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最新专利技术
  • 一种低粗糙度、高剥离强度的超厚压延铜箔及其制备方法
    一种低粗糙度、高剥离强度的超厚压延铜箔及其制备方法_浙江花园新能源股份有限公司_202511263995.5
    本发明涉及铜箔加工技术领域，尤其涉及一种低粗糙度、高剥离强度的超厚压延铜箔及其制备方法。本发明在粗化液和固化液中引入由L‑抗坏血酸、纳米纤维素、柠檬酸三钠及聚天冬氨酸钠组成的四元复合添加剂，结合梯度脉冲电镀，所得铜箔表面粗糙度Rz≤1.2μ...
    2026-02-27
  • 一种适用于甲磺酸体系镀锡液的添加剂及电镀锡板的制造方法
    一种适用于甲磺酸体系镀锡液的添加剂及电镀锡板的制造方法_宝山钢铁股份有限公司_202410646410.7
    本发明公开了一种适用于甲磺酸体系镀锡液的添加剂，其含有聚乙二醇、聚氧烯醚类溶液、硫酸和苯酚类溶液。本发明还公开了一种电镀锡板的制造方法，包括步骤：对冷轧带钢基板进行预处理；采用含有本发明所述的添加剂的甲磺酸体系镀锡液对预处理后的冷轧带钢基板...
    2026-02-27
  • 一种电解铜箔的添加剂、电解溶液及铜箔
    一种电解铜箔的添加剂、电解溶液及铜箔_蓝帆新材料技术(广州)有限公司_202510861186.8
    本发明公开了一种电解铜箔的添加剂，所述添加剂在电解液中的组分包括：蛋白组分20～40ppm，所述蛋白组分包括不同分子量蛋白，不同分子量蛋白的分子量在[分子量Min，分子量Max]区间范围内渐增分布，且不同分子量蛋白占比均匀。创造性的针对蛋白...
    2026-02-27
  • 一种软金电镀液及其制备方法与应用
    一种软金电镀液及其制备方法与应用_珠海斯美特电子材料有限公司_202511212826.9
    本发明公开了一种软金电镀液及其制备方法与应用，涉及电镀技术领域。一种软金电镀液，包括以下原料：含金主盐(以金计)5‑12g/L；5, 5’‑二甲基乙内酰脲70‑100g/L；辅助络合剂10‑30g/L；导电盐50‑75g/L；光亮剂0.05...
    2026-02-27
  • 一种HVLP铜箔表面黑化处理工艺
    一种HVLP铜箔表面黑化处理工艺_山东金宝电子有限公司_202511183418.5
    本发明属于电解铜箔表面处理技术领域，具体涉及一种HVLP铜箔表面黑化处理工艺，包括如下步骤：酸洗、黑色微细粗化、防氧化、硅烷偶联剂喷涂和烘干处理；所述黑色微细粗化的工艺条件为：硫酸铜浓度25‑50g/L，乙二胺四乙酸二钠浓度15‑30g/L...
    2026-02-27
  • 复合镀层及其制备方法和复合导体
    复合镀层及其制备方法和复合导体_浙江正泰电器股份有限公司_202511239735.4
    本发明公开了一种复合镀层及其制备方法和复合导体。该复合镀层包括：金属和碳材料，碳材料包括石墨烯；其中，所述石墨烯包括与所述复合镀层所在平面成不同角度分布的石墨烯片，所述石墨烯片至少包括第一石墨烯片和第二石墨烯片，第一石墨烯片与复合镀层所在平...
    2026-02-27
  • 一种基于电镀技术的金属疏水涂层及其制备方法与应用
    一种基于电镀技术的金属疏水涂层及其制备方法与应用_洛阳理工学院_202410694160.4
    本发明涉及一种基于电镀技术的金属疏水涂层及其制备方法与应用，包括制备自开裂的网状薄膜涂层、电镀、去除网状薄膜涂层步骤，制备自开裂的网状薄膜图层是用于先将金属基片表面划分为网格状，使得电镀后形成的电镀铬对应位于自开裂网线内部，再去除网状薄膜涂...
    2026-02-27
  • 一种金属表面局部镀金工艺及金属表面局部镀金部件
    一种金属表面局部镀金工艺及金属表面局部镀金部件_深圳市金品表面处理科技有限公司_202511203794.6
    本申请涉及表面处理技术领域，公开了一种金属表面局部镀金工艺及金属表面局部镀金部件。本申请的金属表面局部镀金工艺通过对金属基材进行预处理、预镀镍、再镀镍、掩膜定位、再预处理、局部镀金和后处理等多步步骤，特别是预处理中，对金属基材的超声波除油、...
    2026-02-27
  • 一种基于复合膜的钛阳极防腐方法
    一种基于复合膜的钛阳极防腐方法_郑州永泽环保设备有限公司_202511284073.2
    本发明涉及一种基于复合膜的钛阳极防腐方法，包括如下步骤S1、将钛棒浸入含导电聚合物单体的磷酸盐溶液，静置10‑30min，使导电聚合物单体吸附于钛棒表面，S2、在磷酸盐溶液中加入氧化剂及掺杂剂，并启动交变电场，反应30‑120min，其中交...
