式会社_202380094531.9
    在包括将组合物涂敷在基材的表面的工序的基材表面的选择性修饰方法中， 作为组合物， 使用含有具有羧酸盐阴离子部及碳数8以上的一价有机基的化合物(A)、以及水的组合物。
    2025-10-13
  • 蚀刻方法和蚀刻装置
    蚀刻方法和蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480016644.1
    本公开的蚀刻方法包括：第一贮存工序， 从第一气体供给源向第一气体供给路供给第一蚀刻气体， 并将该第一蚀刻气体贮存于在第一气体供给路设置的第一贮存部， 使该第一贮存部的内部升压；第二贮存工序， 从第二气体供给源向第二气体供给路供给第二蚀刻气体...
    2025-10-13
  • 半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆
    半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆_胜高股份有限公司_202380094525.3
    本发明提供一种能够抑制汤勺形状的缺陷的产生的半导体晶圆的清洗方法。本发明的半导体晶圆的清洗方法， 其为具有一边使半导体晶圆旋转一边将清洗液供给到所述半导体晶圆的至少正面的旋转清洗工序的半导体晶圆的清洗方法， 其特征在于， 所述旋转清洗工序包...
    2025-10-13
  • 粘合片材、半导体零件的制造方法
    粘合片材、半导体零件的制造方法_电化株式会社_202480012377.0
    本发明提供一种粘合片材， 其即便在将粘合片材贴附于被粘体的状态下进行热处理时， 也容易从被粘体剥离粘合片材。根据本发明， 提供一种粘合片材， 其具备基材层与设置于上述基材层上的粘合剂层， 上述粘合剂层由(甲基)丙烯酸系树脂组合物形成， 上述...
    2025-10-13
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