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最新专利技术
  • 一种基于BTA刀具的深孔加工装置
    一种基于BTA刀具的深孔加工装置_西安昆仑工业(集团)有限责任公司_202511090425.0
    本发明涉及BTA刀具加工技术领域，尤其涉及一种基于BTA刀具的深孔加工装置，包括电镀槽、阀门和机架，电镀槽内腔存放有防氧化溶液，阀门安装在电镀槽左侧壁底部，机架固定连接在电镀槽顶部，基于BTA刀具的深孔加工装置还包括气缸、蠕动机构、支架、夹...
    2026-01-23
  • 一种半导体晶圆水平电镀设备
    一种半导体晶圆水平电镀设备_苏州尊恒半导体科技有限公司_202511469546.6
    本发明涉及电镀设备技术领域，公开了一种半导体晶圆水平电镀设备，包括设备主体、电镀槽、清洗槽、吹干风机、导轨结构、升降结构、安装架、防护罩、驱动电机、主动风机结构、夹取结构包括夹持块、电动蜗杆、弧齿架和夹持爪，用于夹持和调整晶圆片姿态，涡流喷...
    2026-01-23
  • 电沉积反应装置、核壳结构催化剂的制备方法
    电沉积反应装置、核壳结构催化剂的制备方法_广州派得新能源有限公司_202511074439.3
    本申请涉及一种电沉积反应装置、核壳结构催化剂的制备方法。上述电沉积反应装置通过设置密闭连接的第一罐体、第一搅拌部件以及电化学部件，有效提高了第一罐体对外界氧气的阻隔能力；并通过第一进气口向第一罐体中持续通入惰性气体，采用第一氧传感器实时监测...
    2026-01-23
  • 用于湿法化学半导体处理的清洁工件装载器和边缘保护固持器
    用于湿法化学半导体处理的清洁工件装载器和边缘保护固持器_先进尼克斯有限公司_202510540822.7
    描述了一种用于湿法化学半导体处理的易碎柔性工件的装载和运输装置。装载器将工件对准框架，同时保持最小的物理接触。固持器精确定位所述工件的至少两个边缘，同时对其余两个边缘提供工件边缘保护和矫直。所述固持器允许对所述工件的两个面进行流体处理，同时...
    2026-01-23
  • 基于电镀生产线的防脱式振动器悬挂吊架
    基于电镀生产线的防脱式振动器悬挂吊架_中科先峰(苏州)智能科技有限公司_202511040878.2
    本发明涉及电镀悬挂技术领域，具体是基于电镀生产线的防脱式振动器悬挂吊架，包括安装在厂房机架内壁顶部且用于进行长距离输送电镀工件的电动链板、安装在厂房机架内侧壁用于辅助电镀工件进行输送的两条长直轨道，电动链板的底部固定连接有承载架，承载架的下...
    2026-01-23
  • 一种锂电池极片轧辊的镜面抛光工艺
    一种锂电池极片轧辊的镜面抛光工艺_邢台隆科机械有限公司_202511015152.3
    本发明涉及一种锂电池极片轧辊的镜面抛光工艺，其包括：步骤1：清洗去除轧辊表面氧化物和油污；步骤2：磁场辅助电解抛光，电解液中含有18‑22％磷酸、9‑11％醋酸、9‑11％硝酸铈、余量为乙二醇；步骤3：用激光系统对轧辊表面进行激光微熔整形；...
    2026-01-23
  • 一种表面处理槽和表面处理系统
    一种表面处理槽和表面处理系统_中复神鹰碳纤维股份有限公司_202511070610.3
    本申请涉及一种表面处理槽和表面处理系统，属于碳纤维生产技术领域；表面处理槽包括槽本体和进液口，进液口设于槽本体的一侧壁，槽本体的槽底部设有第一槽底段，第一槽底段设于远离进液口一端，且第一槽底段由靠近进液口一端至远离进液口一端逐渐升高；通过在...
    2026-01-23
  • 锑化铝单晶生长方法
    锑化铝单晶生长方法_中国科学院半导体研究所_202511072245.X
    本发明提供了一种锑化铝单晶生长方法，包括：将装有铝和锑的氮化硼舟置于石英管中，并对石英管抽真空后封管；将封管后的石英管置于水平合成炉中，基于预设的反应参数控制铝和锑进行反应，合成锑化铝多晶；对锑化铝多晶进行表面处理以去除氧化物；将表面处理后...
    2026-01-23
  • 一种单晶炉自动熔接系统及控制方法
    一种单晶炉自动熔接系统及控制方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511065428.9
    本发明涉及单晶炉熔接方法技术领域，具体涉及一种单晶炉自动熔接系统及控制方法，包括传感模块、数据处理单元和执行机构，传感模块包括测温传感器和识别传感器，测温传感器和识别传感器均与数据处理单元电性连接，数据处理单元与执行机构电性连接，本发明为了...
