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最新专利技术
  • 包括3D打印陶瓷杯的气溶胶产生装置以及相关生产方法
    包括3D打印陶瓷杯的气溶胶产生装置以及相关生产方法_日本烟草国际股份公司_202480029590.2
    本发明涉及一种用于气溶胶产生装置的加热组件(10)，该加热组件包括具有用于接收气溶胶产生制品的开口的加热腔室(12)，所述加热腔室包括由预先确定的陶瓷材料制成并形成陶瓷杯的管状部分(16)，其中所述陶瓷杯是3D打印陶瓷杯，其基于对应于所述预...
    2025-12-12
  • 发光元件、显示装置、发光元件的制造方法及发光层的形成方法
    发光元件、显示装置、发光元件的制造方法及发光层的形成方法_夏普显示科技株式会社_202380097298.X
    红色发光元件(5R)具备阳极(22)、阴极(25)以及设置在阳极与阴极之间的红色发光层(24REM)，红色发光层(24REM)包含作为基质的含金属硫化物连续膜(MR)和内包于该连续膜(MR)的多个量子点(QD)，在包含所述多个量子点(QD)...
    2025-12-12
  • 用于LED显示器的单PCB上集成控制器/驱动器模块的系统和方法
    用于LED显示器的单PCB上集成控制器/驱动器模块的系统和方法_紫芯集成电路系统有限公司_202480030168.9
    用于发光二极管(LED)显示器的系统和方法。一种LED显示器包括被连接以形成LED显示器的显示面板。LED显示器包括用于基于图像的内容控制LED显示器中多个LED灯的模块。其中每个模块在其中集成至少一个控制器和多个驱动器，它们一起操作以根据...
    2025-12-12
  • 一种包括用于发光的两个LED串的基于发光二极管(LED)的照明源，以及基于LED的照明设备
    一种包括用于发光的两个LED串的基于发光二极管(LED)的照明源，以及基于LED的照明设备_昕诺飞控股有限公司_202480029770.0
    本发明涉及基于发光二极管(LED)的照明源。基于LED的光源包括基板；第一LED串，设置在所述基板上并包括用于发光的多个串联连接的LED；第二LED串，设置在所述基板上并且并联连接在所述第一LED串上，所述第二LED串包括用于发光的多个LE...
    2025-12-12
  • 用于等离子电弧材料处理系统的抗电弧侵蚀喷嘴
    用于等离子电弧材料处理系统的抗电弧侵蚀喷嘴_海别得公司_202480029970.6
    提供了一种用于气冷式等离子电弧焊炬的喷嘴。喷嘴包括由第一金属形成的喷嘴主体。喷嘴主体包括沿着纵向轴线延伸的近侧部分和远侧部分。喷嘴主体的远侧部分包括第一孔口。喷嘴还包括由第二金属形成的电弧过渡部件。电弧过渡部件耦接到喷嘴主体的远侧部分并且包...
    2025-12-12
  • 具有嵌入式导电硬币的基板
    具有嵌入式导电硬币的基板_微芯片技术卡尔迪科特有限公司_202480030089.8
    一种用于在集成电路封装件中使用的基板(例如，印刷电路板)包括：第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的导电硬币；形成在第一电介质层的第一侧上的第一导电层；第一导电层中的腔，该腔位于导电硬币之上；和布置在第一导电层中的腔中的嵌入式电路组件，其中该...
    2025-12-12
  • 印刷电路板的制造方法
    印刷电路板的制造方法_三井金属矿业株式会社_202480026710.3
    本发明提供一种印刷电路板的制造方法，其即使在带有划痕的部位，也能够阻止由热处理引起的铜颗粒的肥大化，通过化学蚀刻而实现充分的粗糙化。该制造方法包括以下的过程：准备依次具备绝缘层、剥离层以及铜层的支承基板，在铜层上形成布线图案，对形成有布线图...
    2025-12-12
  • 控制装置、特别是用于机动车辆的控制装置
    控制装置、特别是用于机动车辆的控制装置_罗伯特·博世有限公司_202480028638.8
    本发明涉及特别是用于机动车辆的控制装置，该控制装置包括：至少一个壳体，该壳体具有至少一个上壳体盖(12)和下壳体盖(14)，上壳体盖和下壳体盖通过至少一个固定机构(26)相互连接，其中，所述壳体盖(12、14)包围至少一块电路板(20)；以...
    2025-12-12
  • 包括形成有开口的壳体的电子装置
    包括形成有开口的壳体的电子装置_三星电子株式会社_202480028756.9
    根据本公开的实施例的一种电子装置包括：壳体；以及显示器，被设置在壳体的一个表面上，其中，壳体包括：开口，开口的位置可由外部识别装置识别；金属部分，形成在开口的外部方向上；以及注塑部分，通过注塑成型工艺形成并且至少部分地被设置在开口的内部方向...
