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最新专利技术
  • 用于环绕式栅极晶体管的选择性氧化工艺
    用于环绕式栅极晶体管的选择性氧化工艺_应用材料公司_202480015848.3
    描述了诸如环绕式栅极(GAA)元件的半导体元件及形成半导体元件的方法。亦描述了在前端工艺(FEOL)及后端工艺(BEOL)应用及工艺中很有用的选择性氧化工艺。在FEOL工艺中， 例如， 当不存在电介质内部间隔物时， 在蚀刻硅(Si)通道凹槽...
    2025-10-30
  • 高电子迁移率晶体管的场板偏置
    高电子迁移率晶体管的场板偏置_英飞凌科技加拿大公司_202480014386.3
    向高电子迁移率晶体管(HEMT)的一个或多个场板施加非零电压以由此影响HEMT的电场分布。该非零电压可以是恒定的DC电压， 或者可能是随时间变化的电压。使用非零电压能够更具能力来调节和减小在半导体沟道区中发生的电场， 特别是在场板处。此外，...
    2025-10-30
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480016219.2
    提供一种占有面积小的半导体装置。一种包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一导电层、第二导电层及第一半导体层。第二晶体管包括第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层的顶面及侧面以及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层...
    2025-10-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202380095641.7
    实施方式提供能够抑制导通电阻的增加并且能够实现高耐压化的半导体装置。根据本实施方式， 半导体装置具备第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一电极、第二电极、第三电极、电极部以及区域。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层之上， 是与...
    2025-10-30
  • 源极和漏极上的选择性接触件
    源极和漏极上的选择性接触件_高通股份有限公司_202480018145.6
    公开了包括用于与源极/漏极电连接的接触件的器件。接触件占据接触阱的整个宽度， 但由侧壁间隔件占据的区域除外。因此， (由于常规器件中衬垫和成核层在接触阱内的存在而引起的)高电阻率被减少或消除。
    2025-10-30
  • 电路体
    电路体_株式会社自动网络技术研究所_202380095249.2
    本发明公开了一种电路体， 其能抑制由柔性印刷基板的延伸路径部的移位导致的柔性印刷基板的导体图案或电子部件的安装部位的破损。电路体包括：母线(12、14)， 构成通电路径；柔性印刷基板(24)， 载置于母线(14)；电子部件(32)， 横跨母...
    2025-10-30
  • 光子和电子集成电路管芯的共封装
    光子和电子集成电路管芯的共封装_英特尔公司_202380095137.7
    多管芯封装， 其包括通过在玻璃衬底上构建的布线结构彼此互连的光子和电子集成电路(IC)管芯两者。包括光波导的玻璃预制件也可以附接到布线结构。多个电子IC(EIC)管芯可以与多个光子IC(PIC)一起排列在布线结构之上。每个PIC可以耦合到玻...
    2025-10-30
  • 嵌入式光子集成电路
    嵌入式光子集成电路_英特尔公司_202380095276.X
    一种用于多芯片封装的衬底包括安装在第一主表面中的腔中的至少一个光子集成电路(PIC)中介层。每个PIC中介层被配置为与多个集成电路装置电连接或光耦合。衬底还包括光耦合到PIC中介层的至少一个光耦合器。
    2025-10-30
  • 在半导体装置中的增强移动性
    在半导体装置中的增强移动性_应用材料公司_202480015573.3
    本技术包括在通道区域具有改善应力的半导体装置。所述半导体装置包括基板、源极区域、漏极区域、通道区域， 所述通道区域包括位于所述源极和所述漏极之间的至少一个通道。装置包括在n‑MOS区域中具有第一自对准单扩散断口的第一栅极区域， 以及包括在p...
    2025-10-30
  • 半导体装置和电子设备
    半导体装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016594.7
    根据本公开一个实施方案的半导体装置(1)包括：半导体基板(11)， 其具有彼此面对的第一面(11S1)和第二面(11S2)；一个或多个第一杂质扩散层(15)， 其设置在所述半导体基板(11)的第一面(11S1)上， 并且含有扩散的1E17/...
    2025-10-30
  • 光检测装置、光检测装置的制造方法和电子设备
    光检测装置、光检测装置的制造方法和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016408.X
    本发明提供了一种光检测装置， 在该光检测装置中， 在不使用SOI基板的情况下， 在块材基板中在晶体管的鳍片底部形成有氧化物膜。所述光检测装置包括第一基板部和第二基板部。所述第一基板部具有对入射光进行光电转换的像素。所述第二基板部接合至所述第...
