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一种叶片全流道涂层涂覆的鳐鱼摆动式装置及其工作方法
本发明公开了一种叶片全流道涂层涂覆的鳐鱼摆动式装置及其工作方法, 属于发动机涡轮叶片制造技术领域, 装置能够装配待涂覆工件, 并装配于涂覆设备, 以便实现对待涂覆工件的涂覆;装置包括工装杆、T型转接套筒、工件装配部, 工件装配部能够装配待涂...
一种电子束蒸发镀制高抗光损伤折射率渐变膜的方法及装置
本申请涉及一种电子束蒸发镀制高抗光损伤折射率渐变膜的方法及装置, 以下步骤:提供镀膜腔室, 镀膜腔室内设置有靶材装配盘, 提供至少两个靶材并无缝拼接设置于所述靶材装配盘中, 至少两个所述靶材的折射率不同, 使所述靶材装配盘在二维平面内的预设...
一种具有高硬度与优异耐粒子冲蚀性能的氮化钛/氮化铝钛多层纳米复合陶瓷涂层及其磁控溅射技术
本发明公开了一种高硬度与优异耐粒子冲蚀性能的氮化钛/但化铝钛多层纳米复合陶瓷涂层, 包括氮化物层和钛与氮化铝层, 第一钛层在基础材料的预氮化表面上制成, 第二层是钛与氮化钛的交互纳米层的形式, 以及第三层也是氮化钛与氮化铝的交互纳米层的形式...
粒子加速器用的永磁铁移动镀膜装置及方法
本发明公开一种粒子加速器用的永磁铁移动镀膜装置及方法, 镀膜装置包括待镀膜真空管、永磁铁组件、永磁铁升降机构、支撑平台和支撑侧壁, 待镀膜真空管设于支撑平台上, 支撑平台两侧向上延伸有支撑侧壁, 待镀膜真空管外周设有永磁铁组件, 永磁铁组件...
一种高熵NbTaMoWAl掺杂DLC涂层的制备方法
本发明公开了一种高熵NbTaMoWAl掺杂DLC涂层的制备方法, 应用于海洋工程设备领域, 使用磁控溅射系统在马氏体不锈钢440C衬底上沉积高熵掺杂DLC涂层, 具体包括以下步骤:步骤S1:打磨并抛光马氏体不锈钢衬底;步骤S2:对衬底进行清...
基于磁控溅射的铝基薄膜均匀沉积系统
本发明涉及铝基薄膜制备技术领域, 公开了基于磁控溅射的铝基薄膜均匀沉积系统。该系统包括基片状态检测模块、磁场动态调控模块、溅射功率调节模块、沉积过程监控模块和中央控制终端。基片状态检测模块实时采集基片表面平整度数据并传输, 中央控制终端进行...
一种磁控溅射阳极及磁控溅射装置
本申请公开一种磁控溅射阳极, 其包括法兰安装板、布气板以及防护罩, 法兰安装板的两端分别设置有水冷接口, 在两个水冷接口之间设有接电电极, 布气板设置于法兰安装板背离水冷接口的一侧, 布气板形成有气流通道, 防护罩盖设于布气板, 气体由布气...
一种基于3C产品的抗静电防水膜及其制作工艺
本发明公开了一种基于3C产品的抗静电防水膜及其制作工艺, 涉及抗静电防水膜技术领域, 本发明分别对聚四氟乙烯微粉和碳纳米管进行表面功能化改性和表面镀铜处理, 通过调整铜粉、碳纳米管、聚四氟乙烯微粉三者之间的比例, 制备得到三元复合靶材;通过...
一种磁控溅射系统及其镀膜方法
本申请涉及磁控溅射系统及其镀膜方法, 系统包括设置于镀膜室内的一对孪生硅靶材及铝靶材, 所述铝靶材位于所述孪生硅靶材所在水平线的正中间, 所述孪生硅靶材与中频电源电连接, 所述铝靶材与直流电源电连接。本申请的结构设计, 一方面能能够扩大均匀...
