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最新专利技术
  • 形成功能性衬底箔的方法和形成功能性衬底的方法
    形成功能性衬底箔的方法和形成功能性衬底的方法_兰克森控股公司_202380096628.3
    本公开在各种说明性实施方式中提供了一种形成功能性衬底箔(1)的方法，该方法包括：提供具有多个有源装置区域(2a)的第一衬底箔(2)；在有源装置区域(2a)中的第一衬底箔(2)上配置微芯片(4)；以及以将微芯片(4)插入在第一衬底箔(2)和第...
    2025-11-20
  • 用于从衬底的表面去除有机树脂的方法
    用于从衬底的表面去除有机树脂的方法_德国艾托特克有限两合公司_202480022303.5
    本发明涉及一种用于从介电衬底上的铜表面去除有机树脂的方法，所述介电衬底包含导电穿孔(TH)和/或导电盲微通孔(BMV)，所述方法包含以下步骤：(i)将有机糊剂施涂到所述介电衬底，以用所述有机糊剂填充所述穿孔(TH)和/或所述盲微通孔(BMV...
    2025-11-20
  • 安装基板和安装构造
    安装基板和安装构造_株式会社村田制作所_202480026079.7
    提供能够有效地防止安装基板处的层叠陶瓷电容器的故障且能够稳定且可靠地设置层叠陶瓷电容器的安装基板。一种安装基板(1)，其中，在从与安装基板的表面垂直的方向俯视时，在将连结两个焊盘的中心的方向设为第1方向且将与该第1方向正交的方向设为第2方向...
    2025-11-20
  • 改进的通气部及通气部外壳
    改进的通气部及通气部外壳_W.L.戈尔有限公司_202480025605.8
    描述了一种通气部，该通气部包括通气部壳体，所述通气部壳体包括顶部部分和基部部分；以及至少一个外部孔；所述基部部分包括被在通气部壳体内的隔膜覆盖的通气孔；所述顶部部分固定至所述基部部分，使得从所述至少一个外部孔通过所述隔膜至所述通气孔形成通道...
    2025-11-20
  • 积层体、散热构件及其制造方法、散热壳体及其制造方法
    积层体、散热构件及其制造方法、散热壳体及其制造方法_JX金属株式会社_202480021421.4
    本发明提供了一种实现轻量化且同时具有良好散热性的积层体。本发明涉及一种具有至少1层金属层及至少1层树脂层的积层体，上述积层体的单位重量为2.0kg/m2以下，且上述积层体的与积层方向垂直的方向的热扩散率为10×10‑6m2/s以上。
    2025-11-20
  • 冷却装置、控制方法以及计算机程序
    冷却装置、控制方法以及计算机程序_麦格纳电子瑞典公司_202480025000.9
    本发明提供一种能对车辆内的ADAS装置等热源进行冷却的冷却装置、控制方法以及计算机程序。在用于冷却处于车辆内的热源的冷却装置中，具备：送风机；和电压供给部，向所述送风机供给电压，所述电压供给部向所述送风机供给用于使所述送风机旋转的电压，在所...
    2025-11-20
  • 包括散热结构的电子装置
    包括散热结构的电子装置_三星电子株式会社_202480026402.0
    根据实施例的电子装置可包括：第一板；第二板，支撑所述第一板；以及均热板，包括位于所述第一板与所述第二板之间的吸液芯结构。所述第一板可包括：第一区域，包括散热部；以及第二区域，连接到所述第一区域。所述吸液芯结构可包括：第一吸液芯，包括覆盖所述...
    2025-11-20
  • 电磁波吸收体
    电磁波吸收体_三菱电机株式会社_202380096988.3
    电磁波吸收体(1)具备多个谐振器单元(10)，该谐振器单元(10)是将具有互不相同的谐振频率的SIW谐振器(20)在供电磁波导入的耦合槽的短边方向上多级化而成的，该SIW谐振器(20)具有形成有耦合槽(23)的表层导体层(21)、与表层导体...
    2025-11-20
  • 生产管理装置、基板处理装置、生产管理方法以及程序
    生产管理装置、基板处理装置、生产管理方法以及程序_松下知识产权经营株式会社_202380096323.2
    生产管理装置(2)具备：状态监视部(12)，基于从对基板执行安装关联作业的基板处理装置(1)取得的表示安装关联作业的结果的信息来检测装置品质的恶化；制造指示部(15)，从作为应对装置品质的恶化的恶化应对处理而被提取的多个不同的恶化应对处理当...
