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  • 公开了一种形成具有整体式电阻加热器的基座的方法。所述方法可以包括在氧化铍陶瓷体上以图案施加金属层, 其中将所述金属层的图案连接至导体, 使基底的第一表面与所述金属层接触以将所述基底与所述陶瓷体对齐定位以形成预组装体, 其中所述基底包含陶瓷,...
  • 本发明公开了一种用于手持器具的加热器。加热器包括支撑件、由支撑件支撑的加热元件和固定到支撑件的传感器组件。传感器组件被配置为测量支撑件的温度。
  • 本发明涉及一种感应加热装置(1), 其具有均匀加热分布并且包括由至少一个电阻器(5)定义的至少一个电感器(2)、待加热物体(4)和连接到电感器(2)的端子的电力发电机(10), 值得注意的是, 当电力发电机(10)的工作频率的值f等于感应加...
  • 根据一实施例的一种烹饪设备, 包括:烹饪板;至少一个感应加热单元, 布置在烹饪板下方并产生磁场;以及光源, 向烹饪板照射光, 其中, 烹饪板包括:玻璃主体;印刷层, 形成有配备为使从光源照射的光透射的透射孔, 并布置在玻璃主体的下表面;以及...
  • 本发明涉及一种用于控制装饰照明效果的控制器(1)。控制器(1)根据第一梯度光场景和第二梯度光场景控制包括多个LED光源(21‑26)的线性光源阵列(20)。在使用期间第一梯度光场景能够为所述多个LED光源(21‑26)定义不同的第一色点(1...
  • 一种多通道发光二极管LED驱动器, 其包括:多个LED通道, 其中所述多个LED通道中的每一者包括发射光的至少一个LED;开关, 其与所述至少一个LED串联连接以启用/停用所述至少一个LED;以及存储电容器, 其并联连接在所述至少一个LED...
  • 本申请公开了一种用于控制等离子体成分的装置, 包括一对电极, 电极之间具有介电屏障, 该装置还包括:与电极之一或介电屏障热接触的温度控制单元;配置为测量电极之一或介电屏障的温度的传感器;配置为确定等离子体的主要化学形态的浓度的检测器;以及配...
  • 本发明提供了一种电子装置(2000), 该电子装置包括支撑板(200)、导电印刷走线(80)、延伸的印刷区域(70)、电子元件(90), 以及导热层(400), 其中:支撑板(200)被配置为支撑导电印刷走线(80), 延伸的印刷区域(70...
  • 一种用于电连接器的多层带状线晶片。多层带状线晶片包括多个层。信号传输路径位于多个层中的至少一个内层上。信号传输路径可以是非耦合或松散耦合的单端信号传输路径或差分耦合信号传输路径。导电平面构件定位在多个层中的一个或多个层中。导电平面构件与信号...
  • 本发明抑制电子部件与光电部件之间的连接损耗并且抑制电子部件与光电部件之间的连接损耗导致的数据速度的降低。实施方式的布线基板(1)在部件搭载面(1a)具备第1部件搭载区域(A1)、光电部件搭载区域(A0)、以及能够与光电部件(E0)光学连接的...
  • 本发明涉及一种信号连接用辅助弹性部及包括其的基板组件, 尤其, 上述信号连接用辅助弹性部包括弹性按压部, 上述弹性按压部在包括第一基板部件和以一面与上述第一基板部件面接触的方式层叠布置的第二基板部件的基板组件中对于上述第二基板部件施加弹性力...
  • 要求减小在焊盘的侧面与实心图案的侧面之间产生的寄生电容。本发明的布线基板具有:第一导电层;绝缘层, 其覆盖所述第一导电层;第二导电层, 其形成在所述绝缘层上;以及过孔导体, 其贯通所述绝缘层, 连接所述第一导电层与所述第二导电层, 其中, ...
  • 电子装置具备:具有插入电路基板的矩形状的开口的树脂制的壳体主体和堵塞壳体主体的开口的盖。壳体主体包含由与电路基板的两面相对的一对第1边壁部和与一对第1边壁部连接的一对第2边壁部形成开口的横截面矩形状的周壁部。周壁部具有设置在开口侧的环状端面...
  • 电子设备具备框体和电路单元。电路单元具备与电子电路电连接的连接器。框体具备具有顶板部的第一壳体和具有底板部的第二壳体。顶板部的第一外周缘具有第一连接边, 底板部的第二外周缘具有第二连接边。在第一连接边与第二连接边之间具有使连接器露出的连接面...
  • 电子控制装置(10)具有:一端开口且另一端封闭的壳体(20);收纳于该壳体(20)的内部且能够安装电子部件的电路基板(12);以及封闭壳体(20)的开口的罩(40)。在壳体(20)的位于另一端的底部(25)设置有第一V字状保持部(33), ...
  • 作为技术方案的一例的供给直流电力的配线器具(2)包括:基板, 其搭载有电子部件;端子(52), 其安装于基板, 且输出直流电力;第一壳体(10), 其位于端子的电力输出侧端部;以及第二壳体(20), 其设于与电力输出侧端所在侧相反的那一侧。...
  • 一种对基板作业机, 具备:除静电装置, 去除静电;及吸引装置, 配设于除静电装置的照射方向, 吸引异物。
  • 本发明的技术问题在于, 在肖特基势垒二极管中, 防止由电荷的蓄积引起的绝缘破坏。本发明的肖特基势垒二极管(1)具备:半导体基板(20)及漂移层(30)、覆盖漂移层(30)的上表面(31)中的外周区域(31B)的场绝缘膜(80)、与漂移层(3...
  • 本发明的技术问题在于, 在结势垒肖特基二极管中, 防止由电荷的蓄积引起的绝缘破坏。本发明的结势垒肖特基二极管(1)具备:半导体基板(20)及漂移层(30)、覆盖漂移层(30)的上表面(31)中的外周区域(31B)的场绝缘膜(80)、与漂移层...
  • 描述了诸如环绕式栅极(GAA)元件的半导体元件及形成半导体元件的方法。亦描述了在前端工艺(FEOL)及后端工艺(BEOL)应用及工艺中很有用的选择性氧化工艺。在FEOL工艺中, 例如, 当不存在电介质内部间隔物时, 在蚀刻硅(Si)通道凹槽...
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