    2025-10-30
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016686.5
    提供了一种能应对微细化的光检测装置。所述光检测装置设置有：第一半导体层， 所述第一半导体层包括作为元件形成面的一个表面和作为光入射面的另一个表面， 并且包括在平面图中在行方向和列方向上排列成矩阵状的多个单元区域；沟槽分离壁， 所述沟槽分离壁...
    2025-10-30
  • 串修复装置和串修复方法
    串修复装置和串修复方法_韩华思路信株式会社_202480017489.5
    串修复装置包括：台， 用于支承包括多个太阳能电池和连接多个太阳能电池的多个导线的串；以及对准装置， 在串中的有缺陷的太阳能电池被替换之后， 对准附接到被替换的太阳能电池的多个导线和与被替换的太阳能电池相邻的两个太阳能电池的多个导线。多个太阳...
    2025-10-30
  • 串修复装置和串修复方法
    串修复装置和串修复方法_韩华思路信株式会社_202480017516.9
    串修复装置包括：台， 支承包括多个太阳能电池和连接多个太阳能电池的多个导线的串， 多个太阳能电池包括多个印刷区域；以及分离装置， 将附接到多个太阳能电池之中的有缺陷的太阳能电池的多个印刷区域的多个导线与有缺陷的太阳能电池分离。多个印刷区域在...
    2025-10-30
  • 基于晶片的太阳能电池单元以及用于产生此基于晶片的太阳能电池单元的方法
    基于晶片的太阳能电池单元以及用于产生此基于晶片的太阳能电池单元的方法_CE面板工程有限公司_202480015358.3
    本发明涉及一种基于晶片的太阳能电池单元， 所述基于晶片的太阳能电池单元具有单晶硅或多晶硅半导体材料的半导体晶片， 所述半导体晶片具有所述半导体晶片的表面和至少一个p掺杂的区域以及至少一个n掺杂的区域， 其中所述p掺杂的区域和/或所述n掺杂的...
    2025-10-30
  • 发光器件和包括发光器件的显示设备
    发光器件和包括发光器件的显示设备_三星显示有限公司_202480019626.9
    发光元件可以包括：发光堆叠图案， 包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及绝缘膜， 围绕发光堆叠图案的外周表面。绝缘膜可以包括：第一层；第二层， 围绕第一层；以及第三层， 围绕第二层。第一层和第三层可以包括相同的材料。
    2025-10-30
  • 用于制造光电部件的方法以及光电部件
    用于制造光电部件的方法以及光电部件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480014130.2
    描述了一种用于制造光电部件(l)的方法。该方法包括以下步骤：提供辐射发射半导体芯片(2)， 提供包括部分固化的基质材料(4)并且包括发光材料(5)的层(3)， 接合辐射发射半导体芯片(2)和层(3)， 对所述部分固化的基质材料(4)进行固化...
    2025-10-30
  • 微型发光二极管(LED)结构
    微型发光二极管(LED)结构_上海显耀显示科技有限公司_202380095157.4
    本公开提供了用于微型发光二极管(LED)阵列的结构， 以提高光提取效率。一种示例性结构包括：第一导电类型的底部外延层(4‑3)， 其横跨所述微型LED阵列连续形成；发光层(4‑2)， 其在所述底部外延层(4‑3)上形成并且横跨所述微型LED...
    2025-10-30
  • 微型发光二极管(LED)结构
    微型发光二极管(LED)结构_上海显耀显示科技有限公司_202380095190.7
    一种示例性的微型发光二极管(LED)结构包括：第一导电类型的底部外延层(4‑3)；发光层(4‑2)， 其在所述底部外延层上形成；以及第二导电类型的顶部外延层(4‑1)。所述顶部外延层在所述发光层上形成， 并且包括把所述顶部外延层分成微型LE...
    2025-10-30
  • 发光装置以及图像显示装置
    发光装置以及图像显示装置_索尼集团公司_202480019275.1
    本公开的一个实施方式的发光装置， 具备：发光部， 所述发光部以阵列状配置有多个发光元件；光控制部， 所述光控制部具有设置于多个发光元件的光射出面侧且在多个发光元件的上方分别具有第一开口的无机层和设置于第一开口内的有机层， 所述光控制部控制从...
    2025-10-30
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