    2025-11-20
  • 吸嘴维护装置及安装系统
    吸嘴维护装置及安装系统_株式会社富士_202380095803.7
    对在安装装置中所使用的吸嘴进行维护的吸嘴维护装置具备：供料器安设部，能够安设吸嘴供料器，该吸嘴供料器以能够供给吸嘴的方式收容多个吸嘴并安设于安装装置；移动部，能够相对于被安设于供料器安设部的吸嘴供料器来取放吸嘴，并使吸嘴移动；及维护部，对由...
    2025-11-20
  • 管芯对器件分区
    管芯对器件分区_超威半导体公司_202480020485.2
    一种用于管芯对分区的方法，该方法可包括提供电路管芯，该电路管芯具有金属堆叠并包括集成电路的大多数逻辑晶体管。方法还可包括提供一个或多个附加电路管芯，该一个或多个附加电路管芯具有：一个或多个附加金属堆叠，该一个或多个附加金属堆叠中的至少一个附...
    2025-11-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480000985.X
    提供了一种三维(3D)存储器装置及其制造方法。在一些实施方式中，公开的半导体装置是一种存储器装置并且包括阵列区中的存储器单元的阵列、沿第一横向方向平行延伸的字线、沿第二横向方向平行延伸的位线；以及互连结构，所述互连结构位于所述阵列区中并且与...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480018717.0
    提供一种通态电流大的晶体管。另外，提供一种电特性良好的半导体装置。一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。晶体管包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第三绝缘层及氧化物半导体层。依次层叠设置有第一导电层、第一绝缘层、第二导电...
    2025-11-20
  • 形成包含阶梯结构的微电子装置的方法以及相关微电子装置
    形成包含阶梯结构的微电子装置的方法以及相关微电子装置_美光科技公司_202480022525.7
    一种形成微电子装置的方法包括在源极结构上方形成初步堆叠结构。所述初步堆叠结构包括以初步层布置的绝缘材料和牺牲材料的竖直交替序列。所述方法包括形成具有台阶的阶梯结构，所述台阶包括所述初步堆叠结构的所述初步层中的至少一些的边缘；在所述阶梯结构的...
    2025-11-20
  • 三维存储装置及其制造方法
    三维存储装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202280006175.6
    公开了三维(3D)存储装置和制造方法。所公开的3D存储装置可以包括：包括第一类型存储单元的阵列的第一半导体结构、包括不同于第一类型存储单元的第二类型存储单元的阵列的第二半导体结构、包括第一外围电路的第三半导体结构、以及包括第二外围电路的第四...
    2025-11-20
  • 具有随接触深度变化的可变字线过孔接触密度的三维存储器设备及其形成方法
    具有随接触深度变化的可变字线过孔接触密度的三维存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480022471.4
    一种三维存储器设备包括绝缘层与导电层的交替堆叠、竖直地延伸穿过交替堆叠的存储器开口、位于存储器开口中的存储器开口填充结构、以及层接触过孔结构的阵列。层接触过孔结构中的每个层接触过孔结构接触导电层中的相应导电层。层接触过孔结构的较浅第一子组具...
    2025-11-20
  • 三维存储器件及其形成方法
    三维存储器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480000758.7
    在某些方面，存储器件包括半导体层和在半导体层之上的堆叠结构。堆叠结构包括交替的第一层和第一电介质层。堆叠结构的第一区段中的第一层包括第二电介质层，并且堆叠结构的与第一区段相邻的第二区段中的第一层包括导电层。存储器件还包括在堆叠结构和接触结构...
    2025-11-20
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202480018646.4
    提供一种半导体装置，包括：芯片，其具有主面；栅极电极，其形成在所述主面上；层间膜，其覆盖所述栅极电极；开口，其从所述栅极电极的电极侧部在沿着所述主面的横向上分离地形成在所述层间膜，使所述主面的一部分作为接触面而露出；以及表面电极，其形成在所...
    2025-11-20
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202480021354.6
    目的在于提供一种能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具备：第一电极，其设置于第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖半导体基板的基准面、第一绝缘膜及第一电极；以及第二电极，其覆盖基准面及第二绝缘膜，第二绝缘膜的侧面包含与基准面所成的角度不同...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480019053.X
    提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种包括第一至第四导电层、氧化物半导体层以及第一至第三绝缘层的半导体装置，第一绝缘层位于第一导电层上，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的第一开口，氧化物半导体层在第一开口内...
    2025-11-20
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