    2025-12-12
  • 具有附接机构的分离膜
    具有附接机构的分离膜_3M创新有限公司_202480030268.1
    一种在数据中心中使用的膜组件包括框架，其中该框架的第一部分具有透明膜。框架的第二部分具有没有膜的开放空间。第一部分被配置为在数据中心或其他设施中将热通道与冷通道分离，并且第二部分被配置为提供来自冷通道的冷空气，该冷空气通过数据中心中的待冷却...
    2025-12-12
  • 用于冷却电子部件的冷却设备
    用于冷却电子部件的冷却设备_赛米控丹佛斯有限责任公司_202480026687.8
    为了有效地冷却电子部件，特别是电动车辆中的功率电子器件，电子部件被设置在冷却设备(1、100)的第一冷却剂腔室壁(2A)上。所述冷却设备具有由分隔壁(5)分隔开的两个内冷却剂容积(10A、10B)，每个冷却剂容积(10A、10B)包含具有波...
    2025-12-12
  • 半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法
    半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法_富士电机株式会社_202480028003.8
    提供一种能够抑制由正面电极缺损、栅极绝缘膜上的缺陷导致的Vth降低的半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备半导体基板(10)、设置在半导体基板(10)的第一主面上的层间绝缘膜(9)、贯通层间绝缘膜(9)而到达半导体基...
    2025-12-12
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480019297.8
    本发明提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层及晶体管，晶体管包括半导体层、第三绝缘层、第四绝缘层、栅电极、源电极及漏电极，源电极及漏电极设置在第一绝缘层上，第二绝缘层包括到达第一绝缘层且与源电极...
    2025-12-12
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_出光兴产株式会社_202480025454.6
    一种半导体器件，具有线性迁移率μlin为15cm2/Vs以上且阈值电压Vth超过‑2.4V的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在基板上具备氧化物半导体层、多个绝缘膜层和多个金属层，所述氧化物半导体层具备含有硼作为杂质的杂质区域和沟道区域，所述氧化物...
    2025-12-12
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社半导体能源研究所_202480028986.5
    提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种容易实现高清晰化的显示装置。半导体装置包括：具有侧面的绝缘层；以及分别包括绝缘层上的源电极和漏电极中的一方及绝缘层的下方的源电极和漏电极中的另一方的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管的半导...
    2025-12-12
  • 功率半导体设备及用于制造功率半导体设备的方法
    功率半导体设备及用于制造功率半导体设备的方法_日立能源有限公司_202480023544.1
    指定了一种功率半导体设备(1)，包括：‑第一电极(2)，‑第一导电类型的第一半导体层(3)，‑第一导电类型的漂移层(4)，‑不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(5)，以及‑第二电极(6)，其中‑第一半导体层(3)在环绕功率半导体...
    2025-12-12
  • 用于栅全环绕(GAA)场效应晶体管(FET)装置的(多个)增强成形延伸区和相关的制造方法
    用于栅全环绕(GAA)场效应晶体管(FET)装置的(多个)增强成形延伸区和相关的制造方法_高通股份有限公司_202480028729.1
    本公开涉及一种用于栅全环绕(GAA)场效应晶体管(FET)装置的增强成形延伸区和相关的制造方法。GAA FET装置包括从相应信道耦接至源极/漏极区的半导体材料的延伸区，以便于在GAA FET装置被激活时在源极区和漏极区之间形成导电信道。源极...
    2025-12-12
  • 用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案
    用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案_应用材料公司_202480027286.4
    本文描述了制造电子器件的方法。本公开的实施例有利地提供了制造满足减小的厚度、减少的泄漏、更低的热预算和Vt要求(包括多Vt)并具有改善的器件效能和可靠性的电子器件(例如，互补场效应晶体管(CFET))的方法。所述方法的一些实施例包括常规的偶...
    2025-12-12
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480027447.X
    本公开涉及在包括像素间分离部的像素中改善光电转换区域内的电荷传输的光检测装置和电子设备。该光检测装置包括：光电转换区域，其形成在半导体基板中；以及像素分离部，其贯通半导体基板并且针对各像素分离光电转换区域。像素分离部包括在半导体基板的第一表...
    2025-12-12
  • 半导体芯片
    半导体芯片_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480029373.3
    详细描述了一种半导体芯片(1)，该半导体芯片包括半导体主体(2)，该半导体主体具有第一导电类型的第一半导体层(21)、与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层(22)以及有源区(20)，该有源区被配置为用于发射辐射，该有源区(20)布...
    2025-12-12
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