    2026-01-23
  • 一种单晶炉用副炉室拉晶装置
    一种单晶炉用副炉室拉晶装置_云南嘉泰来新材料有限公司_202511065564.8
    本发明涉及单晶炉拉晶技术领域，具体涉及一种单晶炉用副炉室拉晶装置，包括副炉室本体以及提升组件，副炉室本体的内部安装有多个滑轨，副炉室本体的内侧滑动安装有限位组件，包括导向环，导向环的顶端转动安装有拉晶组件，副炉室本体的内侧转动安装有多个传动...
    2026-01-23
  • 一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法
    一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511108979.9
    本发明公开了一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法，所述半埚料为坩埚内硅料装填量≤500kg，所述拉晶方法在晶体生长的初始阶段(熔接、引晶、放肩)，将埚转设置为0rpm/min；提高炉压至1.5kPa；提前启动转肩点至230~240mm。减少了硅熔...
    2026-01-23
  • 一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法
    一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511108955.3
    本发明公开了一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法，包括内部容纳加料筒的副室，所述副室的底部设置若干可拆卸式连接的安装管，所述安装管内设置与外部氩气源连通的氩气管路，所述氩气管路的水平延伸线垂直于加料筒的外壁；邻近加料筒的安装管端面设置接近...
    2026-01-23
  • 一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构
    一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构_成都航宇超合金技术有限公司_202511139151.X
    本发明提供了一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构，涉及单晶叶片技术领域。一种球形籽晶的制备方法，包括以下步骤：S1.制备籽晶串蜡模：根据球形籽晶尺寸制备多个球形籽晶单体蜡模并组合成籽晶串蜡模；S2.制备模壳：将底盘蜡模...
    2026-01-23
  • 一种碳化硅晶体的快速生长方法以及原料
    一种碳化硅晶体的快速生长方法以及原料_江苏卓远半导体有限公司_202410582607.9
    本发明公开一种碳化硅晶体的快速生长方法，包括如下步骤：将碳化硅原料放入坩埚内，加热坩埚使坩埚内的原料升华后再结晶，得到碳化硅晶体；其中，碳化硅原料放入坩埚后，从坩埚的底部供入气体或液体或两者的混合物，使坩埚内的原料呈漂浮状态。本发明的有益效...
    2026-01-23
  • 碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备
    碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备_江苏集芯先进材料有限公司_202511078711.5
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备，所述碳化硅晶体生长容器包括：容器主体；加热装置，所述加热装置位于所述容器主体外；内筒，所述内筒设在所述容器主体内，所述内筒内具有内容纳空间，所述内筒外周面和所述容器主体内周面之...
    2026-01-23
  • 一种应用于分子束外延设备的冷屏结构
    一种应用于分子束外延设备的冷屏结构_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511023990.5
    本发明属于半导体外延技术领域，具体地说是一种应用于分子束外延设备的冷屏结构，冷屏具有冷屏内、外壳，冷屏内、外壳之间通有液氮；上端收口结构的顶部开设有与冷屏内壳内部连通的开孔A，下端收口结构的底部开设有与冷屏内壳内部连通的开孔B；中部收腰结构...
    2026-01-23
  • 一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法
    一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法_天津大学_202511468961.X
    本发明涉及有机材料技术领域，具体涉及一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法。具体技术方案为：以带有烷基侧链的有机半导体分子为原料，在氢气氛围下，采用物理气相传输法，在低压环境下，非晶衬底与原料的间距为紧密接触，并外延生长有机半导体单层膜...
    2026-01-23
  • 铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品
    铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品_苏州实验室_202510881831.2
    本发明涉及半导体制造领域，提供一种铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品，该方法包括：将衬底固定于腔体内的样品架的中心；移动掩模版至与衬底表面的距离为第一间距；开启射频氮等离子体源，维持腔体内的氮气的电离效率；使掩模版的镂空区域正对于衬底表面...
    2026-01-23
  • 一种外延流片及其腐蚀工艺、设备
    一种外延流片及其腐蚀工艺、设备_安徽光智科技有限公司_202511111190.9
    本发明属于镀膜领域，公开了一种外延流片及其腐蚀工艺、设备。所述外延流片的腐蚀工艺包括：将外延流片竖向插接于工装中，外延流片沿工装的周向方向均匀间隔分布；将外延流片浸泡于腐蚀液中，超声振动配合沿竖向方向移动工装并且转动工装进行腐蚀工序；涮洗外...
    2026-01-23
  • 一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法
    一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法_成都晶九科技有限公司_202410561729.X
    本发明公开了一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法，属于晶体制备技术领域。包括装炉、抽真空、充气、升温化料、升锅位、下沉籽晶、引晶、自动翻转、收尾、出胚等步骤。通过由程序控制渐变提升转速以及提拉速度的自动翻转工艺，解决了原先翻转...
    2026-01-23
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