一种TiSiN/TiBC多层阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用
本发明公开了一种TiSiN/TiBC多层阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用, 属于材料制备技术领域。本发明通过高频脉冲磁控溅射技术在钢基体表面制备TiSiN/TiBC多层结构复合的阻氢耐磨涂层, 并在钢基体与阻氢涂层之间设计了中间过渡层, 该过...
一种翻片机构及真空镀膜设备
本发明公开了一种翻片机构及真空镀膜设备, 翻片机构包括:翻转组件, 翻转组件包括基座和两个夹持部, 两个夹持部分别设置于基座的上下两侧, 以限定出基片安装空间, 基座转动设置, 以切换任一夹持部位于上侧;顶升组件, 顶升组件包括第一顶升部,...
一种高效镀膜装置及镀膜方法
本发明申请涉及, 尤其涉及一种高效镀膜装置及镀膜方法。基于判断逻辑, 设置一组或多组真空罐能够维持多批工件同时进行真空处理, 一组或多组镀膜罐能够维持多批同时进行镀膜处理, 提高了整体镀膜装置的镀膜效率。而且, 镀膜罐可以根据不同的工件所需...
一种电容器用薄膜金属镀覆设备
本发明公开了一种电容器用薄膜金属镀覆设备, 涉及真空镀覆技术领域, 所述薄膜金属镀覆设备包括底座、卷绕装置、驱动装置、真空装置和镀覆装置, 所述驱动装置和镀覆装置相对设置在底座的上方两端, 相比于目前的薄膜金属镀覆设备, 本发明能够在不停机...
一种半导体设备及其控制方法
本发明公开了一种半导体设备及其控制方法, 半导体设备包括反应腔室、传输腔室及连接二者的阀门组件, 阀门组件包括阀盒、第一阀板、第二阀板、第一驱动器以及第二驱动器, 阀盒的一端连接反应腔室, 另一端连接传输腔室, 第一阀板和第二阀板设置在阀盒...
一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用
本发明涉及生物、环境和材料制备技术领域, 特别是涉及一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用。本发明提供的粗糙壁面掺硼金刚石电极表面由分散均匀且分布密度可调节的粗糙元单元构成, 该粗糙元赋予掺硼金刚石膜电极表面更大的表面起伏...
一种磷/硅复合负极材料的制备方法
一种磷/硅复合负极材料的制备方法, 属于锂电池负极材料技术领域。所述方法为:在CVD沉积炉中, 放入多孔炭, 先抽真空, 升温至180~230℃, 并恒定50~70 min;升温至600‑800℃, 通SiH4硅烷气体, 进行裂解沉积, 沉...
一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法
本申请公开了一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法, 涉及半导体技术领域, 包括如下步骤:步骤1、将石墨盘置于高温烘烤, 获得高温处理石墨盘;步骤2、将高温处理石墨盘置入外延反应腔中待用;步骤3、在高温处理石墨盘的表面施加抗高温氧化反应...
一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统
本发明公开了一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统。该清洁方法包括以下步骤:从腔室顶部通入解离的NF3, 以至少对腔室中的上半区域的钨残留物进行一次清洁;停止通入解离的NF3, 从腔室顶部通入解离的O2, 以至少对上半区域的碳残留物进行一次清洁;...
进气挡板结构, 半导体工艺的处理方法和设备
本发明公开了一种进气挡板结构、半导体工艺的处理方法和设备。该进气挡板结构包括:挡板本体, 位于反应腔的进气区域;以及驱动器, 由记忆合金制成, 所述驱动器连接所述挡板本体, 用于根据所述反应腔内的进气模式的温度反馈, 主动伸缩调节所述挡板本...
一种抽气环及薄膜沉积设备
本发明提供了一种抽气环及薄膜沉积设备。抽气环设于工艺腔室的侧壁, 其外侧环绕有抽气通道。抽气环上分布有多个抽气孔, 抽气通道的至少一处设有连通抽气泵的抽气口, 用于经由多个抽气孔从工艺腔室内部抽气。位于抽气环第一位置的第一抽气孔到其最近抽气...
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