    2026-02-27
  • 一种钨合金镀层及其制备方法、带孔衬管
    一种钨合金镀层及其制备方法、带孔衬管_成都德维石油技术服务有限责任公司_202511615322.1
    本发明涉及合金镀层技术领域，具体涉及一种钨合金镀层及其制备方法、带孔衬管，钨合金镀层为钨镍合金镀层，镀层致密无缺陷，厚度为40~100μm，且维氏硬度不低于900 HV1，该镀层采用氨基磺酸镍和钨酸钠为主盐，辅以特定的复合络合剂、导电盐、缓...
    2026-02-27
  • 一种钨丝金刚线预镀层及其制备方法
    一种钨丝金刚线预镀层及其制备方法_长沙岱勒新材料科技股份有限公司_202511181921.7
    本发明公开一种钨丝金刚线预镀层及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：首先，按照配比将硫酸镍、氯化镍和硫酸铁混合，加入纯水，加热溶解反应至呈透明溶液，加入硼酸调节pH值，得到第一中间体；然后，向第一中间体中加入柠檬酸钠混合，控制Ni和Fe的...
    2026-02-27
  • 一种用于螺旋桨件局部镀层修复的刷镀装置
    一种用于螺旋桨件局部镀层修复的刷镀装置_惠阳航空螺旋桨有限责任公司_202511167596.9
    本申请涉及机械零件修复技术领域，尤其涉及一种用于螺旋桨件局部镀层修复的刷镀装置，包括待刷镀工件、夹具组件、定位组件以及弹性组件。本发明通过定位组件快速进行定位，通过弹性组件拉动夹具组件向待刷镀工件处进行夹紧贴合，从而带动内置于阳极刷头内部与...
    2026-02-27
  • 一种溶铜装置
    一种溶铜装置_广东利尔化学有限公司_202511217157.4
    本发明公开了一种溶铜装置，包括电镀铜槽；圆柱形溶铜槽，所述圆柱形溶铜槽的进液口通过循环泵与所述电镀铜槽相连接，所述圆柱形溶铜槽的出液口通过出液管与所述电镀铜槽相连接；其中，所述电镀铜槽通过进液管加压进入所述圆柱形溶铜槽的进液口后，镀液从上至...
    2026-02-27
  • 一种除气装置及电镀系统
    一种除气装置及电镀系统_武汉楚兴技术有限公司_202410693943.0
    本申请涉及电镀技术领域，公开一种除气装置及电镀系统，该除气装置包括：脱气器、液体分离器以及清洗液供应管道，所述脱气器的出气口通过除气管道与所述液体分离器的入口连接，所述液体分离器具有液体排泄口和气体出口，所述真空泵与所述液体分离器的气体出口...
    2026-02-27
  • 补液装置、储液槽及其补液方法
    补液装置、储液槽及其补液方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410683667.X
    本申请提供了一种补液装置、储液槽及其补液方法，该补液装置用于向一槽体导入补液，包括进液部和出液部，进液部用于向补液装置导入补液，出液部用于使得补液自预定高度沿槽体的侧壁导入槽体内部。在导入补液的同时，能够实现对槽体内部容易产生结晶的区域进行...
    2026-02-27
  • 氯酸盐电解流水线及其电解工艺
    氯酸盐电解流水线及其电解工艺_苏州卓群钛镍设备有限公司_202511229724.8
    本申请涉及氯酸盐电解流水线及其电解工艺，涉及氯酸盐电解液处理的技术领域，其包括电解槽，所述电解槽内部设置有杂质清洁机构，所述电解槽外部前侧安装有杂质分离机构，所述电解槽顶部左侧安装有杂质清洁机构；杂质清洁机构包括框架，所述框架滑动连接在所述...
    2026-02-27
  • 一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法
    一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法_博材盛通(山西)新材料有限公司_202511263801.1
    本发明提供了一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法，该方法首先将铜箔进行预处理，然后以其为阳极，铂片为阴极，在特定的电解液体系中进行非对称双向脉冲蚀刻，且脉冲间隔时间在蚀刻过程中呈梯度递减；蚀刻完成后立即转入含磺化改性杯芳烃超分子缓蚀剂的氨水...
    2026-02-27
  • 多孔硅结构及电子发射器件的制备方法
    多孔硅结构及电子发射器件的制备方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410680071.4
    本发明提供一种多孔硅结构及电子发射器件的制备方法，先对单晶硅基底表面进行清洗预处理，保证单晶硅基底表面的洁净度，然后在单晶硅基底表面形成材质相同的表面微结构，并基于该表面微结构对单晶硅基底进行电化学腐蚀，在进行电化学腐蚀时，相邻两微凸起之间...
    2026-02-27
  • 利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用
    利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用_江西峰竺新材料科技有限公司_202511033986.7
    本发明提供利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用，属于硫酸钙晶须制备技术领域。该方法包括：将PLA副产物稀释后进行碾磨，调PH＝6.5～7.5；加入乳酸钙和/或柠檬酸钙等晶形控制剂，置于高压反应釜内迅速升温至230℃～250℃并...
    2026-02-27
  • 用于生长高纯石英晶体的插入式籽晶架
    用于生长高纯石英晶体的插入式籽晶架_山东博达光电有限公司_202511066786.1
    本发明属于石英晶体结晶生长领域，具体提供一种插入式籽晶架，包括籽晶架立柱组件、籽晶架圈、悬挂横梁、用于安装籽晶片的V形固定槽、垫片以及用于使得籽晶架圈与籽晶架立柱组件相固定的固定件；在籽晶架圈的圈内设置若干个相互平行的悬挂横梁，在每个悬挂横...
    2026-02-27
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